Файл: Черкасов А.Л. Радиотовары учебник.pdf

сти разновидности типа А.

Графические обозначения диодов1 приведены на рис. 37.

Транзисторы

Транзистором называется полупроводниковый при­ бор, имеющий два последовательных р—«-перехода. Различают транзисторы типа р—«—р и типа «—р—« (рис. 38).

Физические процессы, протекающие в транзисто­

Рис. 38. Условные обозначения транзисторов

вается э м и т т е р о м . Область, собирающая носители тока, называется к о л л е к т о р о м . Промежуточная область называется б а з о й . К каждой из этих обла­ стей припаяны выводы, с помощью которых транзи­ стор включается в схему.

Для уяснения принципа работы транзистора необ­ ходимо помнить, что в кристаллических приборах в отличие от вакуумных при отсутствии внешнего элект­ рического поля через р—«-переход протекают два равных и противоположный токи:

ток основных носителей — диффузный;

1 ГОСТ 7624—62.

108

ток, возникающий вследствие теплового движения носителей и разности их концентраций по обе стороны

перехода; ток неосновных носителей — ток проводимости, воз­

никающий под действием контактного поля. Для по­ лупроводников типа р неосновными носителями яв­ ляются электроны, а для полупроводников типа п — дырки.

Рассмотрим принцип действия транзистора типа

р—п—р.

Если к эмиттерному переходу подключить прямое

титься из базы в коллектор. Чтобы обеспечить движе­

(плюс — на базу, минус — на коллектор).

В этом случае число основных зарядов, преодоле­ вающих барьер п — р-перехода, резко сокращается, а число неосновных зарядов, преодолевающих этот барьер, увеличивается. Так как дырки для базы (с «-проводимостью) являются неосновными, то поле коллекторного перехода будет оказывать на них уско­ ряющее действие. В цепи коллектора возникает ток (7,0 одного направления с током эмиттера (1Э).

Транзисторы находят весьма широкое применение в радиоэлектронике. Их используют в качестве усили­ телей сигналов низкой и высокой частот, различного рода преобразователей, в генераторах и других уст­ ройствах.

109

Основными классификационными признаками транзисторов являются мощность и частота электри­ ческих сигналов, на которые они рассчитаны. Эти па­ раметры определяют основные области применения приборов. По мощности транзисторы делят на тран­ зисторы малой, средней и большой мощности, а по ча­ стоте— на низкочастотные, средиечастотные, высоко­ частотные и сверхвысокочастотные.

Транзисторы имеют старую (ГОСТ 5461—59) и но­ вую (ГОСТ 10862—64) маркировку. По старой мар­ кировке транзисторы обозначают буквой П и цифрой, указывающей область применения, например П14. Если перед обозначением стоит буква М, например МП16, то это значит, что корпус этого транзистора холодносварной конструкции.

По новой системе маркировки транзисторы обоз­ начают буквенно-цифровым знаком, состоящим из пяти элементов. Содержание первого элемента си­ стемы обозначения транзисторов не отличается от си­

до 99), показывающие порядковый номер разработки прибора.

Пятый элемент маркировки — буква (от А до Я), обозначающая деление технологического типа прибо­ ров на группы. Например, ГТ108В — германиевый малой мощности низкочастотный транзистор, номер разработки 8, разновидность группы В; КТ540Б— кремниевый транзистор средней мощности среднечас­ тотный, номер разработки 40, группа Б.

Транзисторы изготовляют различными технологи­

110

ческими приемами, каждый из которых дает приборы со своими специфическими особенностями, эксплуата­ ционными свойствами и параметрами.

По механизму движения неосновных носителей в базе транзисторы делят на бездрейфовые (диффузи­ онные) и дрейфовые. В бездрейфовых транзисторах инъектироваиные эмиттером носители движутся от эмиттера к коллектору под давлением сил диффузии.

В дрейфовых транзисторах носители дрейфуют под действием сил электрического поля, создаваемого в базе, и диффузии. К бездрейфовым относят сплав­ ные и тянутые транзисторы, к дрейфовым — диффу­ зионно-сплавные, конверсионные и планарные.

Современный ассортимент транзисторов включает следующие основные типы:

германиевые маломощные низкочастотные — П4Д,

П9А, МП10А, МП10Б, МП11, МП14А, МП15, МП16А,

П423, П423А;

кремниевые большой мощности средней частоты — КТ801А, КТ801Б, КТ802А;

кремниевые маломощные высокочастотные'— 2Т301Д;

кремниевые высокочастотные средней мощности — КТ601А.

Селеновые выпрямители

Особую группу полупроводниковых приборов со­ ставляют селеновые выпрямители. Эти выпрямители предназначены для преобразования переменного тока частотой до 1000 Гц в постоянный.

Условные обозначения селеновых выпрямителей содержат семь элементов: размер выпрямительных элементов; класс выпрямителя по допустимому пере­ менному напряжению на один элемент; вид выпрями­ теля; общее количество элементов; серию (А, Г, Е, Я); число параллельных ветвей и особенности исполнения. При обычном исполнении последний элемент исклю­

111

чается. Знак «—» указывает на отсутствие парал­ лельных ветвей. Например, выпрямитель марки 30ЕД24А собран из элементов размерами 30X30 клас­ са Е, рассчитанных на допустимую величину эффек­ тивного значения переменного напряжения 35 В; схе­ ма выпрямителя двуплечая, число элементов в обоих плечах 24, по конструкции относится к серии А. В этом выпрямителе нет параллельных ветвей. Он выполнен по нормализованной конструкции с влаго­ защитной краской.

Основными видами селеновых выпрямителей явля­ ются: единичный вентиль (Е), двуплечий выпрями­ тель (Д ), выпрямитель со средней точкой (С), выпря­ митель— однофазный мост (М), выпрямитель — трех­ фазный мост (Т).

Отличительной особенностью селеновых выпрями­ телей является их способность кратковременно выдер­ живать значительные перегрузки и мгновенно самовосстанавливаться при пробое.

Требования к качеству, маркировка и упаковка полупроводниковых приборов

Приборы должны быть герметичными. Необходи­ мо, чтобы металлические детали приборов были изго­ товлены из материала, устойчивого к коррозии, или защищены от нее. Выводы приборов должны быть прочно закреплены и' иметь надежный электрический контакт с электродами прибора. Гибкие выводы долж­ ны допускать трехкратные изгибы без следов излома. Жесткие выводы должны выдерживать усилие, ука­ занное в стандартах или ТУ на прибор данного вида. Требуется, чтобы сварные соединения металлических деталей приборов были выполнены прочно и без про­ жогов. Стекло (керамика) и спай стекла (керамики) с металлом должны быть механически прочными и термически стойкими. Стекло (керамика) приборов не должно иметь сколов, трещин, отлипания в спаях и других дефектов, которые могут привести к наруше­ нию герметичности и потере работоспособности при­ боров. Внутри приборов не должно быть свободно пе­ ремещающихся частиц, способных вызвать нарушения

112

Под ее действием электронный поток формируется в тонкий луч. Далее электронный луч попадает в уско­ ряющее поле второго анода 8, на который подается высокое напряжение (10— 18 кВ), и приобретает вы­ сокую скорость, необходимую для возбуждения лю,- минофоров.

Отклоняющая система 7, состоящая из двух пар последовательно соединенных катушек, заставляет луч перемещаться по экрану в горизонтальном (по стро-

Рис. 40. Схема устройства кинескопа:

/ — колба; 2 — нить; 3 — катод; 4 — управляющий элек­ трод; 5 , 6 — фокусирующая система; 7 — отклоняющая си­ стема; 8 — анод; 9 — люминесцентный экран; 10 — элек­ тронный луч

кам) и вертикальном (по кадрам) направлениях. В соответствии с этим по экрану перемещается и све­ тящееся пятно, образуя телевизионный растр.

Напряжение приходящего сигнала (видеосигнала) прикладывается между катодом 3 и управляющим электродом 4. Вследствие этого интенсивность элект­ ронного луча, а следовательно, и яркость свечения пятна, движущегося по экрану, меняется в зависимо­ сти от приходящего сигнала.

Преобразование тока электронного луча в светя­ щуюся точку основано на способности некоторых ве­ ществ (люминофоров) светиться под действием элект­ ронной бомбардировки.

С течением времени световая отдача экрана кине­ скопа уменьшается из-за «утомления» и выгорания

114