Файл: Маграчев З.В. Аналоговые измерительные преобразователи одиночных сигналов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 27.06.2024

Просмотров: 100

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Очевидно, зарядная погрешность двухканального пре­ образователя (4-3) равна нулю при условии A(/3api= =At/3ap2. В этом случае

Е/вых=Кв(1-я)£/т. (4-5)

Условие (4-5) выполнимо, если заря/шые погрешнос­ ти (4-4) не зависят от величины Um и являются одной и той же функцией длительности измеряемого сигнала

Д Узар1 =Л'5/зар2 = / (^и) •

Рассмотрим возможности реализации этого условия. Будем считать, что вольт-амперные характеристики по­ лупроводниковых и вакуумных диодов в рабочем диапа­ зоне напряжений описываются экспоненциальными функ­ циями вида (2-30), (2-32) (см. рис. 2-14), причем для простоты рассмотрим вначале случай, когда эти харак­ теристики полностью идентичны, т. е. >ы= Яг= А, и Isi = = /s2= / s, а на вход преобразователя поступает импульс прямоугольной формы.

Тогда, учитывая выражения (4-3) и (2-41) для заряд­

ных погрешностей,

формулу ' (4-3)-

можно

представить

в виде

 

 

 

. т,

I 1 1 — (I — е Wm) е

(4-6)

AU3ap= — 1п-------------------- —

 

1 (1 e~nWm) е

 

где Тэ— эквивалентная постоянная

времени

заряда на

экспоненциальном участке вольт-амперной характеристи­ ки, определяемая для вакуумных и полупроводниковых диодов выражениями (2-37), (2-40). Из выражения (4-6) видно, что зарядная погрешность А£/зар двухканального преобразователя, вообще говоря, зависит от напряже­ ния импульсов Um-

Однако можно показать [Л. 64], что при выполнении

условия

 

 

 

Um> Um миа= ±

1П — ^

------

(4-7)

/и\.

п

 

 

эта зависимость становится настолько незначительной, что погрешности At/3aPi, 2 практически определяются только величинами конденсаторов CHi и Сн2 и вольтамперными характеристиками диодов. При этом в случае

7*

99



идентичных каналов ДНзар = 0,

а выходное напряжений

не зависит от /п и может быть

записано в виде (4-5).

Указанное обстоятельство

обеспечивает в рассмо­

тренном идеальном случае инвариантность двухканаль­ ного преобразователя по отношению к параметрам вход­ ных сигналов;

ДНзар= invar (l/m,

tu).

Из неравенства

(4-7) видно, что минимальное напря­

жение 'L/m мил тем

меньше, чем

больше параметр К.

С этой точки зрения в двухканальных преобразователях целесообразно применение диодов типа КД503, КД512, КД514 с высокой крутизной вольт-амперной характери­

стики

(А,= 17-т-25 е-1). Для этих диодов при п > 0,5, Сн=

= 50

пф и ^и.м1ш =5 1 0 нсек величину Ummm можно

принять равной 0,5—0 , 8 в. Как было показано выше, вольт-амперные характеристики диодов хорошо аппрок­ симируются двумя функциями: экспонентой и параболой для вакуумных диодов, а для полупроводниковых дио­ дов— экспонентой и прямой линией. В процессе заряда рабочая точка диода выходит на экспоненциальный уча­ сток в момент to, определяемый выражениями (2-35), (2-38). Величина to зависит от напряжения импульса Um, емкости накопительного конденсатора Сиак вольт-ампер- ной характеристики диода и режима РИ. При мин ^

где Дтс = Пд.0— Ддо (см. рис. 2-14), и выпол­ нении условия (4-7) рабочая точка диода в каждом ка­ нале успевает выйти на экспоненциальный участок, если длительность импульса ta>to.

В связи с тем что to=q>(Um), а напряжения в кана­ лах различны, время toi для первого канала оказывает­ ся несколько больше соответствующего времени £ог для второго канала. Поэтому при прочих условиях погреш­ ности Д£/зар1 и ДUЗар2 оказываются не равными и вели­ чина ДПзар.э при ta> ’t0i определяется выражением

 

 

 

 

 

*п—/о‘

 

 

 

ае

(4-8)

 

 

Д^зар.э— ^

 

 

 

-\и

1

ае

 

где а =

 

 

 

 

1 е

 

справедлива для мни ^

Заметим,

что формула (4-8)

деляется

При tn^-toi

погрешность Дб'зар.э мала и опре­

в

основном

неидентичностыо каналов, заряд-

100


Ше Погрешности в,которых можно определить, исполь­ зуя выражения (2-37), (2-40).

В наносекундном диапазоне время to соизмеримо с tIr и оказывает существенное влияние на погрешность пре­ образования в каждом канале. Однако результирующая погрешность AU3ap.a (4-8) и в этом случае намного мень­

ше

погрешности

однока­

 

 

 

 

 

 

нального

преобразовате­

 

 

 

 

 

 

ля, поскольку абсолют­

 

 

 

 

 

 

ная величина to1, 2 мало

 

 

 

 

 

 

изменяется

в

диапазоне

 

 

 

 

 

 

напряжений,

а разность

 

 

 

 

 

 

fo itoz

почти

не

зависит

 

 

 

 

 

 

от

0 т

(см.

рис. 2-17).

 

 

 

 

 

 

При

уменьшении

Um до

 

 

 

 

 

 

значений 1— 2

в величина

 

 

 

 

 

 

ДНзар.э

уменьшается, а

 

 

 

 

 

 

относительная

 

погреш­

 

 

 

 

 

 

ность

возрастает.

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотрим

 

случай,

О

 

2

¥

6

6

когда

 

в

процессе

заряда

Рис.

4-2.

Кривые

зависимости

накопительных

конденса­

торов рабочая точка дио­

 

 

 

для одноканально­

го

преобразователя

на

диоде

да во втором канале успе­

2Д503Б

при С „=47

пф и t„, рав­

вает

выйти

на экспонен­

ной б,

10, 30, 50, 100 нсек (кри­

циальный

участок вольт-

вые 1, 2, 3,

4, 5 соответственно).

амперной

 

характеристи­

 

 

 

 

 

 

ки, а в первом канале еще находится на линейном уча­

стке. Этот случай соответствует условию

За­

рядная погрешность при этом равна:

 

 

 

AU3&p. a.a = U - ( U m +

U)e

-

 

 

In ^1 — ае

°

'j,

(4-9)

где U= Upfi'U до,

Тл— РдСн.

 

 

Cni и Сн2

При

и tnig^ioi заряд конденсаторов

осуществляется токами линейных участков вольт-ампер- ных характеристик диодов. В этом случае

Д^зар.л

1 )Um6

(4-10)

 

 

101


и погрешность двухканального преобразователя сущест­ венно зависит от Um.

Зависимости ДU3ap= f(U m) для одноканального пре­ образователя на диоде 2Д503Б при Сп= 47 пф, получен­ ные экспериментальным и расчетным путем, показаны на рис. 4-2. Из них видно, что при г‘ц>30 нсек погреш­ ность ДНзар2 практически не зависит от напряжения им­

%

SUгар\

пульса

Um-

Благодаря этому по­

грешность двухканального

преобра­

п

Расчетмая.

зователя ДНзар, определяемая вы­

12

ражением

(4-3),

оказывается значи­

10

__ - Эксперичен-

тельно меньше погрешности однока­

mамт1Я__

 

 

нального

преобразователя

AUaavi.

В

 

Для примера на рис. 4-3 приведены

В

 

кривые

зависимости |б4Узар|=/(/„)

 

двухканального

преобразователя

V

 

 

при /г=0,5

и

Um= 2 в, построенные

2

с помощью формул (4-8) и (4-10) и

 

по экспериментальным

данным

О20 40 ВО ВОнсек- рис. 4-2. Теоретические и экспери­

 

 

 

ментальные данные позволяют сде­

Рис. 4-3. Зависимость

лать вывод, что введение второго

|6УЗВР|=/(/„) двух­

канала

преобразования

дает

воз­

канального

преобра­

можность

существенно

повысить

зователя

для Um =

—2 в.

 

 

точность

преобразования

импуль­

 

 

 

сов малой длительности. Так, на­

 

 

 

пример, для импульсов длитель­

ностью

^ц = 30-н100

нсек

величина

погрешности умень­

шается более чем в

1 0 — 2 0

раз,

а при длительности ta—

= 10-ь30

нсек — в

3,5—40

раз,

что

видно

из

сравнения

с рис. 2-18.

 

t0i

 

 

 

 

 

 

Поскольку значения

и Би достаточно

близки

(см.

рис. 2-17), а сопряжение участков аппроксимации вольтамперных характеристик диодов происходит плавно, то для практических расчетов ДБ/зар можно пользоваться

формулами

(4-8) и (4-10). За граничное условие следует

принять

В этом случае время Т„ак двухканаль­

ного преобразователя

при

 

 

Um > Umгр= (1_ П) м иГшЯ X

 

 

 

_—^оа

Х ^ д о - ^ д с

- ^ i n ( l - о е

Тв ) ] ,

102