Файл: Маграчев З.В. Аналоговые измерительные преобразователи одиночных сигналов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 27.06.2024

Просмотров: 93

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

''горного тока через накопительный конденсатор С. По­ скольку ток коллектора практически не зависит от на­ пряжения на коллекторном переходе, заряд конденсато­ ра осуществляется по линейному закону. На примере рассмотренной схемы оценим основные погрешности транзисторных время-амплитудных преобразователей.

Нелинейность преобразования определяется инерци­ онностью транзистора, шунтирующим влиянием сопро­ тивления нагрузки и непостоянством тока коллектора. Инерционность транзистора в основном определяется инерционностью процесса переноса носителей в базе прибора и наличием у транзистора межэлектродных ре­ активностей (емкостей переходов и индуктивностей вы­ водов). Поскольку режим работы транзистора по току в данной схеме мало меняется при переходе от исходно­ го состояния к процессу заряда накопительного конден­ сатора, инерционность переноса практически не влияет на линейность преобразования. Индуктивность выводов транзисторов в диапазоне малых измеряемых интерва­ лов, напротив, оказывает стабилизирующее действие на ток коллектора и тем самым способствует повышению линейности в этом диапазоне.

Существенное ухудшение точности преобразователя в наносекундном диапазоне вызывает наличие емкости коллекторного перехода, величина которой является функцией напряжения на коллекторе. Погрешность, вно­ симую этим фактором, можно определить, если исполь­ зовать линейную аппроксимацию коллекторной характе­ ристики каскада:

Нк = Гк ■Iк

Ежв,

гк — выход­

где Uk, /к — напряжение и ток

коллектора;

ное сопротивление каскада с общей базой;

£ Экв— экви­

валентное напряжение заряда

конденсатора

С+ Ск.

При такой аппроксимации эквивалентная схема ка­ скада имеет вид, представленный на рис. 6-4,6. Конден­ сатор Ск в данной схеме обозначает емкость коллектор­ ного перехода. Как известно [Л. 123, 124], величина этой емкости определяется в основном барьерной составляю­ щей, для которой справедливо соотношение

где фк — контактная разность потенциалов перехода; С0— емкость коллекторного перехода при Пк= 0.

143


Принимая напряжение на конденсаторе UC='UK=*

— ^вых. запишем дифференциальное уравнение для заря­ да конденсаторов С и Ск.

Полагая, что при t= О, Uc—0 , из уравнения (6 -4 ) по­ лучим выражение для обратной функции преобразова­ ния t-ц= ср (Uпых):

ta = \ In

2 т

Artli

(/> +■

0 / 1 + '

 

/l + |

 

 

 

где

 

 

 

(6-5)

 

 

 

 

 

'-РКП___

 

^ВЫЗ

 

 

9и гн“Ь

 

Уд

 

Иных — амплитуда

напряжения на

конденсаторе.

Обычно eo^>em. Тогда, используя формулу разложения в степенной ряд логарифмической функции и пренебре­ гая вторым членом выражения (6-5), получим удобную для инженерных расчетов формулу для погрешности преобразования:

Максимальное значение нелинейности за счет измене­

ния емкости коллекторного

перехода

можно найти, по­

ложив ет /2ео= 0. Тогда

 

 

if / _______ С„

 

QU м акс —

Г Л . С

*

Величина С0 у современных быстродействующих транзисторов составляет 3—5 пф. Если учесть, что в наиосекундном диапазоне измеряемых интервалов емкость накопительного конденсатора не превышает нескольких десятков пикофарад, то становится очевидной трудность построения точных преобразователей в этом диапазоне.

На стабильность работы транзисторных преобразова­ телей влияют: уход напряжений Еэ и E q, нестабильность (в основном температурная) тока заряда конденсатора, нестабильность емкости накопительного конденсатора.

И4


П о гр еш н о ст ь ,

в н о си м а я

первы м ф ак то р о м , ле

устранима и ее можно не учитывать. Нестабильность то­ ка коллектора в схеме, приведенной на рис. 6-4,а, опре^ деляется нестабильностью его эмиттерной составляю­ щей. Как известно [Л. 72], ток эмиттера связан с темпе­ ратурой следующей зависимостью:

 

 

/

 

\

.

(0-6)

 

 

 

- 1

где J0о— ток

эмиттера

при

нулевом смещении;

Т° — абсолютная

температура; q

и /е — физические кон­

станты, отношение которых

q jk ^

1 ,2

- 10 3 градfв.

Дифференцируя выражение (6 -6 )

и

полагая /к» а / а,

получаем:

 

(£, — £6) ЬТ*

Я_

S/K= — а

 

(7-0)2

 

k

 

 

 

 

где 8/ц — относительное изменение тока коллектора; а— коэффициент усиления по току; ДТ° — изменение темпе­ ратуры.

При £ э—£б = 0,5—0,6 в и при 7’=300°К изменение коллекторного тока б/к~ 7 % на один градус. Очевидно, что построение более или менее точных ВАП при такой нестабильности зарядного тока затруднительно. Для по­ вышения стабильности очень часто используют различ­ ные способы температурной стабилизации тока заряда конденсатора. Наиболее радикальным является питание' эмиттерной цепи транзистора от стабилизатора тока. При этом температурная стабильность тока коллектора повы­ шается почти на порядок. Действительно, выражение для коллекторного тока (без учета реакции коллектора) имеет вид {Л. 72]:

 

 

= а/а + /ко-

 

 

(6-7)

При

/э = const относительное изменение /к

в соответ­

ствии с

(6-7) равно:

 

 

 

 

 

 

в/, = Да

»

8а+

,

 

(6-8)

где Да

и 6 а — абсолютное и

относительное

изменения

коэффициента усиления соответственно;

Д/ко — измене­

ние начального тока коллектора.

с

использованием

Рассчитанная по

формуле

(6 -8 )

справочных данных нестабильность тока коллектора со­

ставляет для высокочастотных транзисторов

6 /к« 0 ,6 -5-

-1,5 % .

 

10— 449

145


Дальнейшее повышение точности преобразования м о ­ жет быть достигнуто путем включения вместо Ва источ: ника с положительным температурным коэффициентом напряжения.

Такие методы стабилизации тока заряда, позволяя получить сравнительно высокие точностные характери­ стики преобразователей (температурная нестабильность около 1—3 псекГС [Л. 100, 108]), приводят, однако к су­ щественному усложнению схемы ВАП.

Несмотря на отмеченные выше недостатки, времяамплитудпые преобразователи в совокупности с ампли­ тудными анализаторами позволяют измерять интервалы времени короче 1 нсек. Точность измерения серийно выпускаемых некоторыми зарубежными фирмами преоб­ разователей в наносекундном диапазоне составляет 2 —■ 5% при разрешающей способности порядка нескольких десятков пикосекунд [Л. 13].

6-2. Преобразователи масштаба времени

Временные измерения с помощью ВАП возможны при наличии амплитудных анализаторов или импульсных вольтметров для измерения амплитуды пилообразного напряжения. Очевидно использование комплекса ВАП—

Рис. 6-5. Блок-схема (а) и эпюры напряжений (б) линейного ПМВ.

анализатор для однократных измерений или для по­ строения измерителей временных интервалов широкого применения экономически не оправдано. Применение вольтметров одиночных импульсов характеризуется су­ щественной погрешностью в наносекундном диапазоне. Рассмотрим другие возможности.

146

Для обратного преобразования можно использовать накопительный конденсатор ВАП, разряжая его в про­ цессе амплитудно-временного преобразования током, значительно меньшим зарядного. Благодаря своей про­ стоте такие преобразователи в настоящее время получи­ ли широкое распространение [Л. 13, 115, 125— 128].

Обобщенная блок-схема преобразователя масштаба времени ПМВ с линейным зарядом и разрядом конден­ сатора представлена на рис. 6-5,о. На рис. 6-5,6 приве­ дены эпюры напряжений, поясняющие ее работу. В ис­ ходном состоянии конденсатор С разряжен. С приходом стартового импульса на вход 1 электронный ключ ЭК размыкается и конденсатор С заряжается через стаби­ лизатор тока заряда СТЗ и диод Д. Стоп-импульс, по­ ступающий на вход 2 , возвращает ключ в исходное со­ стояние, диод Д закрывается и конденсатор С разря­ жается через стабилизатор тока разряда СТР. Момент окончания разряда фиксируется дискриминатором Дс. Преобразованный интервал при этом равен:

Tn =

'f? tn= K j u,

(6-9)

 

1 Раз

 

 

где /зар и /раз — ток заряда и

разряда

конденсатора С.

Погрешность преобразования можно определить из

выражения

 

 

 

бК п =

6/зар

б/раз-

 

Погрешности, возникающие из-за непостоянства заряд­

ного тока 6 /зар, были рассмотрены при

анализе ВАП.

Рассмотрим другие составляющие погрешности.

Как следует из (6-9), коэффициент

преобразования

не зависит от емкости накопительного

конденсатора,

а следовательно, от нестабильности и нелинейности ее паразитной составляющей. К сожалению, это условие, являющееся одним из основных преимуществ рассматри­ ваемого преобразователя масштаба времени, выполня­ ется только в том случае, если паразитная емкость вклю­ чена параллельно накопительному конденсатору. Одна­ ко из-за наличия диода Д паразитная емкость Сп, вклю­ ченная параллельно стабилизатору тока заряда и ключу ЭК, не участвует в процессе амплитудно-временного пре­ образования. В результате этого точность работы пре­ образователя зависит от изменения как С, так и Сп. Это

можно показать, полагая /зар и /раз постоянными,

а диод

1 0 *

И7


Д идеальным. Тогда

ТU

с

IзаР

i

(6- 10)

с + сп

I

 

 

' раз

 

 

Дифференцируя (6 -1 0 ), найдем относительную погреш­ ность преобразования интервала из-за изменения емко­ стей:

5'Л, = Т _~Сп (SC — 5СЦ),

(6-11)

где 6 С и 6 Сп— относительные нестабильности емкостей. Очевидно, что при соизмеримых значениях С и Сп величина нестабильности, вносимая этими емкостями,

может оказаться существенной.

Другим источником погрешности ПМВ является на­ личие токов утечки. Влияние этого фактора "особенно существенно при измерении коротких интервалов, когда с целью получения высокого коэффициента преобразова­ ния работа преобразователя происходит в режиме ма­ лых разрядных токов накопительного конденсатора. Сум­ марный ток утечки накопительного конденсатора можно представить в виде

'у= 'уо + тг.

(6-12)

f'm

 

где /уо — независимая от напряжения па конденсаторе составляющая тока утечки; Яш— эквивалентное сопро­ тивление, шунтирующее конденсатор.

С учетом формулы (6-12) преобразованный интервал равен:

Та — тш In 1 -(-

f яяО^п

(6-13)

'Едг ( Д аз -\-1у о ),

 

 

где

Выражение для погрешности из-за нелинейности при этом имеет вид:

87' - = т й г 1п( |+ ^ ) “ 1'

где

заР

К'п-

' РнЗ~1” ^ уо

Полагая K ' J a < тш, получаем:

аГц

K 'J л

(6-14)

2

тш '

 

 

148