Файл: Маграчев З.В. Аналоговые измерительные преобразователи одиночных сигналов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 27.06.2024

Просмотров: 92

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

время динамического запоминания обратно пропорцио­ нально скорости изменения подобных функций и огра­ ничивается областью монотонности и непрерывности этих функций.

7-2. Компенсационные ПМВ со статическим запоминанием

Если в качестве F (at) используется функция напря­ жения U(t), то запоминание несложно обеспечить, при­ менив статические запоминающие устройства (пиковые расширители). Обобщенная блок-схема преобразователя с таким устройством приведена на рис. 7-1,я. В этой схеме стартовые импульсы запускают генератор функ­

ции напряжения

U (al), стоповые импульсы

выключают

его н запускают

генератор

функции U (bt).

Амплитуда

 

 

 

импульса U(atn)

иа выхо­

0----- Генератор

ПикоВый.

де генератора

U(at) за­

_Стоп

U(a t)

расширитель

поминается

в

пиковом

 

 

 

расширителе.

 

 

 

Момент равенства

на­

 

пряжений на выходе ге­

 

нератора

U (bt)

и пиково­

 

го

расширителя

соответ­

 

ствует концу

преобразо­

 

ванного

интервала

Тп

 

(рис. 7-1,6) и фиксирует­

 

ся схемой сравнения.

 

 

По виду используемой

 

функции

преобразовате­

Рис. 7-1. Обобщенная схема ПМВ

ли со статическим запо­

минанием можно

разде­

со статическим запоминанием (а)

лить на

три группы:

ли­

и эпюры напряжении в схеме (б).

нейные,

экспоненциаль­

 

 

ные

и

синусоидальные.

Линейные функции напряжения, как уже указывалось, могут^ быть получены с помощью интегрирующих устройств или путем использования начального участка экспоненциального и синусоидального напряжений. Воз­ можности применения линейных преобразователей с ис­ пользованием этих функций были рассмотрены выше, в связи с чем в дальнейшем будут рассмотрены только

ПМВ, использующие экспоненциальные и синусоидаль­ ные функции напряжения,

154


Экспоненциальные преобразователи. В [Л. i29, i3l] описаны схемы экспоненциальных преобразователей, в ко­ торых используется расширитель с открытым входом. Вариант такой схемы приведен на рис. 7-2. В исходном состоянии ключи Кл 1 и Клг замкнуты. При их размыка­ нии напряжение на конденсаторах изменяется по экспо­ ненциальному закону с постоянными времени ti = ./?iCi п xz—RiCz- Стоп-импульс возвращает ключ Клу в исход­ ное состояние, диод Д запирается, и конденсатор Ci

В ы ход

Рис. 7-2. Экспоненциальный ПМВ со статическим запомина­ нием.

некоторое время сохраняет заряд. При обеспечении усло­ вия преобразованный интервал, фиксируемый схе­ мой сравнения в момент равенства напряжений на кон­ денсаторах, значительно превосходит измеряемый интервал.

Схема сброса предназначена для разряда конденса­ торов по окончании преобразованного интервала. Кон­ денсатор Су здесь выполняет две функции: является эле­ ментом пикового расширителя и генератора экспоненци­ ального напряжения. В приведенной на рис. 7-2 схеме из-за влияния ряда факторов возникают погрешности, связанные с нелинейностью и нестабильностью функций преобразования. Рассмотрим эти погрешности.

Запишем выражения для изменения напряжения на конденсаторах Ci и С2 за измеряемый /„ и преобразо-

155

банный Тп интервалы времённ:

 

 

t

 

UCl(t,l) =

E l { l - е

")■

(7-1л)

 

 

гп

 

и еа(Га) =

Еа ( l - e

~ ) i

(7-76)

где Ei = EU(и, EZ= E U0z, U0i и

Ua2— начальные на­

пряжения на конденсаторах.

 

 

Полагая U0 1 — U2 и Uc\(lu) — Uv.2{Tn),

получаем:

 

=

 

(7-8)

 

Х1

 

 

Здесь т21= /(п — коэффициент преобразования. Однако практически условие ECi(tn) = Uc2(Tn) трудно

обеспечить, так как схема сравнения имеет конечное значение порога чувствительности Un, напряжение на конденсаторе Ct за время Та уменьшается (погрешность запоминания бU3n), а коэффициент передачи пикового расширителя Др=?-1. Тогда

Uc, (Л,) -

Uc (Ta) =

Ua ~ ( 1 -

 

Л’р) Ue (/„) -

&

=

Ш г (О,

где /р — ток разряда

конденсатора С'ь

 

 

(7-9)

 

 

 

Разлагая функцию (7-7,6)

в ряд Тейлора

в

окрест­

ности точки t = Tu, найдем ее приращение,

ограничиваясь

линейной частью разложения:

 

 

 

 

 

 

Д£/„(*) =

е

т’ ДТ а.

 

 

(7-10)

 

 

 

 

Т 2

 

 

 

 

 

Из функции

(7-10) найдем ДГП и с учетом

(7-8) по­

лучим выражение для функции преобразования:

 

 

7 и — Д utH 1+

Д U *

(t ) х,

 

 

(7-11)

 

 

Et И

 

 

Погрешность за счет нелинейности функции преоб­

разования

с учетом уравнения

(7-9) при E\TtiEz~E, бу­

дет:

 

 

 

 

 

 

_(п

 

S7’n = %

 

Др) 1 -

е

 

/рДi/ii

 

- ( 1

 

е

-

1

 

с J-:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(7-12)

156


Выражение (7-12) позволяет рассчитать погрешность для данной конкретной реализации ПМВ со статическим запоминанием. Как видно из выражения (7-12), точ­ ность преобразования в значительной степени зависит от погрешности запоминания пикового расширителя, которая растет с увеличением коэффициента преобразо­ вания. Ток разряда, характеризующий эту погрешность,, определяется в основном обратным током диода и для-

быстродействующих

им­

 

 

пульсных диодов (2Д503Б,

 

 

КД512А и др.) составля­

 

 

ет

единицы

микроам­

 

 

пер.

 

 

 

 

 

 

 

На рис. 7-3 приве­

 

 

дены

графики

зависимо­

 

 

сти

8T„(t„lxi),

рассчитан­

 

 

ные для нескольких зна­

Рис.

7-3. [Зависимость 57",, =

чений

интервала

преоб­

разования

K„t„. При этом

 

 

были приняты следующие

 

 

параметры

схемы:

Е —

 

 

= 20 в, U„ = 5 0 мв, Iр=

 

 

= 5 мка, Ci=100 пф, Сд= 2

пф.

Как видно из графиков,

для рассматриваемой схемной реализации относительно

малые погрешности

преобразования (67’П<2% ) могут

быть достигнуты при

W ti< l, т. е.

при коэффициенте

использования напряжения е ^ 0 ,6 ,

и при интервале пре­

образования КпД<Ю3 нсек. Тогда, если диапазон пре­ образуемых интервалов составляет 1— 1 0 нсек, Кп.макс^ЮО. При увеличении К„ до значения 103 по­ грешность возрастает в 3 раза.

Таким образом, получение больших коэффициентов преобразования в рассматриваемом типе ПМВ затруд­ нительно в связи с несовершенством систем статиче­ ского запоминания. Смещение функции преобразования (7-11) относительно нуля (Т„Ф 0 при £ц=0) может быть исключено введением в стартовый канал задержки

К числу факторов, определяющих разрешающую спо­ собность преобразователя, следует отнести; нестабиль­ ность начального уровня Uш относительно Дог, неста­ бильность ДС-параметров схемы, изменение чувстви­ тельности схемы сравнения U„, нестабильность коэффи-

157


Цйепта передачи расшнриФеля 7(Р, изменение обратного

тока диода

/р.

 

 

 

 

Влияние

первого

фактора

эквивалентно

некоторо­

му

изменению напряжения

питания Е на

величину

АЕ* = A Uo=AUoi—А Ног-

 

 

 

Тогда

 

 

 

 

 

ЬТи(Ш 0) = ^ - [ е ~ - l)(% - —

(7-13)

где

8Е* = АЕ*/Е.

 

 

 

 

Нетрудно показать,

что эта

нестабильность имеет ве­

личину порядка тысячных долей процента и ею можно пренебречь. Влияние нестабильности /?С-параметров можно найти из формулы (7-8)

бГп(Дт) = бт2—fin.

(7-14)

Поскольку эта погрешность не может быть кратко­ временной, ее нетрудно исключить калибровкой преоб­ разователя. То же самое относится к погрешности за счет нестабильности коэффициента передачи пикового расширителя 67’П(А/СР).

Нестабильность чувствительности

схемы сравнения

вносит погрешность

 

 

 

 

 

 

ЬТи(Ш а) =

^

^ ( е ~

- I ' jb U u .

(7-15)

Например, при Нп= 50

мв, Е = 2

в,

Wti = 0,1

и 6 НП=

— 20% 67% (Нп) =0,05%.

Однако

с

ростом коэффициен­

та использования напряжения эта величина возрастает.

Так, при tIt/n = 2 6Ta (AU„) =0,16%.

Рассмотрим влияние нестабильности тока /р:

 

87% (Д/р) =

- 1) 8 /р-

(7-16)

Эта составляющая пропорциональна коэффициенту преобразования и в связи с этим оказывает существен­ ное влияние на разрешающую способность. Для пара­ метров схемы преобразователя, погрешности, которого представлены на рис. 7-3 при tn/xi = l, 7СП=Ю0 и Ti = = 10 нсек, 50%-иое изменение тока /р (например, вслед­ ствие изменения температурных условий) вызовет по­ грешность 67'п(А/р) =0,2%; однако при 7СП=1 000 эта по-

158


грешность будет составлять уже 2%. Это еще раз ука­ зывает на трудности реализации в ПМВ со статическим запоминанием больших коэффициентов преобразования.

Формулы (7-9) — (7-14) позволяют проводить инже­ нерные расчеты при оценке погрешности и разрешающей способности рассматриваемого типа ПМВ.

Один из вариантов схемной реализации ПМВ со ста­ тическим запоминанием приведен в [Л. 130]. Упрощен­

ная

схема этого преобразователя приведена иа рис. 7-4.

В

ней использован

пиковый

 

расширитель с закрытым вхо­

 

дом,

собранный на диоде и кон­

 

денсаторе Ci, который являет­

 

ся

 

одновременно

элементом

 

одного из генераторов экспо­

 

ненциального

напряжения.

 

В

исходном

состоянии ключ

 

Kai

замкнут, Кл2 разомкнут.

 

Стартовый импульс размыкает

 

ключ Кли и конденсатор начи­

Рис. 7-4. Упрощенная схе­

нает

заряжаться по

экспонен­

ма ПМВ.

циальному закону с постоянной

времени X i=R Ci. По окончании измеряемого интервала замыкается ключ Кл2 и начинается заряд конденсатора С2. В момент времени, когда напряжение иа диоде, равное разности напряжений на конденсаторах Ci и С2, станет равным нулю, дискриминатор Д с вырабатывает импульс, который вместе со стартовым образует преобразованный интервал. Коэффициент преобразования рассмотренной схемы равен:

=

(7-17)

Приведенная на рис. 7-4 схема.по принципу действия не отличается от рассмотренной выше. Для нее также справедливы выведенные ранее соотношения, характе­ ризующие точность преобразования. Однако использова­ ние расширителя с закрытым входом имеет некоторые особенности. К их числу относится то, что коэффициент преобразования, как видно из выражения (7-17), опреде­ ляется только отношением емкостей конденсаторов Сi и С2, что позволяет повысить температурную стабиль­ ность работы преобразователя. Однако необходимая при калибровке подстройка коэффициента преобразования

159