Файл: Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 28.07.2024

Просмотров: 90

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

-

99

 

 

 

где / jnf = 400 -200

0

4

f

 

- время диэлектрической

релаксации

Tj в режиме

положительной проводимости:

 

 

 

7Ѵ =

 

 

L9)

 

^oje/p*

 

где ju = S-Q- ю* CMy'gc

 

 

 

время поолета домена'от катода до анода:

 

L

см

)

Т* ~

ІО1

 

Как видно иэ выражений (3/ я

19/

это неравен-

ство означает, что распад заряда при

Егюр происходит

намного быстрее, чем его рост

при В > Е пор * Из дина-'

мики цоменов легко понять іизический смысл указанного

выше критерия устойчивости см 2 - Если7^<^з

то электроны собираются анодом-до того как сформируется

домен. В таких условиях в МЭП-приборах имеет место толь

ко увеличение пространственного заряда. Условие образо­

вания доменов Tf.Z'Zy можно переписать в следующем

виде:

-

 

или

что дал образцов иэ

6W.S /7-типа приводит к -упомянутому

неравенству nJ >

-iQ*&

i ■

На рис.63 изображена качественная диаграмма,описы­

вающая' поведение іДЯП-приборов из

GaAs П -типа в зави­

симости от величины произведения

OaL -и напряженности

поля. Значение ( OaL\n примерно соответствует отношению / .Кривая Г ограничивает область возникновения доменов; кривая 2 определяет область существования до­

менов.



100 -

«1

2. УСИЛИТКЛИ СВЧ НА ПРОБОРАХ С МЕДДОЛЙННШ ПЕРЕНОСОМ ЗЛЕКТРОНОВ

В основе принципа действия усилителейна МЯП-при- борах лежит явление, экспоненциального увеличения прост­ ранственного ■заряда во времени в среде с отрипательңой

стационар­

Доменная форма

 

 

ное состой

 

 

ние с ОДП

 

неустоичибослш

 

Lnop

 

 

^ Е л о р

(п 0 L)

_______

 

 

 

 

ч

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(<~IQL)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

--- / - н З

 

 

 

 

 

 

 

— — — ' ‘°СМ

 

 

 

минимальное попе гашения

ю ю

10"

(rioL)t

 

Ю?4

юis

n0L,CM-£

Рис.63.

Качественная

диаграмма состояний

М~П-

 

 

приборов

ѵіз GoAs

 

 

л". [х£еренциальной подвижностью

электронов.М'ЧТ-прлбэры,

используемые в

усилителях С?Ч, в большинстве

случаев

имеют значение

OgL**

 

, так как

при HgL^^IO см2-

оказываются ограниченными величины выходкой мощности и

произведения.коэффициента усиления-на полосу , а при

n0L > 2 ' 'ЮІгы * Трудно обеспечить устойчивое усиление

C.16J.Различают два

класса усилителей с первеансом злек-

»

'

тронов:усилители с отрицательным сопротивлением и усили­ тели с бегущей волной объемного заряда.

Усилители с- отрицательным сопротивлением В усилителях этого тина стабильное, усиление полу-


-101 -

чается за счет отрицательного сопротивления ДЭП,смещен­

ных в область отрицательной дифференциальной подзихности

носителей заряда.

Диоды с электронным переносом, применяемые в усили­

телях с отрицательным сопротивлением, представляют собой

эпитаксиально

выраженный

легированный

/? -слой

Ga As ,

расположенный между

/7+-слоями с

низким удельным сопро­

тивлением

/см .рис.64). 'Величина

произведения концентра-

ции примеси на длину nL

превышает 5-10

у/ _ £

 

слл“(0на обычно

 

Рис.64Устройство диода с междо-

 

n ~ G aAs

 

 

r

 

 

 

■линным переносом

электронов.

O'GQ AS I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

n*-t>aA& 1

несколько

больше 10 *г смГг )

; величина

L

взбирается та­

ким образом, чтобы частота,

определяемая обратным вре­

менем пролета

носителей

 

см »располагалась

в поло­

се

пропускания

усилителя.

Например для диапазона

6-18ГГЦ

ДЗП

имеет

Z-=Q-12 мкм,

■для 4-8 ГГц

£.=15-20 мкм.

 

ДЭГі размещается, в соответствующем рабочему диапа­

зону ЗБ'І контуре ( волковод,резонатор,полосковая линия ) , jBMecTe с которым образует активный модуль усилителя с отрицательным сопротивлением. Принципиальная схема моду-г ля изображена на рис. 55 (цепи постоянного напряжения смещения не показаны/\ДЭП представлен параллельным соединением отрицательной активной проводимости б'-б^іи реактивной проводимости (J ßrf —JcüCj) »имеющей емкост­ ный характер, что соответствует состоянию с ОДП. СБЧкоктур характеризуется параллельными проводимостями


-102 -

иJ&K- Модуль включен на конце линии передачи с вол­ новой проводимост ьс Yo

Коэффициент усиления по мощности Ар , который мо­ жет быть получен в таком модуле.определяется отношением

Активныймодул±

Рис-65- Принципиальная схема модуля с МЗП-прйбооом.

отраженной мощности Pß^p к падающей Рпод на входе моду­ ля, то есть численно равен квадрату абсолютной величины коэффициента отражения в плоскости подключения, активно­ го модуля к линии:

U -J lâ in iL Ч г/ г

Рпад

Записывая выражение для абсолютной величины коэффициен­ та отражения в виде:

,YQ - Y&c

'Yo + Yëx ’

где Yg^ - входная проводимость активного модуля, и под­ ставляя , чтосоответствует состоянию ОДЕІ в ДЭД, получим:

Yo + G4-J ч л

^Р =

О Yn - Gd '

Величина отраженной'мощности превышает падающую; следо­ вательно, в активном модуле имеет место усиление СШ-ко-

- 103 -

баний.

Подводимая и отраженная мощности могут быть разделе нк либо с помощью циркулятора, либо.путем использования двух усилителей в балансной схеме. В циркуляторном усили теле (рис.об) усиливаемый сигнал поступает з плечо 1

циркулятора и. через плечо 2 - е л и н и ю , на конце которой расположен активный модуль. Усиленный отраженный сиг­ нал поступает в плечо 2 циркулятора и далее через пле­ чо 3- в нагрузку. На. рис.5? изображен балансный стабиль-

 

 

циркулятор

Рис.65Циркуляторный

дх I /

«3 Вых

 

 

усилитель.

 

 

 

 

АктиЬныи

 

 

 

модуль

Шелебой

Рис.б?- балансный

 

 

 

 

 

 

/мост

усилитель.

Вх.

аБ

90/

Вых^

 

 

аБ

90°

 

 

 

I

 

 

 

 

Актибнш

 

модуль

ный усилитель с отрицательным сопротивлением,, г котором разделение входного сигнала и суммирование мощностей, отраженных отд^ькыми модуляторами,осуществляется с по­ мощью лелевогэ моста.