Файл: Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 28.07.2024
Просмотров: 90
Скачиваний: 0
- |
99 |
|
|
|
|
где / jnf = 400 -200 |
0 |
4 |
f |
|
|
- время диэлектрической |
релаксации |
Tj в режиме |
|||
положительной проводимости: |
|
|
|
||
7Ѵ = |
|
|
L9) |
||
|
^oje/p* |
|
|||
где ju = S-Q- ю* CMy'gc |
|
|
|
||
—время поолета домена'от катода до анода: |
|||||
|
L |
см |
(Ю ) |
||
Т* ~ |
ІО1 |
||||
|
|||||
Как видно иэ выражений (3/ я |
19/ |
это неравен- |
|||
ство означает, что распад заряда при |
Егюр происходит |
||||
намного быстрее, чем его рост |
при В > Е пор * Из дина-' |
мики цоменов легко понять іизический смысл указанного
выше критерия устойчивости см 2 - Если7^<^з
то электроны собираются анодом-до того как сформируется
домен. В таких условиях в МЭП-приборах имеет место толь
ко увеличение пространственного заряда. Условие образо
вания доменов Tf.Z'Zy можно переписать в следующем
виде: |
- |
|
или |
что дал образцов иэ |
6W.S /7-типа приводит к -упомянутому |
неравенству nJ > |
-iQ*& |
i ■
На рис.63 изображена качественная диаграмма,описы
вающая' поведение іДЯП-приборов из |
GaAs П -типа в зави |
симости от величины произведения |
OaL -и напряженности |
поля. Значение ( OaL\n примерно соответствует отношению / .Кривая Г ограничивает область возникновения доменов; кривая 2 определяет область существования до
менов.
100 -
«1
2. УСИЛИТКЛИ СВЧ НА ПРОБОРАХ С МЕДДОЛЙННШ ПЕРЕНОСОМ ЗЛЕКТРОНОВ
В основе принципа действия усилителейна МЯП-при- борах лежит явление, экспоненциального увеличения прост ранственного ■заряда во времени в среде с отрипательңой
стационар |
Доменная форма |
|
|
|||||
ное состой |
|
|
||||||
ние с ОДП |
|
неустоичибослш |
|
|||||
Lnop |
|
|
^ Е л о р |
(п 0 L) |
_______ |
|
|
|
|
|
ч |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(<~IQL) |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
— |
--- / - /ң н З |
|
|
|
|
|
|
|
— — — ' ‘°СМ |
|
|
|
|
минимальное попе гашения |
|||||
ю ю |
10" |
(rioL)t |
|
/О/з |
Ю?4 |
юis |
n0L,CM-£ |
|
Рис.63. |
Качественная |
диаграмма состояний |
М~П- |
|||||
|
|
приборов |
ѵіз GoAs |
|
|
|||
л". [х£еренциальной подвижностью |
электронов.М'ЧТ-прлбэры, |
|||||||
используемые в |
усилителях С?Ч, в большинстве |
случаев |
||||||
имеют значение |
OgL** |
|
, так как |
при HgL^^IO см2- |
оказываются ограниченными величины выходкой мощности и
произведения.коэффициента усиления-на полосу , а при
n0L > 2 ' 'ЮІгы * Трудно обеспечить устойчивое усиление
C.16J.Различают два |
класса усилителей с первеансом злек- |
» |
' |
тронов:усилители с отрицательным сопротивлением и усили тели с бегущей волной объемного заряда.
Усилители с- отрицательным сопротивлением В усилителях этого тина стабильное, усиление полу-
-101 -
чается за счет отрицательного сопротивления ДЭП,смещен
ных в область отрицательной дифференциальной подзихности
носителей заряда.
Диоды с электронным переносом, применяемые в усили
телях с отрицательным сопротивлением, представляют собой
эпитаксиально |
выраженный |
легированный |
/? -слой |
Ga As , |
||||||
расположенный между |
/7+-слоями с |
низким удельным сопро |
||||||||
тивлением |
/см .рис.64). 'Величина |
произведения концентра- |
||||||||
ции примеси на длину nL |
превышает 5-10 |
у/ _ £ |
|
|||||||
слл“(0на обычно |
||||||||||
|
Рис.64Устройство диода с междо- |
|
n ~ G aAs |
|||||||
|
|
r |
|
|||||||
|
|
■линным переносом |
электронов. |
O'GQ AS I |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
n*-t>aA& 1 |
|
несколько |
больше 10 *г смГг ) |
; величина |
L |
взбирается та |
||||||
ким образом, чтобы частота, |
определяемая обратным вре |
|||||||||
менем пролета |
носителей |
|
см »располагалась |
в поло |
||||||
се |
пропускания |
усилителя. |
Например для диапазона |
6-18ГГЦ |
||||||
ДЗП |
имеет |
Z-=Q-12 мкм, |
■для 4-8 ГГц |
£.=15-20 мкм. |
||||||
|
ДЭГі размещается, в соответствующем рабочему диапа |
зону ЗБ'І контуре ( волковод,резонатор,полосковая линия ) , jBMecTe с которым образует активный модуль усилителя с отрицательным сопротивлением. Принципиальная схема моду-г ля изображена на рис. 55 (цепи постоянного напряжения смещения не показаны/\ДЭП представлен параллельным соединением отрицательной активной проводимости б'-б^іи реактивной проводимости (J ßrf —JcüCj) »имеющей емкост ный характер, что соответствует состоянию с ОДП. СБЧкоктур характеризуется параллельными проводимостями
-102 -
иJ&K- Модуль включен на конце линии передачи с вол новой проводимост ьс Yo •
Коэффициент усиления по мощности Ар , который мо жет быть получен в таком модуле.определяется отношением
Активныймодул±
Рис-65- Принципиальная схема модуля с МЗП-прйбооом.
отраженной мощности Pß^p к падающей Рпод на входе моду ля, то есть численно равен квадрату абсолютной величины коэффициента отражения в плоскости подключения, активно го модуля к линии:
U -J lâ in iL Ч г/ г
Рпад
Записывая выражение для абсолютной величины коэффициен та отражения в виде:
,YQ - Y&c
'Yo + Yëx ’
где Yg^ - входная проводимость активного модуля, и под ставляя , чтосоответствует состоянию ОДЕІ в ДЭД, получим:
Yo + G4-J ч л
^Р =
О Yn - Gd '
Величина отраженной'мощности превышает падающую; следо вательно, в активном модуле имеет место усиление СШ-ко-
- 103 -
баний.
Подводимая и отраженная мощности могут быть разделе нк либо с помощью циркулятора, либо.путем использования двух усилителей в балансной схеме. В циркуляторном усили теле (рис.об) усиливаемый сигнал поступает з плечо 1
циркулятора и. через плечо 2 - е л и н и ю , на конце которой расположен активный модуль. Усиленный отраженный сиг нал поступает в плечо 2 циркулятора и далее через пле чо 3- в нагрузку. На. рис.5? изображен балансный стабиль-
|
|
циркулятор |
Рис.65Циркуляторный |
дх I / |
«3 Вых |
|
|
|
усилитель. |
|
|
|
|
АктиЬныи |
|
|
|
|
модуль |
Шелебой |
|
Рис.б?- балансный |
|
|
|
|
|
|
|
/мост |
|
усилитель. |
Вх. |
'ЗаБ |
90/ |
Вых^ |
|
|
-ЗаБ |
90° |
|
|
|
I |
|
|
|
|
Актибнш |
|
модуль
ный усилитель с отрицательным сопротивлением,, г котором разделение входного сигнала и суммирование мощностей, отраженных отд^ькыми модуляторами,осуществляется с по мощью лелевогэ моста.