Файл: Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 28.07.2024

Просмотров: 91

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

- 104 -

Стабильное усиление в рассматриваемых усилителях может быть обеспечено в двух режимах.При использовании ДЭП, для которых произведение flL<2 ' іОігсм‘г.устойчи­ вая отрицательная проводимость имеет место только в том случае, когда напряжение смещения очень незначи­ тельно (единицы процентов) превышает пороговое значе­ ние. Интервал отклонения напряжения смещения от Unop

стремится в нулю при увеличении ПІ. до 2 -10^* -а .Такие усилители характеризуются очень малой выходной мощно­ стью а узкой полосой пропускания вблизи пролетной час­ тоты .диода.

• Другой режим усиления, более -эффективный, может быть обеспечен в усилителях, когда для используемых в аих ДВП величина произведения концентрации легирующей примеси на длину находится в пределах 1- 2 -1 0 см'2 , а величина постоянного напряжения смещения обычно в 2 -4

раза превышает пороговое напряжение. В таком режиме устойчивая отрицательная проводимость ДОП может быть обеспечена в очень широком диапазоне частот £17].

На рис. 68 изображена вольтамперная характеристика

- 105 -

 

ДЭП с n L *>1 ,5 • 10 4г-смг . ыа которой

отмечены области

устойчивого усиления,соответствующие

обоим режимам.

Основные параметры однокаскадных усилителей,работающих

при напряжениях смещения, в несколько раз

превышающих • ’

пороговое напряжение,приведены в табл .4 .

 

 

Усилители с бегущей волной объемного

варяда

_ .

Усилители бегущей волны обеспечивают однонаправлен­ ное усиление без применения циркуляторов или ферритовых вентилей. Принцип действия их основан на том, что если в ДОП, находящемся в устойчивом состоянии с ОДП, какимлибо образом изменять плотность объемного заряда у като­ да, то в диоде возникает -экспоненциально нарастающая волна пространственного заряда, распространяющаяся в сторону анода (ри с .69).

Рис.бЭ-. Волна пространственного заряда в МЭП-приборе.

Принципиальная схема усилителя бегущей волны изоб­ ражена на рис.70 .. Усилитель состоит из трех областей: в области 1 »являющейся входнш элементом свя8и,колеба-


105

. Таблица <!

а

£

 

3

g

3

 

cu

CO

.E-*

32

CO

s

s

<D

cu

CL

H.

0)

о

О

о

<u

e

5

o>

0)

к

a

H

s

Э5

ti

s

О

о

>>

OQ

X

2

a,

2J

a>

32

CL

rf

r~*

aS

Js;

X

о

cq

Ш

ts

s

о

&

Ш

X

d

23

0)

4

CL

X

H

s

GJ

£H .

s

O

2

a.

Сц

x

CO

о

i— ;

о

a>r

—>сCC ЕГ CDS ~ c- ГЦX >>

0J <1)О S 4 0 о s Ң C.Ü о PC >>x

•s

 

X

 

 

 

 

X

 

 

 

 

SQ) M

 

 

0,64 «

 

 

C XCQ

 

 

 

CL'

 

 

п: •о а о;

64

(В Ь J S

K o s

i m

СГО'С'Ш '

О E > y < 4

 

Й

- ®

S

 

Л

О

О

О

'

ШЕХ>)

 

£«

о

о

о

со

г~со

со

00

со

СО

ю

ю

С\Г

N

N

 

 

 

1

 

ю

 

I

 

to

 

LO

 

O'

о

о

 

 

I

шJQ S

(D «■»

1

с:о>s X

CD сѵ с о ■ СО

s Я

Д * К

 

S XC-Ü

 

SCU’Ö 'C U

ох > ^ » = г

X03 О S

( С В О И

г з га и > » .

 

z S

 

 

£

о

О

1

 

 

 

о

оOl

N

-

1

 

О

 

 

X C Q

 

с о

т~~*

!

 

ш й

р

1

 

1

.

I

о

X

L~

ю

ю

о

°

 

О

И

*

 

I

 

с

; о *

с _

**

сѵ

•»

 

О

Qu

 

 

 

о о

!

 

с

> »

 

 

 

 

 

!

 


*

- 107 - ■гия СЗЧ, подводимые к усилителю, возбуждают в ДЭП коле­

бания плотности объемного заряда; область 2 представ­ ляет собой среду с ОДД^где происхода усиление распро­ страняющейся волны пространственного заряда; область 3- выходное устройство связи, в котором усиленная Еолна возбуждает СВЧ-колебания в выходной линии.

в

обмI обп. 2

входСВЧI МЭЛ-диод ВыходСВЧ

Рис.70. Принципиальная схема усилителя бегущей волны.

В усилителях с бегущей волной с целью увеличения усиления обычно используются ДЭП,длина которых L равна нескольким длинам волн пространственного заряда б полупроводникё. Однако с увеличением размера L увеличивает­ ся параметр ПІ~ и облегчаются условия формирования до­ менов. Образование доменов в усилителе недопустимо,тал как ограничивает нарастание сигнала и может привести к самовозбуждению усилителя на пролетной частоте.

Для обеспечения устойчивого усиления наружная по­ верхность полупроводника в ДЭП покрывается пленкой ди- • электрика с очень высокой диэлектрической проницаемостью

(такого как титанат бария ВоѴ 03 , имеющего £■=. 12000 ) . Применение пленки диэлектрика.предотвращает возможность

'108 -

формирования доменов и самовозбуждения усилителя £14] . Рассмотрим примеры практического осуществления СВЧ-

усилителей с бегущей волной пространственного заряда. На рис.71 изображена схема импульсного усилителя

Рис. 71-

Принципиальні

 

схема

импульсного

 

усилителя бегущей

 

волны.

Вх£ЬЧП & Ъ о *

1 ВЫХ.СВЧ

 

 

L

 

на ДЭП Hs П-GaAi.. ДЭП, длина которого L=300 мкм, с по­

мощью омических контактов и разделительных

емкостей

включен в несимметричную-полосковую линию с волновым сопротивлением 50 Ом. Боковая поверхность полупроводни­ ковой пластинки покрыта пленкой титаната бария для обес­ печения устойчивого усиления. Рабочее напряжение (260BJ,

подводимое через дроссели Лр к омическим контактам, обеспечивает в полупроводнике состояние ОЦП.

Максимальная выходная мощность 100 мВт.Частотная

характеристика усилителя

приведена

на ри с.72. Максималь­

ное значение коэффициента усиления составляет 30 дБ при

оптимальном сопротивлении

нагрузки;

при согласованной

нагрузке (50 Ом) усиление составляет

около 15 дБ. Рабо­

чая полоса частот 1-4 ГГц. Величина потерь в обратном

направлении во всей полосе частот больше 20 дБ.

Усилитель с бегущей волной трехсантиметрового диа-

пазона, предназначенный для работы в

непрерывном режиме,

изображен на ри с.73 . Усилитель

имеет

планарную конструк­

цию, обеспечивающую достаточно

хороший теплоотвод.


- 109

Рис.72. Частотная характеристика МЭП-усилитедя: 1-оптимальная нагрузка; 2-нагрузка 50 0ы.

Рабочее напряжение 50 В, предполагаемое усиление 20 дБ

при выходной мощности несколько милливатт.

*

и.

 

■f1

 

 

вх.евч

)

3/ 0 р.

Г"

а ш ,с т

■»

■I Iл

 

^-'4/3'.. 1..

 

т/ш і ssssш т ш ^т т т яш я

 

я -

GQ As

/////////ТТЛ77777777777777,77777777777 too MKM

Рис. 73. Усилитель с бегущей'волной плашрной конструкции.

В заключение необходимо отметить важңую особенность

усилителей с бегущей волной пространственного заряд§.


- по -

Так как в этих усилителях передача сигнала от входа к выходу происходит со скоростью дрейфа объемного заряда, то величина фазового сдвига сигнала на выходе обратно пропорциональна скорости носителей заряда. Таким обра­ зом, усилители с бегущей волной пространственного за­ ряда могут использоваться как линии задержки с электрон­ ной перестройкой_или фазовращатели с усилением. Регули­ ровка величины задержки или фазы выходного сигнала дос­ тигается изменением рабочего напряжения.

3.АВТОГЕНЕРАТОРЫ КОЛЕБАНИЙ СВЧ НА ПРИБОРАХ

аС МЕЖДОЛИННЫМ ПЕРЕНОСОМ ЭЛЕКТРОНОВ

Современные автогенераторы на основе переноса электронов могут генерировать частоты до 100 ГГц и характеризуются [18*] наибольшей выходной мощностью среди твердотельных приборов СВЧ-диапазона ( 6 кВт в да.диапазоне). Важными достоинствами этих генераторов являются также широкий диапазон механической перестрой­ ки (4-12ГГц) и весьма низкий уровень AM- и 4Mшумов.

Для получения незатухающих колебаний в диапазоне 1-90 ГГц используются МЗП-приборы на основе n - GaAs t

выращенные с помощью эпитаксиальной технологии. Гене­ раторы конструируются в коаксиальном,волноводном,полос­ ковом и микрополоскоБом вариантах.

Эквивалентная схема автогенератора с МЭІГ-

прибороы

о

Автогенератор СВЧ-колебаний с междолиыным первеансом схематически изображен на рис. 74 . МЭП-прибор

- in

размещается внутри резонатора - в области,где электри­ ческое высокочастотное поле имеет максимальную напря­ женность. При напряжении смещения,превышающем UПОр»в ДЭП возникает отрицательная дифференциальная проводи­ мость, обеспечивающая при определенных условиях само­ возбуждение генератора.

 

 

 

Ар

Резонатор

 

 

P-Jгѵѵуч

C(f

/

Р ис.74-

Автогенератор с

I

 

Вш.СВУ

и

 

 

 

междолинным перено­

 

 

 

сом

электронов.

d

C

#

~

 

 

 

/ .

нэп-диод

 

 

настроит

 

 

На рис.75 изображена эквивалентная схема автоге­ нератора, соответствующая состоянию с ОДП. Полная про­ водимость Д°П имеет комплексный характер 93^+уД/ при­ чем в широком диапазоне частбт активная составляющая

Ом

 

 

_ Л

 

Рис.75. Гквивалентная схема

автогенератора.

проводимость' отрицательна

(~ Gy ) ,

а реактивная

имеет

емкостный характер

«Резонатор на эквивалентной

схеме представлен комплектной проводимостью

»

а связанная с ним внешняя цепь-активной проводимостью (^.Условие самовозбуждения колебаний в схеме имеет вид