Файл: Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 28.07.2024

Просмотров: 98

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

- 33 - только накопленный заряд возвращается,ток почти, мгно­

венно спадает до куля, вызывая.резкое восстановление

сопротивления диода.

чюрма тока переходного процесса в данном типе вара­

кторных диодов резко нееинусоидальная, с широким спек­

тром гармоник,

амплитуды.' которых убывают

очень медленно.

Диоды с ре|к;ш

восстановлением позволяют

получить много­

кратное умножение частоты с

высоким к .п .д . без примене­

ния дополнительных контуров

на "холостые"

гармоники.

Экспериментально получено десятикратное умножение часто­ ты- с к .п .д . .равным 2.0%.

Однако крутые пробили распределения примесей и уз­

кие переходы, необходимые .для полного я быстрого возвра­

щения инжектированного заряда, а таких диодах обязатель­

но приводят к уменьшению пробивного напряжения и макси­ мальной еыходыой- мощности.

Диоды с резким восстановлёнием используются в тех

случаях, когда нужна зысокая степень умножения /Т>>,8 и

не ставится условия получения максимальной выходной мощ­

ности.

/

3.

ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ СВЧ

Еольтампэрная характеристика

Туннельный диод(ТД ).- это полупроводниковый прибор

с резким р -передодом,обладающий отрицательной прово­

димостью в широком интервале частот

( О $ OJ £ си

,

где LOцр составляет десятки гигагерц.

Отрицательная про­

водимость в ТД имеет место е режимах.соответствующею па­ дающему участку зольтамперной характеристики диода


- 34 -

(см .рис.24), и обусловлена туннельным эрѣёктом в области

диагэамм. соответствующих основным участкам Еодьтампер— ной характеристики и обозначенных цифрами в кружках.

Первый участок соответствует обратному напряжению смещения, ори котором ТД з отличие от обычных диодов обладает низким сопротивлением, обусловленным большой величиной обратного туннельного тока. При U ^ ток через диод отсутствует, так как против заполненных энергети­ ческих состояний с одной стороны барьера ( п -область )

нет свободных уровней на другой его стороне ер-область).

 

С увеличением прямого напряжения смещения появляет­

ся

и растет прямой туннельный ток. Электроны из зоны

проводимости

Л-области туннелируят кь свободные уровни

валентной зоны

в

р - область. Пси UCM~ Un ток туннелиро­

вания достигает

максимального' значения Тп и при дальней­

шем

увеличении напряжения начинает уменьшаться, так как

в

п -области уменьшается числа заполненных уровней,

соответствующих свободным энергетическим

состояниям

Р -области. Интелеад значений U п ^ U rj^

U

си’отзет-

стзует существованию в диоде отрицательного

сопротивле-

 

? режиме

ОГч ± U0 увеличение напряжения смещения

 

а сопроео:

дѳтся увеличение« тока черев диод. При

бОЛоШПХ полой

іедьПых напряжениях высота

потенциального

ГЧ ГЗ ^1 ^ ст

'1СТОЛЬКО,ЧТО становится ВОЗМОЖНЫМ

переход елекхрочо:

из зоны проеоцимоотн л-области з

сону пооаодимостх

о -обласги.

Устройство и эквивалентная схема

Туннельные ■дооды CD4 изготовляются из германия,


арсенида галлия и аытимонидВ' галлия. Одна из современ­ ных конструкций ТД изображена на рис-25 . Емкость кор-

Рис-£6. Типичная конструкция туннельного диода в керамическом корпусе,

б-увйличенное изображение перехода.

пуса у большинства ТД С34 находится в пределах Ск- 03-оупф

Она может быть уменьшена путем увеличения высоты ди - электрического цилиндра, однако при атом увеличивается индуктивность вывода диода. Существенное уменьшение и С удается получить при изготовлении бескорпусных ТД

по планарной технологии f 4] .

 

 

 

Эквивалентная схема ТД (рис.27)

содержит следующие

элементы: /^-сопротивление перехода;

Qп - емкость

пе­

рехода; Rs - сопротивление потерь в полупроводнике

и вы­

водах; Lg- ■индуктивность вывода. Емкость

корпуса не вкли­

нена з эквивалентную схему.так .как при

использовании

Рис... 27. Эквивалентная схема ТД.

- 3 7 -

диода в схеме может быть учтена в элементах согласую­ щих цепей. Зависимость входного сопротивления эквива­

лентной схемы от частоты,рассчитанная

по выражению

,

л

Rп_

I ' / / \ I п

^ ^’п

\

^ П П2пг

 

 

1+и>гС?-п R*

J +<>( U

 

 

ппиведена не

оис. СЗ .

 

 

 

Рис.23. Зависи­ мость входного.соп­ ротивления ІД от частоты.

Наиболее важные параметры

R - диріеренциальное сопротивление перехода.

Этот параметр определяет вид вольтамперной хзрактеристи

ки диода и может быть рассчитан

по формуле

р

....

dU

р

 

■ Л п ~

с / І ■

*

'

Обычно ТД используются

в' режимах,

когда $ п отрицатель­

но.

 

 

 

 

R0 - минимальное значение отрицательного сопротив­

ления, -соответствующее точке перегиба вольтамперной характеоистики на.падающем участке.Приближенно

R Д

4 Й - .

-

«

Х я

 


-

38 -

 

 

где U„ и I,, -на толкание

л ток,

соответствующие пику

*

 

'ост-

4 т

Больтамперной характеристика.

 

 

солр - предельная резистивная

частота.ню

значение

круговой частоты, при котором активная составляющая входного сопротивления ТД обращается з нуль(см.рис.23). Предельная частота характеризует частотные свойства

диода

и рассчитывается

по формуле

 

 

 

 

 

 

 

 

Ю2- -

 

*

- (ßk

_

і )

 

 

 

 

 

 

по

 

 

в <■С..

 

' ‘

 

 

 

 

 

 

 

<%Cf 4 *5

 

 

 

При

 

 

актив ноэ входное

сопротивление

диода пслеігл-

тельно,

а

генерация и усиление

казоамозлы.

 

« JQ -

резонансная частота,

да

которой реактивная сос­

тавляющая

входного сопротивления диода обращается в нуль

 

 

 

 

4 , =

/

 

,■ ,

 

£*?

 

 

 

 

 

 

■іСп е

-

т

 

 

Стноозаяз

а о /. 1 является

задним

к'пгсегпем пои

опоэце-

 

 

 

 

/ '■і-па

 

 

 

 

 

 

 

 

.12НИИ устойчивости усилителей на Тп.

 

 

т*

і

 

У 'Нел ьндб ток. '’тот

параметр наиболее

полно

’"п,Сг,~

д :?алтеейзуат качество

ТД з

генераторном

пенимо. Чем

бсдьтз _Lf,,

тем большую мощность

способен

отдать диод,

а чем меньше

СП , тем

выше предельная частота

генепарны.

Области применения.

Туннельные диоды могут быть исгтользозопх для гене­ рирования, усиления и преобразования частоты колебаний' СБ'-І. Однако в настоящее время они находят основное при­

менение б качестве широкополосных входные-: усилителей

а

дециметровых и сантиметровых волн в диапазоне 0,75 - - 20,0 ГГц.


- 39 -

Обычно ТД используются с циркуляторами в усили­ телях отражательного типа(рис.2Д) .Величина коэффициента

Рис.23. Принципиальная-схема усилителя отражатэль-

• ного типа на 7Л.

усиления по напряжению в таком усилителе определяется величиной коэффициента отражения в плоскости подключе­

ния

ТД и может быть рассчитана для рег-онаксной частоты

по

формуле

)о + Ьл

 

 

 

м .

— ------ >

 

Y0 ~ Go.

 

 

где

Yo~ проводимость линии;

Q = -Y -отрицательная про-

зодимэсть диода.

 

 

 

Для обеспечения устойчивого усиления в усилителях

на ТД в широкой полосе частот

треоуются более, сложные

схемы, содержание пятиплечке циркуляторы, стабилизирую­ щие к согласующие цепи [ 2 ] .

Основным недостатком, ограничивающим применение ТД

б усилителе СВЧ, является очень малый уровень входной модности, приводящей к насыщению и перегрузке диодов. Максимально допустимая величина мощности входного сиг­ нала составляет - 50 -ь - 40 дБ/мБт.