Файл: Балябин А.Н. Твердотельные приборы СВЧ учеб. пособие.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 28.07.2024
Просмотров: 98
Скачиваний: 0
- 33 - только накопленный заряд возвращается,ток почти, мгно
венно спадает до куля, вызывая.резкое восстановление
сопротивления диода.
чюрма тока переходного процесса в данном типе вара
кторных диодов резко нееинусоидальная, с широким спек
тром гармоник, |
амплитуды.' которых убывают |
очень медленно. |
|
Диоды с ре|к;ш |
восстановлением позволяют |
получить много |
|
кратное умножение частоты с |
высоким к .п .д . без примене |
||
ния дополнительных контуров |
на "холостые" |
гармоники. |
Экспериментально получено десятикратное умножение часто ты- с к .п .д . .равным 2.0%.
Однако крутые пробили распределения примесей и уз
кие переходы, необходимые .для полного я быстрого возвра
щения инжектированного заряда, а таких диодах обязатель
но приводят к уменьшению пробивного напряжения и макси мальной еыходыой- мощности.
Диоды с резким восстановлёнием используются в тех
случаях, когда нужна зысокая степень умножения /Т>>,8 и
не ставится условия получения максимальной выходной мощ
ности. |
/ |
3. |
ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ СВЧ |
Еольтампэрная характеристика
Туннельный диод(ТД ).- это полупроводниковый прибор
с резким р -П -передодом,обладающий отрицательной прово
димостью в широком интервале частот |
( О $ OJ £ си |
, |
где LOцр составляет десятки гигагерц. |
Отрицательная про |
водимость в ТД имеет место е режимах.соответствующею па дающему участку зольтамперной характеристики диода
- 34 -
(см .рис.24), и обусловлена туннельным эрѣёктом в области
диагэамм. соответствующих основным участкам Еодьтампер— ной характеристики и обозначенных цифрами в кружках.
Первый участок соответствует обратному напряжению смещения, ори котором ТД з отличие от обычных диодов обладает низким сопротивлением, обусловленным большой величиной обратного туннельного тока. При U ^ ток через диод отсутствует, так как против заполненных энергети ческих состояний с одной стороны барьера ( п -область )
нет свободных уровней на другой его стороне ер-область).
|
С увеличением прямого напряжения смещения появляет |
||||
ся |
и растет прямой туннельный ток. Электроны из зоны |
||||
проводимости |
Л-области туннелируят кь свободные уровни |
||||
валентной зоны |
в |
р - область. Пси UCM~ Un ток туннелиро |
|||
вания достигает |
максимального' значения Тп и при дальней |
||||
шем |
увеличении напряжения начинает уменьшаться, так как |
||||
в |
п -области уменьшается числа заполненных уровней, |
||||
соответствующих свободным энергетическим |
состояниям |
||||
Р -области. Интелеад значений U п ^ U rj^ |
U |
си’отзет- |
|||
стзует существованию в диоде отрицательного |
сопротивле- |
||||
|
? режиме |
ОГч ± U0 увеличение напряжения смещения |
|||
|
а сопроео: |
дѳтся увеличение« тока черев диод. При |
|||
бОЛоШПХ полой |
іедьПых напряжениях высота |
потенциального |
ГЧ ГЗ ^1 ^ ст |
'1СТОЛЬКО,ЧТО становится ВОЗМОЖНЫМ |
переход елекхрочо: |
из зоны проеоцимоотн л-области з |
сону пооаодимостх |
о -обласги. |
Устройство и эквивалентная схема
Туннельные ■дооды CD4 изготовляются из германия,
арсенида галлия и аытимонидВ' галлия. Одна из современ ных конструкций ТД изображена на рис-25 . Емкость кор-
Рис-£6. Типичная конструкция туннельного диода в керамическом корпусе,
б-увйличенное изображение перехода.
пуса у большинства ТД С34 находится в пределах Ск- 03-оупф
Она может быть уменьшена путем увеличения высоты ди - электрического цилиндра, однако при атом увеличивается индуктивность вывода диода. Существенное уменьшение и С удается получить при изготовлении бескорпусных ТД
по планарной технологии f 4] . |
|
|
|
Эквивалентная схема ТД (рис.27) |
содержит следующие |
||
элементы: /^-сопротивление перехода; |
Qп - емкость |
пе |
|
рехода; Rs - сопротивление потерь в полупроводнике |
и вы |
||
водах; Lg- ■индуктивность вывода. Емкость |
корпуса не вкли |
||
нена з эквивалентную схему.так .как при |
использовании |
Рис... 27. Эквивалентная схема ТД.
- 3 7 -
диода в схеме может быть учтена в элементах согласую щих цепей. Зависимость входного сопротивления эквива
лентной схемы от частоты,рассчитанная |
по выражению |
||||
, |
л |
Rп_ |
I ' / / \ I п |
^ ^’п |
\ |
^ П П2пг |
|||||
|
|
1+и>гС?-п R*'П |
J +<>( U |
|
|
ппиведена не |
оис. СЗ . |
|
|
|
Рис.23. Зависи мость входного.соп ротивления ІД от частоты.
Наиболее важные параметры
R - диріеренциальное сопротивление перехода.
Этот параметр определяет вид вольтамперной хзрактеристи
ки диода и может быть рассчитан |
по формуле |
|||
р |
.... |
dU |
р |
|
■ Л п ~ |
с / І ■ |
* |
' |
|
Обычно ТД используются |
в' режимах, |
когда $ п отрицатель |
||
но. |
|
|
|
|
R0 - минимальное значение отрицательного сопротив
ления, -соответствующее точке перегиба вольтамперной характеоистики на.падающем участке.Приближенно
R Д |
4 Й - . |
- |
« |
Х я |
|
- |
38 - |
|
|
где U„ и I,, -на толкание |
л ток, |
соответствующие пику |
|
* |
|
'ост- |
4 т |
Больтамперной характеристика. |
|
|
|
солр - предельная резистивная |
частота.ню |
значение |
круговой частоты, при котором активная составляющая входного сопротивления ТД обращается з нуль(см.рис.23). Предельная частота характеризует частотные свойства
диода |
и рассчитывается |
по формуле |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
Ю2- - |
|
* |
- (ßk |
_ |
і ) |
|
|
|
|
|
|
|
по |
|
|
в <■С.. |
|
' ‘ |
|
|
|
|
|
|
|
|
<%Cf 4 *5 |
|
|
|
||||
При |
|
|
актив ноэ входное |
сопротивление |
диода пслеігл- |
|||||||
тельно, |
а |
генерация и усиление |
казоамозлы. |
|
||||||||
« JQ - |
резонансная частота, |
да |
которой реактивная сос |
|||||||||
тавляющая |
входного сопротивления диода обращается в нуль |
|||||||||||
|
|
|
|
4 , = |
/ |
|
,■ , |
|
£*? |
|
|
|
|
|
|
|
■іСп е |
- |
т |
|
|
||||
Стноозаяз |
а о /. 1 является |
задним |
к'пгсегпем пои |
опоэце- |
||||||||
|
|
|
|
/ '■і-па |
|
|
|
|
|
|
|
|
.12НИИ устойчивости усилителей на Тп. |
|
|
||||||||||
т* |
і |
|
У 'Нел ьндб ток. '’тот |
параметр наиболее |
полно |
|||||||
’"п,Сг,~ |
||||||||||||
д :?алтеейзуат качество |
ТД з |
генераторном |
пенимо. Чем |
|||||||||
бсдьтз _Lf,, |
тем большую мощность |
способен |
отдать диод, |
|||||||||
а чем меньше |
СП , тем |
выше предельная частота |
генепарны. |
Области применения.
Туннельные диоды могут быть исгтользозопх для гене рирования, усиления и преобразования частоты колебаний' СБ'-І. Однако в настоящее время они находят основное при
менение б качестве широкополосных входные-: усилителей
а
дециметровых и сантиметровых волн в диапазоне 0,75 - - 20,0 ГГц.
- 39 -
Обычно ТД используются с циркуляторами в усили телях отражательного типа(рис.2Д) .Величина коэффициента
Рис.23. Принципиальная-схема усилителя отражатэль-
• ного типа на 7Л.
усиления по напряжению в таком усилителе определяется величиной коэффициента отражения в плоскости подключе
ния |
ТД и может быть рассчитана для рег-онаксной частоты |
||
по |
формуле |
)о + Ьл |
|
|
|
||
|
м . |
— ------ > |
|
|
Y0 ~ Go. |
||
|
|
||
где |
Yo~ проводимость линии; |
Q = -Y -отрицательная про- |
|
зодимэсть диода. |
|
|
|
|
Для обеспечения устойчивого усиления в усилителях |
||
на ТД в широкой полосе частот |
треоуются более, сложные |
схемы, содержание пятиплечке циркуляторы, стабилизирую щие к согласующие цепи [ 2 ] .
Основным недостатком, ограничивающим применение ТД
б усилителе СВЧ, является очень малый уровень входной модности, приводящей к насыщению и перегрузке диодов. Максимально допустимая величина мощности входного сиг нала составляет - 50 -ь - 40 дБ/мБт.