Файл: Ульянов О.И. Инженерные методы расчета ламповых и транзисторных схем.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 30.07.2024

Просмотров: 140

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

1

Рис. 30.

Схема

Рис. 31. Эквивалентная схема усили­

 

усилителя

к

теля, рассматриваемая в канонической

 

примеру

1—4.

системе контуров.

Итак, искомый коэффициент передачи тока определяется соот­ ношением

 

А 13

 

Даа

Ди

 

 

гк ( г б + гт ) - ( г б +

г к +

ßpc ) ( r m - r , )

 

( r 6 + r K + / ? o c ) ( г э + r K — r m +

) + r K ( r m ~

)

Заключение по методу

 

Метод эквивалентных схем позволяет ламповые

и транзи­

сторные цепи приводить к эквивалентным схемам,

состоящим

из двухполюсных пассивных элементов и активных (зависи­ мых) источников, и затем рассчитывать их на основе элементар­ ного аппарата классической теории электрических схем. В случае простых электронных цепей с помощью данного метода легко производится расчет как по постоянному току, так и по переменному.

Благодаря своей простоте и наглядности, возможности рас­ считывать электронные цепи на основе простейших методов, известных из теоретических основ электротехники, метод экви­ валентных схем получил широкое распространение. Примене­ ние матричного аппарата позволяет значительно упростить и ускорить расчет эквивалентных схем. Метод эквивалентных схем следует считать первой ступенью на пути освоения сов­ ременных методов расчета электронных цепей. Но и при рас­ чете другими методами метод эквивалентных схем всегда оста­ нется удобным вспомогательным, обслуживающим и дополня­ ющим другие.


Глава в т о р а я

МЕТОД, ОСНОВАННЫЙ НА РАССМОТРЕНИИ ЛАМП И ТРАНЗИСТОРОВ КАК ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКОВ

2—1. Сущность метода

На основе аппарата теории четырехполюсников можно осуществить единый подход к расчету ламповых и транзистор­ ных схем. Для этого прежде всего следует рассмотреть единст­ во и различие лампы и транзистора как активных четырехпо­ люсников.

На первый взгляд может показаться, что при совместном рассмотрении ламповых и транзисторных схем затушевываются

их особенности. На самом же деле при этом четко

выявляют­

ся возможности тех и других, а также особенности

лампового

и транзисторного вариантов, подчеркивается специфика

схем­

ного построения.

 

весьма

Таким методическим приемом при рассмотрении

широкого класса усилительных устройств успешно пользовался

И. Г. Мамонкин [9].

 

 

 

да

Считаем целесообразным при сохранении такого же подхо­

изложить

основы данного

метода

расчета, не

отвлекаясь

на

анализ и

классификацию

свойств

различного

рода схем.

Читатель, вооруженный этим методом, сможет при всем разно­ образии схем производить их анализ и расчет самостоятельно.

2—2. Аналогия и различие лампы и транзистора как активных четырехполюсников

Лампа и транзистор являются нелинейными элементами. Однако если приращение (изменение) приложенного к входу

3*

3 5


напряжения мало, то с достаточной для практики точностью рабочие участки их характеристик могут быть линеаризирова­

ны. В этом случае лампу и транзистор можно

рассматривать

как линейные активные четырехполюсники.

(/ь Uь /2, U2),

Обычно считают, что две из четырех величии

характеризующих воздействие на четырехполюсник, известны, другие же должны быть определены. В конкретных условиях возможны шесть вариантов (табл. 2). Чтобы найти две неиз­ вестные величины по двум известным, необходимо располагать системой двух уравнений с двумя неизвестными — так назы­ ваемыми основными уравнениями четырехполюсника [2, §118]. Соответственно шести вариантам воздействий на четырехпо­ люсник можно записать системы основных уравнений в шести формах, оперируя в каждом случае с одним из следующих па­

раметров: у , Z,

а, h, b

(табл. 2).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 2

Известные величины

У,СЛ,

 

и..Іг

 

 

УД,

Определяемые величины

/ 1 / 2

UlUi

и і/,

Uxh

/ 1 U 2

U 2 !2

Название формы

записи

уравнений

г

а

h

 

ь

(обозначение параметра)

У

f

Рассмотрим подробнее у-форму записи уравнений четырех­ полюсника и ее применение к лампе и транзистору

Л = Уи ' U\ + Уі2 ■U2 1 Іо — У21 U1+ У22' ІІ2 I

Приращения напряжений U\ и (Л могут быть как постоян­ ными, так и переменными величинами во времени. На практике эти приращения нередко являются гармоническими функция­ ми времени. В линейном четырехполюснике токи Д и /2 в та­ ком случае примут также синусоидальную форму. Следователь­ но, система (2-1) может быть записана в символической форме, т. е. напряжения и токи выразятся комплексными амплитуда­ ми. При переменных токах параметры у в общем случае — комп­ лексные величины и, как видно из (2-1), имеют размерность проводимости. Для области не очень высоких частот можно пе­ рейти от полных проводимостей у к активным проводимо­ стям g.

1 Символом f заменен обычно применяемый в этом случае символ g. Это

поможет не спутать (-параметр с обозначением активной проводимости g, являющейся действительной частью (/-параметра. Такое же обозначение шести форм уравнений принято в [10].

36


Параметры

у

(или

g)

 

 

 

лампы и транзистора

находят­

0-@>

 

 

ся 'из режимов

короткого

за-

_

+

мыканіия по переменному току

Ur Щи,

0----3—0-0

0-

двумя следующими способами.

Первый из

них — опреде­

Рис. 32. Схема для измерения пара-

ление экспериментальным

пу­

метра

ijn

лампового триода.

тем при поочередном осущест­ влении режимов короткого замыкания на входе и выходе. Возь­

мем, 'например, лампу-триод (рис. 32). Обеспечим режим по постоянному току, для которого необходимо знать у (или g) -па­ раметры. Значения параметров зависят от схемы включения лампы. В данном случае имеется в виду включение лампы по схеме с общим катодом.

Например, для определения параметра г/ц (или gu) созда­ ется режим короткого замыкания по переменному току на вы­ ходе (U2= 0). Для этого включается конденсатор С большой емкости. Подключив на входе источник синусоидального напря­ жения ІІТ, измерим переменные ток выхода І\ и напряжение входа U Тогда

Аналогично составляются схемы для экспериментального измерения и других «/-параметров. Подобные вопросы рассмат­ риваются в курсах электронных приборов и, очевидно, знакомы читателю. Подчеркнем только, что частота напряжения Ur, при которой измеряются параметры, определяет получение высоко­ частотных значений их (полных проводимостей) или низкоча­ стотных (активных проводимостей). Так же подходят к изме­ рению «/-параметров и транзисторов как четырехполюсников.

Второй путь — определение g-параметров лампы или тран­ зистора по их статическим характеристикам. Поскольку стати­ ческие характеристики усилительных элементов снимаются на постоянном токе, то с их помощью можно получить только низкоча­ стотные значения «/-параметров, т. е.

значения g. Например, в семействе анодных характеристик лампы-три­ ода (рис. 33) заданному режиму по постоянному току отвечает опреде­ ленная точка 0 (точка покоя или ра­ бочая точка) семейства. При вклю­ чении лампы по схеме с общим ка­ тодом анодная цепь окажется вы­

Рис. 33. Определение парамет­ ходной. Поэтому приращения Д/а и ра £ 2 2 по анодным характери­ ДНа по аналогии с обозначениями, стикам лампового триода. применяемыми для выходной (пра-

37


вой) стороны четырехполюсника, могут обозначаться

соот­

ветственно как h и U2-

Поскольку

сеточная цепь

для дан­

ного включения лампы

является

входной,

приращения

Д/с и

Дтакже записываются как 11 и

Uі. Из

рис. 33 видно,

что в

случае

приращения анодного напряжения

AUa= U 2

получаем

приращение тока

A/ а= / 2 при

неизменности

сеточного

напря­

жения,

т. е. при

AUC=U[ — 0.

Постоянство

сеточного

напря­

жения

Uc = U„c=const

(т. е. Д£/с —0)

можно

рассматривать

как режим короткого замыкания на

входе

по

переменному

току (t/i =

0). Тогда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

А/а

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

й і ~

Тй-А~ пі '

 

 

 

 

 

Итак,

располагая

семействами

статических

характеристик

лампы или транзистора и оперируя

с

приращениями

напря­

жения и тока

(около точки, отвечающей заданному режиму по

постоянному

току), можно находить низкочастотные

значения

{/-параметров.

 

 

 

 

связь

g-параметров

усили­

Такой

путь позволяет ощутить

тельного элемента как четырехполюсника со статическими па­

раметрами, указываемыми в справочниках. Так,

для

лампы

g22 не что иное

как величина,

обратная

внутреннему

сопро­

тивлению лампы Ri.

на рассмотрении

физической

Остановимся

дополнительно

сущности {/-параметров в случае лампы и транзистора.

 

Системе {/-параметров на основании

(2-1)

соответствует

матрица проводимостей ({/-матрица)

 

 

 

 

У п

Уі2

 

 

(2-2)

 

_У21

У22.

 

 

 

 

 

 

Для области относительно низких частот, когда можно учитывать только активные проводимости

gu g12

(2-3)

.£21 £22 _

Основные уравнения (2-1) для лампы и транзистора в об­ ласти низких частот могут быть переписаны в виде:

для лампы при включении с общим катодом

А/с —£лГ АДс + gl2 'AUa 1 A/а = gVAf/c + goo-Шо J

для транзистора при включении с общим эмиттером

А /б =

£Гіг А / / б

Д і2 • АU |{ I

' Д/к =

g i i - Ш й

+

g n - A U K Г

38