Файл: Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 31.07.2024

Просмотров: 178

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

 

 

 

 

 

_ 47 -

 

 

 

 

 

Основные

оде™

основных параметров для переменных

параметры

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

составлявших

триодов относятся

следущие.

 

 

 

 

1. Сопротивление

оазы

Zs> При прохождении тока базы на

атом сопротивлении падает

напряжение Lit.

Поэтому

напряжение

на эмиттерном переходе не равно внешнему напряжению

CCj.g,

а

больше или меньше на величину

Ctg

в зависимости от направления

результирующего тока базы

 

Zf

обычно равно сотням омов.

 

 

2. Обратный ток коллектора

С/Кѵ

(тепловой ток). Ток че­

рез коллекторный переход отличен от нуля даже в том случае

,

если

Cùj-s -О''

Э т о т

т о к

CfK0 I разный току насыще:пш

JH

,

обу­

словлен движением неосновных носителей

(электронов

в коллекторе

и дырок в базе) через

коллекторный

переход, поле которого

являет­

ся для них ускоряющим.

Ток ^„определяет

свойства

коллекторного

перехода при изменении

температуры

окружающей среды

(характеризует

температурную нестабильность

триода).

 

 

 

 

 

3. Дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока

о£ (коэффициент

усиления

по току). Ввиду того, что при движе­

нии в базе часть дырок рекс.-лбинирует с электронами,

приращение

тока коллектора при изменении

Сі^.^ъ

плоском переходе всегда

меньше приращения

тока

эмиттера.

 

 

 

 

 

 

Следовательно, полный ток коллектора равен:

Ток базы является алгебраической суммой ^7и JK :

rf( ~ ~

~

= ко "

'( і " о£ ) .


-ЧѲ -

4.Дифференциальное сопротивление ампттерного перехода:

 

 

ta

-

~^J-1

 

Li« --Const.

 

Сримеет величину

5-25 Ом для германиевых

транзисторов.

 

 

5. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода

(порядка

I 0 6

Ом):

j

//

 

при

rr

/

 

 

 

 

ъ

-

_ Я- U-x

 

-

Const.

 

 

6.

Коэффициент обратной

связи по напряжению, характеризую­

щий влияние коллекторного напряжения на эмиттерное в связи с

модуляцией толщины

базы:

, . .

 

 

 

 

 

 

 

 

U

-

^З-

При

 

J=Consé.

 

 

Все параметры транзистора в той пли иной мере зависят от

температуры (например, сопротивление Z9 прямопропорцпонально

температуре). Но главное

влияние

температуры

осуществляется

через

ток

J ^ o

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рассмотренные основные параметры полупроводникового трио­

да

называют

 

внутренними

( физическими

), поскольку

они

отражают

физические свойства

триода. Однако они не могут

быть непосредственно измерены,

так как границы раздела переходов

в триоде недоступны, что создает неудобства при пользовании

 

втими параметрами. В качестве

измеряемых параметров триода

выби­

раются такие, которые характеризуют свойства триода как четырех­ полюсника.

 

Электрический режим четырехполюсника характеризуется че­

тырьмя измеряемыми извне величинами

(входным током

01

и напря­

жением

Ù-t , выходным током Ог

и напряжением

Сіг

незави­

симо от электрической схемы внутренних соединений четырехполюс­ ника.' Внутренняя связь элементов схемы отражается лишь аналитиче-


- '19 -

окими выражениями между параметрами четырехполюсника с физически­ ми параметрами прибора:

 

 

 

à,

 

*h,rd,

h t i

a Z

/

 

 

 

 

h„ j

Игг t h&t

 

и

hl&

 

так

"г,

 

 

 

г д е

 

 

называете

/,

п а -

раметри

четырехполюсника.

Размерность

1 (

физическая

сущность

могут

быть установлены

из рассмотрения

режимов ко­

роткого

 

замыкания на выходе четырехполюсника

(£/,= 0) и холостого

хода на входе ( Cf(

= 0 ) .

При Li&-0

htl

 

и haia"j~ величи­

на

/7

 

определяет

входное сопротивление

четырехполюсника (изме­

ряются

в омах). Ьгі

 

называется

коэффициентом

передачи тока в

триоде.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При Jf-o

 

 

hu--%-

 

 

и

/ 7 „ » ^

 

/7

называется

коэффициентом

обратной

связи по напряжению ,

 

 

называется входной проводимостью (Ом- *).

 

 

 

 

Значения

/?

 

- параметров зависят от схемы включения тран­

зистора. Формулы, устанавливающие связь между

/? -

параметрами

для

различных схем

включения

транзистора,

приводятся

обычно в

справочниках. Кроме h - параметров, в справочниках приводятся

значения

теплового

тока

коллектора, измеряемого при комнатной

температуре, предельные

значения

нагрузочного

тока,

коллекторного

напряжения и мощности, которую триод может рассеивать

без пере-

грева. По значению теплового

тока

UK(>

может быть найдено коллек­

торное

сопротивление

триода

2^ * ^Lü при постоянном

обратном

напряжении.



-50 -

Сіовные показатели транзисторов приведены в Пргложении 2. Схемы

включения •

Ііри

рассмотрении свсРств триода считалось,

что оба напряжения (И8

и

) отсчитывались от базы. Последняя

тем самым была принята

за основной электрод, общий для входной

и выходной цепей триода. Такое включение триода (рис.25,а),

поз­

воляющего

наглядно изучить

его физические свойства и параметры,

называют

включением с

сбщей^или зазеілленной/ баэой. На прак­

тике Схема с общей базой не является единственно возможной

и наи­

более распространеной.

Это

объясняется рядом обстоятельств

(на­

пример, отсутствием усиления тока), некоторые из них будут при­ ведены при разборе характеристик.

Основное применение находит включение триода (рис.25,б) по схеме с общим, или заземленным,эмиттером. Преимущество этой схемы состоит в том, что она дает усиление по току, поскольку ток базы, являющийся для нее входным, гораздо меньше токов эмиттера и коллектора.

Третий вариант включения триода происходит по схеме с об­

щим коллектором

(рис.25,в). 'Такое включение

триода

отличает­

ся высоким входным сопротивлением

и низким выходным

сопротив­

лением. Схема с

общим коллектором

используется

лишь

во

входных

каскадах усилителей или при необходимости согласования двух каскадов с заземленной базой или с заземленным эмиттером. Усили­

тельный каскад по. схеме

 

с

 

общим коллектором

называется эмиттер-

ным повторителем, т . к .

напряжение

на выходе

мало отличается от

_.. входного.

 

 

 

 

 

 

 

 

' основные

В

 

к

а ч

е с

т в е

основных

характеристик полупро-

характеристики В 0 Д Ш 1

К

0

В 0

Г 0

триода использугтся следующие