Файл: Дьяченко Б.М. Генераторы частотно-модулированных колебаний на полупроводниковых приборах с отрицательным сопротивлением [монография].pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 04.08.2024

Просмотров: 67

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Член-4- F0 ( U 0, Ua ) =

t»0+ " т (ж ^ )и = и U“

не

зависит

0T

времени п представляет собой

приращение средней частоты

за счет четных гармоник модулирующего напряжения.

 

-г-1

d3o>

 

 

 

. „

,

В этом члене величина

 

с учетом выражения (3.13)

будет равна

_я_

 

 

 

_2"

 

 

 

 

 

 

S2(U= o)0D [E2.(l — D)

2 + 2 ( 2 Е Ч - Н ) ( 1 -

D)

Ч ’

 

где

J_

I

1

 

(3.36)

dU,

■к

+

dug

 

 

 

Выражение (3.35) отражает весьма сложную зависимость сдвига средней частоты от напряжения смещения, амплитуд токов основной частоты и гармоник модулирующего напряже­ ния и эквивалентной добротности, которая, в свою очередь, является функцией параметров ТД и колебательной системы.

3.5. И з м е н е н и е с р е д н е й ч а с т о т ы при ч а с т о т н о й м о д у л я ц и и з а с ч е т н е л и н е й н о с т и е м к о с т и

р — п п е р е х о д а т у н н е л ь н о г о д и о д а

В режиме малых колебаний сдвиг частоты при подаче мо­ дулирующего напряжения в основном происходит за счет нели­ нейности емкости р—п перехода ТД. Если переход резкий, то его емкость может быть выражена формулой (3.0).

Тогда

СП=

С0

?К — и0

о„

 

cos Ш

 

 

 

I

1 +

«Рк—и»

 

 

 

 

 

где С, ( ___Ь ___

2 Ср— емкость р—п перехода в выбранной

I

- ио ;

рабочей точке при отсутствии

Ua •

 

 

 

Разлагая корень в ряд по степени

Р =

Uo

получим:

— U0

cn=cp[i + 4 -Ра- т ?

( ! +

irPJ)cosyt +

 

+

-щ- р2 cos22t----- р3 cos 3Qt

 

(3.37)

 

 

 

192

 

 

 

57


Из разложения

(3.37) видно,

что

 

 

 

 

 

 

 

с«п = ч ( | * ПГ ) *

(3.38)

 

 

 

 

 

 

 

Ч ,

— Ч

9

I 1

t Уб

02

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С., -

С1'

I о

 

 

 

где

С„ , С,

, Со

и С,

соответственно постоянная

со-

 

 

 

 

ставляющая

(среднее значение),

1,

 

 

 

 

2 и 3-я гармоники емкости р—п пе­

 

 

 

 

рехода ТД.

 

 

 

 

Из выражения

(3.38)

видно,

что

при возрастании U.j

по­

стоянная составляющая емкости ТД увеличивается, а следо­ вательно, увеличивается и нестабильность средней частоты.

При малых значениях модулирующего напряжения, когда

_3_ 16

частоту колебаний

генератора на ТД можно определить по

обычной формуле:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

со =

(LCn)

 

(3.39)

Подставив в формулу

(3.39)

вместо С„ среднее значение

из формулы (3.38), получим выражение

для средней часто­

ты генератора при модуляции:

 

 

 

«ер =

I LCP 1 +

3

и,,

 

16

 

/

 

 

 

 

или, разложив в ряд, получим

 

 

 

0)Ср — «о

 

 

Uo

2"

 

 

¥к — U0

(3.40)

 

 

 

 

 

_ J_

 

 

 

 

 

где «о = (LCP)

— резонансная

частота при отсутствии мо­

дулирующего нап ряжения,

 

54


Из выражения (3.40) видно, что при подаче модулирующе­ го синусоидального напряжения средняя частота уменьшается

примерно в [l - 4 ~ ( ?Д „ ) раз. Нестабильность средней

частоты растет с увеличением Us .

На рис. 11, б изображен график изменения средней часто­ ты под воздействием модулирующего напряжения. Из графи­

ка следует, что при увеличении Us

от 0 до 1

мв средняя ча­

стота fcp уменьшается от 10140 до 10117

Кгц, т.е. относитель­

ная нестабильность

частоты

ср

составляет 2,3 -10~3 . Этот

экспериментальный

 

 

 

теоретические

результат подтверждает

исследования, которые были получены ранее [151

3.6. Ко э ффи ц ие н т нелинейных

ис ка же ний

и оптимальная де виа ция частоты

Коэффициент нелинейных искажений может быть опреде­ лен из выражения (3.34):

Рассчитанная по этому выражению зависимость коэффи­ циента нелинейных искажений от напряжения смещения изо­ бражена на рис. 12, а (кривые 1 и 2).

Расчет производился при постоянном модулирующем на­ пряжении Us —0,5 мв. Из графика видно, что с увеличением напряжения смещения в пределах падающего участка вольтамперной характеристики ТД коэффициент нелинейных иска­ жений уменьшается.

На рис. 12, б изображены зависимости Si*. S,„ и S;i0J от напряжения смещения. Расчет их производился по формулам

(3.13), (3.36) и приложению.

Для определения оптимальной девиации частоты Д ш0пт,

с точки зрения получения необходимого коэффициента н'елиней-

59


пых искажений подета ним н (3.41) выражение (3.14) и ре­ шим его относительно Дсо:

Рассчитанная по этому выражению зависимость девиации частоты от напряжения смещения при неизменном модулиру­ ющем напряжении Uu изображена на рис12, а, где кривая 1—расчетная, а 2—экспериментальная. Анализируя зависи­ мости t(U0) и Д ш( U„), можно сделать вывод о том, что с увеличением напряжения смещения в пределах падающего участка вольтамперной характеристики у и Дсо уменьшаются.

Таким образом, девиация частоты находится в тесной свя­ зи с коэффициентом нелинейных искажений, поэтому в каж­ дом отдельном случае необходимо принимать компромиссное решение.

3.7Па раз итная амплит у д на я мод у ляция

Немаловажным фактором при частотной модуляции яв­ ляется величина амплитудной модуляции. Причина—изме-

60

пенпе активной составляющей

проводимости

ТД

в процессе

модуляции. Влияние активной

составляющей

проводимости

ТД на амплитуду колебаний

можно определить, если изме*

рять амплитуды напряжения на контуре

U ь.от изменения Uo*

Эта зависимость показывает,

на каком

участке

падающей

вольтамперной характеристики

частотная модуляция будет

сопровождаться наибольшей паразитной амплитудной моду­

ляцией.

*•

Наибольшая паразитная

амплитудная модуляция наблю­

дается при меньших коэффициентах включения (см. рис. 10, б ).

Так, при р =0.2

U*

изменяется в пределах падающего участка

вольтамперной

характеристики в четыре

раза—от 250 мв до

1 в (кривая 8), в то время

как при р = 1 —всего лишь в 2 ра­

за, от 65 до 132 мв

(кривая 2).

 

 

Необходимо

отметить,

что получение

довольно большой

девиации частоты достигается при очень малых

амплитудах

модулирующего напряжения, поэтому паразитная

амплитуд­

ная модуляция незначительна. Причем наименьшая ее величи­ на будет при р = 1.

Так, при изменении U0 на 20 мв UKменяется на 17 мв в са­ мом неблагоприятном, с этой точки зрения, участке вольтам. псриой характеристики (Uo = 60—80 мвК При Uo=100--I80 мв

UKизменяется на 5 мв, т. е. на I мв изменения Uo U

K меня­

ется на 0,25 мв. При

р = 0,2 иа участке Lj='G080 мо

UKиз­

меняется на 150 мв,

а при Ue=160— 180 мв UK изменяется па

GO мв, т. е. на 1 мв изменения Uo, UKизменяется на 3 мв, при­ чем для обеспечения Af =56 Кгц необходимо подавать Us = 10 мв, что приводит к значительной паразитной амплитудной модуляции (5,56,/») при малой девиации частоты.

Из вышеизложенного следует, что коэффициент включения туннельного диода относительно контура надо брать равным

единице.

 

3.8.

Расчет г е н е р а т о р а

ч а с т о т н о - м о д у л и р о в а н н ы х коле баний

на

туннельных д и о д а х

Прежде чем приступить непосредственно к расчету, необ­ ходимо выбрать схему генератора, тип ТД и метод аппрок­ симации.

Наиболее подходящим ТД будет тот, у которого отноше-

61


ime емкости p—ft перехода Cn (пф) к отрицательному сопро­

тивлению R „ ( om) будет больше 1/5. Коэффициент включения

ТД в контур необходимо выбирать меньше единицы. Вопросу аппроксимации вольтамперных характеристик ТД

посаящено большое количество работ. Однако было бы неправильно искать некоторую универсальную аппроксимирующую функцию, которая считалась бы наилучшей при решении лю­ бых задач. Выбор метода аппроксимации должен быть тесно увязан с конкретно решаемой задачей. В нашем случае для определения гармонических составляющих тока достаточную для инженерных расчетов точность дает аппроксимация вольтампериой характеристики ТД полиномом шестой степени [16].

Целью расчета является определение оптимальных значе­ ний девиации частоты и коэффициента нелинейных искаже­

ний.

Порядок расчета следующий:

1. Определяем коэффициенты полинома:

Ski gK. Skj Sk к = 1, 2, 3

(см. приложение).

II. Находим следующие амплитуды гармоник тока и их производные:

aiK

дП^_

_дз]к

к = 1,2, 3 . . .

1к’ <Ш0 ’

dug ’

ди03

 

(см, приложение).

Затем в зависимости от выбора применяемой колебатель­ ной системы производится ее расчет.

В нашем случае колебательной системой является несим­ метричная полосковая линия с воздушным диэлектриком.

Исходные данные для расчета: f—частота; Q„ —нагружен­ ная добротность; W —волновое сопротивление—выбираем из соображений отсутствия Паразитных колебаний.

1.Определяем длину полосковой линии по известным фор­ мулам.

2.Находим Ширину Полосковой линии. Расчет производим

При заданном расстоянии между полосками dn [17]:

b„

d„ (300 - W)

мм.

 

W

 

62