ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 119
Скачиваний: 1
Для (Н-частиц с энергией более 0,8 Мэе
Ra\— 0,542£М.1КС— 0,133,
где 'Rm — полный пробег (гН-частиц в алюминии, г/см2; £ макс — максимальная энергия р_-частиц, Мэе.
Зная толщину слоя полного поглощения (Н-частиц данной максимальной энергии в алюминии (R.w), можно рассчитать тол щину слоя полного поглощения (R) в других веществах на ос нове соотношения
( 2.2)
Чтобы найти длину пробега [3- -частиц в веществе в санти метрах, следует величину пробега в граммах на квадратный сан тиметр разделить на плотность вещества р. На практике обычно используют величины максимального пробега электронов в раз личных веществах, определенные экспериментально.
Иногда для характеристики проникающей способности элект ронов пользуются понятием слоя половинного ослабления излу чения — это такая толщина поглотителя, которая ослабляет ин тенсивность электронного пучка в 2 раза (см. стр. 44).
Таким образом, проходя через вещество, электроны полно стью теряют свою энергию на длине максимального пробега R, при этом в материале образуется тормозное излучение, которое может представлять значительную опасность при большой ак тивности источника.
2. Ослабление рентгеновского и у-излучений
Взаимодействие рентгеновского и у-излученнй с веществом происходит в виде трех основных процессов (рис. 2.2): а — фо тоэлектрического поглощения (фотоэффекта), 6 — рассеяния и ■в— образования пар электрон — позитрон (эффект образования пар).
а. Фотоэффект
При фотоэффекте рентгеновский или у-фотон передает всю энергию электрону атома [13, 14]. При этом если электрон по лучает энергию выше, чем энергия связи его в атоме, то он вы летает из атома. Этот электрон называется фотоэлектроном. Ки нетическая энергия фотоэлектрона Ее ниже энергии рентгенов ского или у-фотона hv на величину энергии связи электрона £,■:
Ее = hv — Ei. |
(2.3) |
При потере атомами фотоэлектронов освободившиеся |
места |
в электронных оболочках в дальнейшем заполняются электрона-
2* 35
ми с внешних оболочек. Переход электрона на более близкую к ядру оболочку сопровождается испусканием фотона характери стического излучения.
Следует отметить, что не все фотоны потока рентгеновского пли у-излучения поглощаются веществом. Некоторая часть их не взаимодействует с атомами вещества. Вероятность взаимодейст вия зависит от атомного номера вещества и энергии фотонов.
hy |
оотозлектран |
|
|
||
РентгенвВский |
Атом |
|
или у -фотон |
||
|
||
hv |
У,'КомптоноВский |
|
электрон |
||
Рентгеновский |
||
|
Рентгенобскии |
О"'* |
|
или у-фотон |
Атом-" |
Позитрон |
' |
ное ядро |
У |
Рис. 2.2. Схемы взаимодеГ|ствия фотонов рентгеновского и у-нзлучений с веществом.
Для излучения с низкой энергией фотонов и для тяжелых эле ментов фотоэлектрический эффект преобладает над другими ви дами взаимодействия.
При низких энергиях фотонов (£<С0,5 Мэе) фотоэлектроны вылетают преимущественно в направлениях, перпендикулярных к направлению распространения излучения. Чем выше энергия фотонов, тем ближе с их первоначальным направлением совпа дает движение выбрасываемых фотоэлектронов.
Величина, характеризующая относительное уменьшение по тока излучения веществом, обусловленное фотоэлектрическим поглощением, на единице пути, называется линейным коэффи циентом фотоэлектрического поглощения т и измеряется в см~К Кроме линейного коэффициента фотоэлектрического поглощения в расчетах применяют также массовый коэффициент т/р (см2/г)г где р — плотность вещества. Массовый коэффициент т/р пред-
36
ставляет собой относительное уменьшение потока |
излучения |
||
в результате |
фотоэлектрического |
поглощения после |
прохож |
дения слоя |
вещества с единичной |
поверхностной плотностью |
|
(г/см2) . |
|
|
|
Коэффициент фотоэлектрического поглощения уменьшается с |
повышением энергии излучения и резко возрастает с увеличе нием атомного номера вещест ва. Согласно графикам на рис. 2.3 и 2.4, фотоэлектриче ский эффект наблюдается пре имущественно в случае излуче ния с низкой энергией фотонов
ипоглотителей с высоким
Рис. 2.3. Зависимость |
массового |
Рис. 2.4. Зависимость линейного |
ко- |
коэффициемта фотоэлектрического |
эффициента фотоэлектрического |
по- |
|
поглощения т/р от порядкового |
глощения от энергии излучения для |
||
номера элемента Z для фотонов |
алюминия, меди и свинца, |
|
|
различных энергий (цифры у кри |
|
|
|
вых) . |
|
|
|
атомным номером. Вероятность фотоэлектрического поглощения для легких элементов становится ничтожно малой при энергии 100— 150 кэв, для элементов со средними атомными номерами — при энергии порядка 300—400 кэв и для тяжелых элементов — при энергии примерно 1— 1,5 Мэе. Так, для алюминия фото электрическим поглощением можно практически пренебречь, на чиная с энергии излучения 150 кэв, а для свинца — с 2 Мэе.
б. Рассеяние рентгеновского и у-излучений
При взаимодействии рентгеновских и у-фотонов с веществом наряду с фотоэлектрическим поглощением происходит их рас сеяние [13, 14]. Различают два основных процесса рассеяния: комптоновское, или некогерентное, рассеяние (комптон-эффект) и когерентное рассеяние.
37
При комптон-эффекте первичный фотон рентгеновского или ■у-излучения может взаимодействовать со свободным электро ном атома вещества. Эффект Комптона можно рассматривать как упругое соударение первичного фотона со свободным элек троном.
Комптоновское рассеяние представляет собой такое взаимо действие фотона с электроном, при котором в отличие от фото эффекта фотон передает электрону не всю свою энергию, а только часть ее, отклоняясь при.этом от своего первоначально го направления на некоторый угол. Электрон, получив некото рое количество энергии, начинает двигаться под углом к на правлению движения рентгеновского или у-фотома. В результа те комптон-эффекта появляется рассеянный фотон с большей длиной волны и меньшей энергией, изменивший первоначаль ное направление, и вырванный из атома так называемый элек трон отдачи (комптоновский электрон), получивший часть энер гии фотона (см. рис. 2.2, б).
Из закона сохранения энергии следует, что |
|
/iv = hv' + Е т„„г, |
(2.4) |
где hv— энергия первичного фотона; hv' — энергия рассеянного фотона; £ К0МПт — кинетическая энергия комптон-электрона.
Изменение длины волны излучения, имеющее место при комптоновском рассеянии, не зависит от рода поглотителя и энергии первичного фотона и определяется уравнением
АХ = X' — X = ЯК0МПТ (1 — cos ср),
где X и X' — соответственно |
длины волн первичного и рассеян |
|||||||||
ного |
фотонов; |
А.цолтт= 0,0242 |
А — длина волны излучения, |
энер |
||||||
гия |
которого |
эквивалентна |
массе |
покоящегося электрона |
||||||
(0,51 |
Мэе); |
ф = угол между |
направлениями |
первичного |
и рас |
|||||
сеянного фотонов. |
|
|
связана |
с энергией |
перво |
|||||
Энергия рассеянного фотона Е' |
||||||||||
начального фотона Е соотношением |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
Е' = -------- |
^ ------------ |
|
, |
|
|
(2.5) |
|
|
|
|
|
1 -'г |
---------- (1 |
— |
COS Cj>) |
|
|
|
|
|
|
|
|
/ Л ПС® |
|
|
|
|
|
где Е и Е' |
выражены |
в мегаэлектронвольтах, |
т0с2— энергия |
|||||||
покоя электрона. |
£ КОмпт> выброшенного |
в |
результате эф |
|||||||
Энергия |
электрона |
фекта Комптона, равна разности величин энергии первоначаль ного и рассеянного фотонов, т. е.
£компт= --------------------------- |
|
- |
(2-6) |
1+ |
-----— ------ |
|
|
|
Е |
(1 — cos ((•) |
|
38
Комптоновские электроны характеризуются непрерывным энергетическим спектром от ничтожно малых значений до мак симальной величины, когда они выбрасываются в направлении движения фотонов (угол между направлением движения пер вичного фотона и комптон-электрона равен 0).
В случае, если Е~^>тйс2, максимальная энергия комптонэлектрона
EKomi^ E - ^ f . |
(2.7) |
Следует указать, что для излучения с одинаковой энергией фотонов кинетическая энергия комптоновских электронов мень ше кинетической энергии фотоэлектронов. Для излучения с энергией 1 Мэе энергия обратно рассеянного (ф=180°) фотона равна 0,20 Мэе, а при угле в 60° она составляет 0,51 Мэе.
Из рассмотренных особенностей комптоновского рассеяния следует, что ослабление интенсивности первичного излучения происходит в результате того, что рентгеновские и у-фотоны, взаимодействуя с электронами атомов среды и рассеиваясь в различных направлениях, в основном уходят за пределы пер вичного пучка излучения. По мере прохождения рассеянного излучения через вещество продолжается его взаимодействие с электронами вещества: появляются двух-, трех- и многократно рассеянные фотоны. Взаимодействие рассеянных фотонов с ве ществом обычно заканчивается фотоэффектом.
Величина, характеризующая относительное уменьшение по тока излучения за счет процесса комптоновского рассеяния на единице пути, называется линейным коэффициентом комптонов ского рассеяния а (см~1) . Линейный коэффициент комптонов ского рассеяния тем больше, чем больше электронов содержится в слое, так как в этом случае большая доля рентгеновских и у-фотонов испытывает рассеяние.
Массовый коэффициент комптоновского рассеяния а/р (см2/г) характеризует относительное уменьшение потока рентгеновского или у-излучения при прохождении через слой вещества с еди ничной поверхностной плотностью. Можно показать, что массо вый коэффициент комптоновского рассеяния для различных ве ществ пропорционален Z/A. Отношение ZjA для водорода равно единице, а для всех остальных веществ с увеличением атомного номера оно медленно изменяется от 0,5 до 0,39. Поэтому можно считать, что массовый коэффициент комптоновского рассеяния а/р для всех веществ имеет примерно одно и то же значение. Следовательно, линейный коэффициент комптоновского рассея ния а пропорционален плотности поглотителя, и ослабление ин тенсивности излучения за счет комптоновского рассеяния, рас считанное на единицу длины поглотителя, будет больше в более плотных веществах.
39