ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 14.10.2024
Просмотров: 123
Скачиваний: 0
Быстродействующий накопитель цифровых ЭВМ
Память цифровой ЭВМ служит для хранения чисел и команд программы, необходимых для решения задания, для передачи этой информации арифметическому устройству и устройству управле ния, для записи промежуточных и конечных результатов, получен ных арифметическим устройством. Устройство управления и ариф метическое устройство обрабатывают информацию, поступающую обычно в виде электрических импульсов: двоичной единице соот ветствует, например, положительный импульс напряжения, нулю — отрицательный импульс или отсутствие напряжения.
Память ЭВМ характеризуется емкостью, временем выборки и временем цикла. Емкость памяти определяется количеством слов, бит и т. д., которые могут быть записаны в памяти. Время выборки определяется временем, необходимым для записи либо считывания одного слова в памяти. Время цикла памяти — это требуемый ин тервал между двумя последовательными моментами начала считы вания или записи информации в памяти. Время цикла равно вре мени выборки плюс время «отдыха» памяти. Воемя выборки и время цикла у быстродействующих запоминающих устройств ЭВМ третьего поколения составляет порядка 10~7 сек.
Естественно стремиться к использованию запоминающих уст ройств с возможно большей емкостью и с возможно меньшим вре менем выборки. Однако эти требования противоречат друг другу. Быстродействующие накопители с большой емкостью памяти (по рядка 107 слов) являются очень дорогими. Поэтому в современных ЭВМ, кроме небольших быстродействующих накопителей (внутрен ней памяти) емкостью примерно до 105 слов, с которыми непо средственно работает арифметическое устройство, применяются также менее быстродействующие запоминающие устройства боль шей емкости (внешние запоминающие устройства), которые слу жат для длительного хранения большого количества информации и которые «снабжают» информацией внутреннюю память. Далее ЭВМ содержит так называемое буферное запоминающее устрой ство, которое служит для промежуточной записи информации, передаваемой из одной части ЭВМ в другую. Буферные запоми нающие устройства имеют емкость от нескольких слов до 103 слов.
В качестве внутренних быстродействующих накопителей исполь зуют в основном ферритовую память, современные запоминающие устройства на магнитных пленках и проволоках. Внешняя память может представлять собой запоминающее устройство на магнит ных лентах, на магнитных дисках и др. Буферные запоминающие устройства могут быть выполнены в виде ферритовых запоминаю щих устройств, триггерных схем, линий задержки и др. Основные типы этих запоминающих устройств будут описаны далее.
Основными свойствами памяти являются надежность, непрерыв ность записи, размеры, цена и экономичность эксплуатации.
Запоминающие устройства можно подразделять и в зависимо-
188
сти от способа считывания и записи информации. Устройства с по следовательной записью информации, когда слово записывается (и считывается) последовательно по битам, используются в неболь ших, менее быстродействующих ЭВМ. Параллельная запись, когда в память сразу записывается целое слово, используется в быстро действующих ЭВМ. В настоящее время в большинстве небольших ЭВМ используется комбинированная последовательно-параллель ная запись информации, когда слово записывается последователь ными группами по 8 бит (побайтно).
Байт обычно состоит из 9 бит, из них первые 8 бит исполь зуются для записи двух десятичных цифр или одного буквенно-циф рового знака, девятый бит служит для контроля по четности. В этом случае информацию можно записать одним или несколькими бай тами. Преимущество такого расположения состоит в том, что мо жно работать со «словами» различной длины, оптимально исполь зуя тем самым емкость памяти (например, при массовой записи данных).
Первые запоминающие устройства на перфокартах и перфолен тах, применявшиеся в ЭВМ, не давали возможности перезаписы вать информацию. Современные запоминающие устройства ЭВМ позволяют осуществлять перезапись, поэтому даже ЭВМ с относи тельно малым числом ячеек памяти (8000—16 000 слов) можно ис пользовать для решения довольно сложных задач.
Д л я запоминающих устройств малой |
емкости (всего в не |
сколько слов), которые должны быть очень |
быстродействующими, |
в настоящее время начинают применять безадресный выбор. На этом принципе основаны перспективные ассоциативные запоминаю щие устройства.
Ферритовые запоминающие устройства
Ферритовые запоминающие устройства являются пока наибо лее распространенным видом быстродействующей памяти. Они при меняются в качестве внутренней памяти (быстродействующего на
копителя) или обширной буферной |
памяти |
и состоят из |
блоков, |
как правило, емкостью 4, 8, 16 или |
32 тыс. |
слов. Память |
большей |
емкости получают комбинацией нескольких таких блоков. Время
цикла памяти обычно составляет величину порядка |
микросекунды. |
Ферритовая память чаще всего работает по принципу парал |
|
лельной записи информации, р е ж е — п о принципу |
последователь |
ной или последовательно-параллельной записи. |
|
Принцип запоминания двоичной закодированной информации основан на физическом явлении сохранения остаточного магнитного потока в малых ферритовых кольцах (сердечниках) диаметром 0,5—5 мм, изготовленных из материала с прямоугольной петлей гистерезиса (рис. 119). Сердечник сохраняет одно из двух возмож ных положений остаточного магнетизма + Вг или —Вт, которое соответствует записи «1» или «0». Сердечники пронизываются про водами для считывания и проводами для записи информации,
189
в результате чего образуются матричные конструкции. Принцип записи и считывания информации в ферритовой памяти можно по казать на упрощенном примере. На рис. 120 схематически показана
|
|
|
|
,1" |
>Вг |
|
|
|
|
|
в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-HC |
|
Нс_ |
'Не |
|
|
|
f |
i |
|
2 |
-ff |
||
|
|
|
|
|
|
|||
-Не |
1 Не |
J |
|
|
|
|
|
|
1 2 |
• f |
1 +Hc H |
|
|
|
|
||
1 |
|
|
|
|
|
|
||
1 |
\ |
[у |
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
a U- |
|
-Вг |
|
„0" |
-Вг |
|
|
|
|
|
|
|
5 |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. |
119. Действительная и идеальная петля гистерезиса: |
|
||||||
а — петля |
гистерезиса |
ферритового сердечника; |
б — идеальная прямо |
|||||
|
|
угольная |
петля гистерезиса |
|
|
|
|
|
часть двумерной матрицы из |
ферритовых |
сердечников, а общий |
вид ее показан на рис. 121.
Запись «1» или «0» в одном сердечнике можно осуществить в наи
более простом случае |
следующим |
образом: |
выбор нужного |
сер |
|||||||||
|
|
|
|
|
дечника |
осуществляется |
воз |
||||||
|
|
|
|
|
буждением |
пары проводов |
об |
||||||
|
|
|
|
|
мотки, |
при |
этом |
выбираются |
|||||
|
|
|
|
|
те провода обмотки, на пересе |
||||||||
|
|
|
|
|
чении |
которых |
находится |
тре |
|||||
|
|
|
|
|
буемый сердечник. Запись |
ин |
|||||||
|
|
|
|
|
формации, т. е. перемагничива- |
||||||||
|
|
|
|
|
ние |
сердечника |
до |
состояния |
|||||
|
|
|
|
|
«1» |
или |
«0», |
осуществляется |
|||||
|
|
|
|
|
благодаря |
|
|
прямоугольной |
|||||
|
|
|
|
|
петле |
гистерезиса |
сердечника. |
||||||
|
|
|
|
|
Из рис. 119 видно, что напря |
||||||||
|
|
|
|
|
женность |
магнитного поля |
Нс/2 |
||||||
|
|
|
|
|
недостаточна для |
перемагни- |
|||||||
|
|
|
|
|
чивания |
|
(«опрокидывания») |
||||||
|
|
|
|
|
сердечника. |
При |
записи |
нуля |
|||||
|
|
|
|
|
выбранный |
сердечник |
матрицы |
||||||
Рис. 120. |
Схема части |
двумерной |
матрицы |
перемагничивается |
из положе |
||||||||
|
ферритовой памяти: |
|
ния |
«1» |
при |
помощи пары |
|||||||
/ — первая |
обмотка выбора; |
2 — ферритовый |
|||||||||||
сердечник; |
3 — обмотка |
считывания; |
4 — вторая |
отрицательных |
токовых |
им |
|||||||
|
обмотка |
выбора |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
пульсов, каждому |
из |
которых |
соответствует напряженность магнитного поля (—Нс/2). Эти импуль
сы поступают на соответствующие пары проводов обмотки |
выбора |
и по проводам проходят через отдельные сердечники. |
Через |
190
считывания информация в памяти стирается. Если нужно сохранить информацию в памяти, она должна быть снабжена специальной схе мой для регенерации (восстановления) информации. Аналогично организован пространственный выбор у многослойной ферритовой памяти.
В действительности, конечно, процессы записи и считывания ин формации являются более сложными, так как даже в описанном самом простом случае в обмотке считывания возникает много по
мех, вызванных, |
например, тем, что петля |
гистерезиса не |
является |
||||||||||||||
идеальной |
(не является |
точно |
прямоугольной) |
и др. Эти помехи |
|||||||||||||
устраняются специальными схемами формирования импульсов. |
|||||||||||||||||
Принцип построения |
одного |
блока |
ферритовой памяти |
емко |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
стью 4096= 21 2 |
слов по 48 быт |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
показан на рис. 122. Ферри |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
товые |
сердечники |
уложены |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
в 48-слойную матрицу, что |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
соответствует |
длине |
слова |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
в 48 бит. Каждый |
слой со |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ответствует |
одному |
разряду |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
слова |
и состоит из 4096 фер- |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ритовых |
сердечников, |
каж |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
дый |
|
из |
которых, |
в |
свою |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
очередь, |
соответствует опре |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
деленному |
адресу |
|
слова. |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К |
каждому |
слою |
подсо |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
единены |
|
самостоятельные |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
схемы |
считывания |
записи 2. |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Центральной |
частью |
схемы |
|||||
|
Рис. |
122. |
Ферритовая |
память: |
|
|
|
считывания |
является |
изби |
|||||||
/ — первый контур |
выбора |
адреса; |
2 — |
контур |
рательный |
усилитель, |
кото |
||||||||||
чтения; |
3— б у ф е р н а я |
память |
слова; |
4 — второй |
рый |
снимает |
импульсы на |
||||||||||
контур |
выбора |
адреса; |
5 — б у ф е р н а я память |
ад |
|||||||||||||
|
|
|
|
реса |
|
|
|
|
|
пряжения, |
индуцированные |
||||||
в возбужденном |
сердечнике |
по выбранному |
адресу |
при |
перемаг- |
ничивании из положения «1» в положение «0», и подготавливает их к передаче остальным устройствам ЭВМ. Схема записи состоит из электронного генератора, генерирующего соответствующие то ковые импульсы, которые подаются в выбранные провода мат рицы. Ко всем слоям матрицы подсоединен также генератор контура выбора адреса (первый контур выбора).
Считывание или запись информации осуществляется всегда па раллельно целыми словами одновременно по всем разрядам. Про вода первого контура выбора проходят через все сердечники, име ющие один адрес (т. е. охватывают все разряды одного слова), провода второго контура выбора проходят через весь слой (мат рицу), т. е. охватывают соответствующие одинаковые разряды всех слов памяти. При считывании или перед записью информация по выбранному адресу «стирается» по проводу первого контура вы бора и сердечник переводится в состояние «0» токовым импульсом, соответствующим напряженности —Не.
192
вой памяти тем выше, чем более быстродействующей она является, так как увеличение быстродействия связано с уменьшением диа метра ферритовых сердечников.
Новые внутренние запоминающие устройства, в которых исполь зован принцип намагничивания тонких магнитных пленок, обла дают положительными свойствами классической ферритовой па мяти, но являются более быстродействующими и более дешевыми. Способ накопления информации, ее запись и считывание анало гичны показанным на рис. 122, а общий вид такой памяти показан на рис. 123. Сейчас проводятся исследования по использованию в запоминающих устройствах интегральных схем, лазеров, на ста дии разработки находятся запоминающие устройства, в основу ко торых положены свойства сверхпроводимости, скинэффект и др.
Запоминающие устройства на тонких магнитных пленках ис пользуются для повышения быстродействия арифметического уст ройства и в ряде ЭВМ с традиционной ферритовой памятью (при использовании их в качестве сверхбыстродействующих запоминаю щих устройств, содержащих лишь несколько десятков ячеек для хранения операндов и части команд, непосредственно участвующих
в |
вычислении). |
|
|
|
|
Более |
подробно работа |
запоминающих |
устройств описана |
в |
работе |
[11]. |
|
|
|
|
Центральный |
(основной) узел |
ЭВМ |
У современных ЭВМ третьего поколения управляющее устрой ство ЭВМ, арифметическое устройство и один из блоков внутрен ней памяти образуют основной блок — процессор, к которому при помощи каналов можно присоединить так называемые пери ферийные устройства (запоминающие устройства на лентах, на дисках, на барабане, печатающие устройства, считывающие уст ройства, перфораторы, аналого-цифровые и цифро-аналоговые пре образователи, соединительные элементы). К основному блоку мо жно также подсоединить некоторые дополнительные узлы арифме тического устройства и блоки внутренней памяти. Этот основной блок ЭВМ, называемый процессором, обычно носит название всей системы. На рис. 124 представлен общий вид процессора CD-1700.
Число каналов, подключаемых к процессору, бывает различ ным и колеблется примерно в пределах 1 —12. Каналы ЭВМ можно разделить на быстродействующие каналы — селекторные (избира тельные), которые работают с большой степенью автономии и служат для подключения периферийных устройств, передающих большое количество информации за единицу времени (как, напри мер, запоминающие устройства на магнитной ленте, на дисках, пе чатающие устройства), и на мультиплексорные (многоканальные) каналы. Мультиплексорный канал делится на ряд субканалов, к ко торым обычно подсоединяются периферийные элементы с меньшей скоростью передачи информации. Мультиплексорный канал по ко мандам центрального устройства управления ЭВМ и в зависимо-
194