§ |
5.7. Аномалии |
|
распределения |
примесей и дефекты в диффузион |
|
§ |
|
ных слоях ..................... |
|
|
; |
|
.................................................................... |
|
|
163 |
5.8. Контроль основных параметровдиффузионных структур . . |
.170 |
Глава |
шестая. Метод |
э п и т ак с и и .......................................................................... |
|
|
|
|
174 |
§ |
6.1. |
Основные |
|
сведения |
об эп и так си и |
|
|
% |
|
|
|
174 |
§ |
6.2. |
Эпитаксия |
к р е м н и я .............................................................................. |
|
|
|
|
|
176 |
§ |
6.3. |
Эпитаксия |
г е р м а н и я .............................................................................. |
|
|
|
|
|
180 |
§ |
6.4. |
Эпитаксия |
арсенида г а л л и я ................................................................ |
|
|
182 |
§ |
6.5. |
Легирование |
в |
процессе |
э п и т ак с и и .................................................. |
|
|
185 |
§ |
6.6. |
Дефекты |
эпитаксиальных |
п л е н о к ....................... |
|
. |
187 |
§ |
6.7. |
Методы исследования и контроля эпитаксиальных пленок . . |
189 |
Глава |
седьмая. Э л и он и ка......................................................................................... |
|
|
|
|
|
|
193 |
§ |
7.1 |
Основы электронно-лучевой обработки ...... |
..................................... |
|
193 |
§ |
7.2. |
Применение |
электронно-лучевых п р о ц е сс о в ................................... |
. |
196 |
§ |
7.3. |
Взаимодействие |
ускоренных |
ионов с твердым телом . . . |
198 |
§ |
7.4. |
Применение |
ионного легирования |
|
|
206 |
§ |
7.5. |
Методы контроля |
элионных |
с т р у к т у р ............................................ |
|
|
210 |
§ |
7.6. |
Использование |
оптических квантовых ген ер ато р о в ..................... |
|
212 |
Глава |
восьмая. Метод |
конденсации |
вв а к у у м е .................................................. |
|
|
214 |
§ |
8.1. |
Основные |
|
положения кинетической теории |
г а з о в ......................... |
|
214 |
§ |
8.2. |
Термическое |
испарение . . . |
|
|
218 |
§ |
8.3. |
Катодное |
|
распыление........................ |
|
|
|
|
|
227 |
§ 8.4. Создание омических контактов............................................................ |
|
|
233 |
§ |
8.5. Создание тонкопленочных пассивных элементов........................... |
|
238 |
§ |
8.6. |
Контроль качества |
тонкдх |
пленок ................................................. |
|
|
245 |
Глава девятая. Методы защиты поверхности р-/г-переходов........................ |
252 |
§•9.1. |
Физика |
|
поверхности |
р -п -п ереход а................................................. |
|
|
252 |
§ |
9.2. |
Влияние |
|
поверхности |
н а, электрические характеристики р-п-пе |
255 |
§ |
9.3. |
реходов |
|
................................................. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Защита лаками и эм алям и .................................................................... |
|
|
|
256 |
§ |
9.4. |
Защита |
|
вазелинами^.............................................................................. |
|
|
|
|
|
258 |
§ |
9.5. |
Защита силанированием |
........................................................................ |
м е т а л л о в |
|
|
258 |
§ |
9.6. |
Защита |
|
пленками |
окислов |
|
|
261 |
§ |
9.7. |
Защита |
гидрофобными пленками...................................................... |
|
|
263 |
§ |
9.8. |
Защита |
|
окислением |
......................................................................... |
|
|
|
|
264 |
§ |
9.9. |
Защита |
пленками |
нитрида кремния................................................. |
|
|
271 |
§ |
9.10. |
Защита |
с помощью легкоплавких с т е к о л |
........................................ |
|
277 |
Глава |
десятая. Сборка |
и герметизация |
полупроводниковых приборов . |
. |
282 |
§ |
10.1. |
Сборка полупроводниковых |
п р и б о р о в ............................................ |
металлостеклянных |
282 |
§ |
10.2. |
Герметизация |
с |
помощью |
стеклянных, |
291 |
§ |
|
и металлокерамических корпусов ................................................... |
|
|
10.3. Герметизация корпусов с помощью пластмасс.............................. |
|
296 |
Глава одиннадцатая. |
Конструктивное |
оформление |
полупроводниковых |
303 |
|
|
|
|
|
приборов |
|
..................................................................... |
|
|
|
§ |
11.1. |
Назначение |
корпусов |
и |
теплоотвод в н и х ................................... |
|
303 |
§ |
11.2. Корпусы диодов общего назначения................................ |
|
|
307 |
§ |
11.3. |
Корпусы |
|
диодов С В Ч ......................................................................... |
|
|
|
|
3 1 7 |
§ |
11.4. |
Корпусы |
|
туннельных |
д и о д о в .......................................................... |
|
|
323 |
§ |
11.5. |
Корпусы |
|
транзисторов и |
тиристоров ............................................ |
|
|
325 |
§ |
11.6. Корпусы фотоприемников и источниковсвета ................................ |
. |
3 3 4 |
§ |
11.7. |
Корпусы диодных |
матриц, интегральныхи гибридных схем . |
338 |
