Файл: Курносов, А. И. Технология производства полупроводниковых приборов учеб. пособие.pdf

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 14.10.2024

Просмотров: 87

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

 

10г4

w!3

С си

10й

ю 1'5

Ю;г

Рис. П.8. Зависимость предельной растворимости примесных элементов в гер­

мании от температуры

390

Рис. П.9. Зависимость предельной

растворимости \ примесных элементов

в кремнии от

температуры

!

39»

2 9 3

t

Приложение ///

Графики для определения поверхностной концентрации примеси в диффузионных слоях на кремнии и германии

Рис. П.10. Зависимость C0.(l/p.JCj) для слоев и Si с erfc-распределением примеси:

а — С в — 10“ с м ~ 3; б —Cg = 10 1в е м ~ 3

C°\cy ~ 3.Jx/X j)= 0,8 0,7

0,6 0,5

ОА

0.3 0.2 0.1

10г,гг” .................................

L------

С о ,с м г

0,J 0,6 0,5 ОА 0,3 0,2 0,1

6 = l / [ p ^ ( X j - X ) } , ( 0 M - C M )

6 = 7/ \Ps (xi - * ) ] ус°м

а)

6)

Рис. П.11. Зависимость CoO/ppcj) для слоев

р Si с erfc-распределением примеси:

а — С Jj = 10" с м ~ 3; б -

C g = I 01» см ~ 3

со

со

со

со

СО

Рис. 11.12. Зависимость Co(l/p'**j) для «Si с гауссовым распределением примеси:

а - С д —10й см ~3> б —С д — 1016 с м ~ л

(x/Xjr=D,.f0,8

0,7

0 ,6

0 5

0 0 - 0,3 0,20,1 0

W X j b O . S

0,7

и,a

0,5

0,0-

0 ,3 0,7

G-i/\Pi(Xj-x)},(OM.CM)-'

5 =7/[p'(Xj-x)}, (om-'cm)-’

a>

5)

Рис. П.13. Зависимость Co(l/pf8x $ длягЬрБ! сгауссовым распределением примеси:

а Cg —10й см~3- б — Cq « 101в дц

Рис. П.14. Зависимость Со(х^р») для слоев на германии с erfc-pacnpe' делением примеси:

а — яОе; б — pQe

•396

ЛИТЕРАТУРА

1.

Б о л т а к с

Е.

Б.

И. Диффузия в

полупроводниках. Физматгиз, 1960.

2.

В ол

Л.

 

Строение

и свойства двойных

металлических

систем. Физ­

матгиз,

1959.

 

Е.

 

А.,

Е р у с а л и м ч и к

 

И.

Г.

Электрохимия

германия

3.

Е ф и м о в

 

 

и кремния. Госхимиздат,

1963.

 

Е. 3.,

П р е с с

Ф.

П.,

Ф р о н к

С. В.

4.

З е л и к м а н

 

Г.

А.,

М а з е л ь

Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды., Изд-во «Энергия», 1964.

5.

И в а н о в - Е с и п о в и ч

Н. И. Физико-химические основы производства

радиоэлектронной аппаратуры. Изд-во «Высшая школа», 1965.

 

Е.

Полупро­

6.

К о л о с о в

А.

А.,

 

Г о р б у н о в

Ю.

 

И., Н а у м о в

Ю.

водниковые твердые схемы. Изд-во «Советское радио», 1965.

 

 

 

 

прибо­

7.

М а с л о в

А.

А.

Технология

и конструкции полупроводниковых

ров. Изд-во «Энергия»,

1970.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.

М е д в е д е в

 

С.

А.

Введение в технологию полупроводниковых мате­

риалов.

 

Изд-во «Высшая

школа»,

1970.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9. Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффу­

зия, эпитаксия. Под

ред.

Р.

Б у р г е р а

и Р.

Д о н о в а н а . Пер.

с

англ.

Изд-во

«Мир»,

 

1969.

 

 

Л.

 

С.,

П а п и р о в

И. И.

Эпитаксиальные пленки.

Изд-во

10.

П а л а т н и к

 

 

«Наука»,

1971.

 

П. Фотолитография в производстве полупроводниковых

11.

П р е с с Ф.

приборов. Изд-во «Энергия», 1968.

 

 

технике

СВЧ. Изд-во

«Советское

12.

С л у ц к а я

В.

 

В.

Тонкие пленки в

радио»,

1967.

 

 

Ю.

 

Н.

Технология изготовления германиевых и кремниевых

13.

Т и х о н о в

 

диодов

 

и триодов. Изд-во «Энергия», 1964.

под

ред.

С.

П.

Г о р и н а .

14.

Травление полупроводников. Пер. с

англ,

Изд-во

 

«Мир»,

1965.

 

Методы расчета транзисторов. Изд-во «Энергия», 1971.

15.

Т р у т к о

А.

Ф.

16.

Ф а й н ш т е й н

 

С.

М.

Обработка и защита

поверхности

полупровод­

никовых

приборов.

 

Изд-во

«Энергия»,

1970.

 

 

 

 

 

 

микро­

17.

К у р н о с о в

 

А.

 

И.,

В о р о н к о в

Э. Н. Полупроводниковая

электроника.

Воениздат,

 

1973.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ОГЛАВЛЕНИЕ

У

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Стр.

Предисловие...........................................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

3

Введение . . . . . . . .

 

 

 

 

 

полупроводниковых

4

§

В.1. Основные этапы

в технологии производства

4

§

 

приборов

 

.................................................................................................

 

активных с т р у к т у р

 

 

\

В.2. Разновидности

транзисторов .

6

§

В.З.

Технологические

схемы получения некоторых

.

9

Глава

первая. Механическая

обработка

 

полупроводниковых материалов

12

§

1.1. Структура

кристаллического

твердого т е л а .............................

.

1 2

§

1.2. Абразивные м атер и ал ы ............................................................................

 

 

 

полупроводниковых

слитков

15

§

1.3. Кристаллографическая ориентация

18

§

1.4. Крепление

слитков

и п л а с т и н .............................................................

материалов

 

 

 

21

§

1.5.

Виды резки полупроводниковых

.................................

 

 

22

§

1.6.

Шлифовка

полупроводниковых

м ате р и а л о в .....................................

 

 

35

§

1.7.

Полировка

полупроводниковых

м атер и ал о в .....................................

 

 

39

§

1.8.

Качество приповерхностного слоя полупроводника после меха­

42

 

 

нической

обработки.....................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

Глава вторая. Химическая и электрохимическая обработка полупроводников

46

§

2.1.

Механизм

процесса

т р а в л е н и я ..............................................................

 

 

 

 

46

§

2.2.

Способы

травления

и п р о м ы в к и ........................................................

 

 

.

51

§

2.3.

Электрохимическая обработка поверхности полупроводников .

54

§

2.4.

Осаждение

гальванических

покрытий....................................................

 

 

 

56

§

2.5.

Химический

у ч а с т о к ................................................................................

в о д ы

 

 

 

60

§

2.6.

Получение

деионизованной

 

 

 

63

Глава

третья. Фотолитография..................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

67

§

3.1.

Основные сведения

о фотолитографии..............................................

 

 

 

67

§

3.2.

Фоторезисты..................................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

67

§

3.3.

Фотошаблоны и способы их получения...............................................

 

 

 

70

§

3.4.

Процесс фотолитографии

......................................................................

 

 

 

 

 

 

75

§

3.5.

Проекционная

оптическая фотолитография..........................................

 

 

 

79

§

3.6.

Бесшаблоиная

линзоворастррвая фотолитография.............................

 

 

82

§ 3.7.

Изготовление

металлических

м а с о к ...................................................

 

 

 

83

§

3.8.

Дефекты при проведении процесса фотолитографии......................

 

 

84

§

3.9.

Технологическое оборудование для фотолитографии......................

 

 

87

Глава

четвертая. Метод сп лавлен и я.......................................................................

 

 

 

 

 

 

 

92

§

4.1. Физико-металлургические основы образования сплавного

р-п-пе­

 

§

 

рехода ...........................................

 

 

 

 

 

 

:

.........................................................

 

 

 

92

4.2. Технология

получения сплавных ст р у к ту р ......................................

 

 

' 102

§ 4.3. Расчеты при сплавлении...........................................................................

 

 

 

 

сплавлении . .

 

109

§

4.4. Дефекты, возникающие в р-я-переходах при

. 120

§ 4.5. Контроль качества сплавных р-л-переходов....................................

 

 

123

Глава

пятая. Метод д и ф ф у зи и ...............................................................................

 

 

 

 

 

 

 

128

§

5.1.

Физические

основы

процесса

диффузии.............................................

 

 

 

128

§

5.2. Законы д и ф ф у зи и

.................................................................................

д и ф ф у зи и

 

 

132

§

5.3. Распределение

примеси при

 

 

.

136

§ 5.4. Диффузия в планарной технологии.....................................................

 

 

147

§

5.5. Техника проведения

процессов д и ф ф у зи и .........................................

 

 

 

152

§

5.6. Основные

д и ф ф у зан ты ...........................................................................

 

 

 

 

 

 

 

157

398

Смотрите также файлы