Файл: Фабрикант, В. Л. Элементы устройств релейной защиты и автоматики энергосистем и их проектирование учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 163

Скачиваний: 1

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Как следует из (8.97), Ucp> U cr, что несколько ограничивает применение схемы. Однако это ограничение может быть легко устранено использованием в качестве постоянной величины части напряжения стабилитрона, как показано на рис. 8.27, б.

В действительности напряжение срабатывания несколько боль­ ше, чем по (8.97), из-за наличия напряжения срабатывания нульиндикатора и падения напряжения от тока срабатывания нуль-ин-

дикатора

во

внутреннем

сопротивлении

потенциометра

R 1R 2 K R 1 + R 2 ) схемы рис. 8.27, а

[выражение

(3.13)] или внут­

реннем сопротивлении двух потенциометров схемы рис. 8.27, б. Обычно сопротивления потенциометров выбираются достаточно малыми, чтобы заметно не увеличивать напряжения срабатыва­

ния, и достаточно

большими, чтобы

ограничить

потребление

приемлемой величиной.

а является

балластным

Сопротивление

R 3 схемы рис. 8.27,

по отношению к стабилитрону и выбирается из условий, указан­ ных в § 5.11.

Недостатком схем рис. 8.27 является зависимость напряжения стабилитрона, а следовательно, и напряжения срабатывания от температуры. Для устранения этого недостатка необходима тем­ пературная стабилизация. Осуществление такой стабилизации применительно к схемам рис. 8.27 здесь не рассматривается.

Для схем рис. 8.27 необходимо напряжение U постоянного тока. Если схема должна быть использована для синусоидального напряжения, то его необходимо выпрямить (см. § 5.1-г-5.3) и под­ вести к схеме рис. 8.27. Если схема должна быть использована для синусоидального тока, то его необходимо преобразовать в напряжение (см. § 3.4), а затем полученное напряжение выпря­ мить. Более подробно схема рис. 8.27 рассматривается в [Л. 10]. Там же рассматриваются и другие возможные выполнения органов

содной электрической величиной.

В§ 2.4 рассмотрено также выполнение органа с одной элект­ рической величиной с использованием опрокидывающейся схемы.

Вкачестве примера опрокидывающейся схемы рассматривается схема с туннельным диодом (рис. 8.28) [Л.45]. Туннельный диод

имеет специфическую характеристику uT = f(iT),

вид которой пока­

зан на рис. 8.29.

при помощи тун­

Для получения опрокидывающейся схемы

нельного диода он включается последовательно с активным сопро­ тивлением (см. рис. 8.28). При этом напряжение на туннельном диоде по второму закону Кирхгофа

uT = UnHT- i TR.

(8.98)

Уравнение (8.98) изображается в координатах ыт, iT прямой, показанной на рис. 8.29 штрихами (нагрузочная линия). Так как значения ыт и tT должны одновременно удовлетворять характери­ стике диода, действительные их значения определяются точкой

401


пересечения нагрузочной линии [прямой (8.98)] с характеристи­ кой диода (рабочая точка). Для прямой рис. 8.29 таких точек три: точки 1 и 3 являются устойчивыми, а точка 2 неустойчивой.

+

Рис. 8.28. Опрокидывающаяся схе­ ма с туннельным ди&дом

Рис. 8.29. Характеристи­ ка туннельного диода и положение рабочей точки (цт, i' t ) в схеме рис. 8.28

Действительно, в точках 1 и 3 при случайном (например вызванном помехами) небольшом отклонении тока в диоде в сто­ рону его увеличения происходит, в соответствии с характеристикой диода, увеличение и напряжения диода. При этом левая часть уравнения (8.98), определяемая характеристикой диода, становит­ ся больше правой части, определяемой нагрузочной линией. В результате ток уменьшается и возвращается к прежнему значе­ нию. При отклонении тока в сторону его уменьшения произойдет уменьшение напряжения ит, левая .часть (8.98) станет меньше правой и ток возвратится к прежнему значению. Напротив, в точке 2 увеличение тока приводит к снижению напряжения «т, левая часть (8.98) становится меньше правой, что приводит к дальнейшему росту тока и снижению напряжения. Так продол­ жается до совпадения рабочей точки (ыт, £т) с точкой 1, где наступает новое равновесие. При уменьшении тока напряжение возрастает, что приводит к дальнейшему уменьшению тока и воз­ растанию напряжения до совпадения рабочей точки с точкой 3.

Положение нагрузочной линии [прямой (8.98)] зависит от сопротивления R и напряжения питания Umт. При изменении Нпнт прямая перемещается параллельно себе, пересекая каждый

раз ось абсцисс в точке ыт=£Лшт [по

(8.98) при

*т== 0].

Если £Лшт= 0, то прямая (8.98)

пересекает

характеристику

диода в начале координат (рис. 8.30, положение а).

При увеличении напряжения нагрузочная прямая скользит вверх (положения б, в, г). Опрокидывание в этой части характе­ ристики невозможно, так как точки пересечения 1 соответствуют устойчивому состоянию диода. Когда прямая достигнет касатель­ ной к характеристике диода (положение б), происходит опроки­ дывание, и рабочая точка перемещается во второе возможное

402


устойчивое состояние (точка 3). При этом скачком возрастает значение ит (ток £т несколько уменьшается).

В случае уменьшения напряжения прямая проходит положе­ ния д, г и в в обратном порядке. При этом точка пересечения 3

плавно скользит по характеристике диода в ее устойчивой

части.

Когда прямая достигает положения

 

 

 

касательной к этой части характе­

 

 

 

ристики (положение б), происходит

 

 

 

обратное

опрокидывание

диода, и

 

 

 

рабочая точка переходит в положе­

 

 

 

ние 1.

 

опрокидывание

 

 

 

Таким образом,

 

 

 

при возрастании напряжения пита­

 

 

 

ния происходит в точке касания на­

 

 

 

грузочной

линии к

характеристике

 

 

 

диода около максимума этой харак­

 

 

 

теристики.

Опрокидывание при

 

 

 

уменьшении напряжения

питания

 

 

 

происходит в точке касания нагру­

Рис. 8.30.

Перемещение

рабочей

зочной линии к характеристике дио­

да около

минимума

этой

характе­

точки при

изменении напряжения

Uпят

в схеме рис.

8.28

ристики.

Положение точки касания зави­

сит от наклона нагрузочной линии, т. е. от сопротивления R. Одна­ ко при R, достаточно больших по сравнению со значением

du^/dii в неустойчивой части характеристики, точка касания пе­ ремещается мало. Для разных типов диодов и разных температур это значение колеблется. Однако ориентировочно можно опреде­ лить —duTldiT= (0,1 -4-0,15)//опр. Для того, чтобы ток опрокидыва­ ния мало изменялся, а после опрокидывания напряжение доста­ точно сильно менялось, сопротивление R должно быть заметно больше этой величины. Принимаем

Я > 2 /» опр.

(8.99)

Кроме того, вблизи максимума кривой ток £т мало изменяется при небольших перемещениях точки касания. Поэтому можно считать, что ток t'onp, при котором происходит опрокидывание, мало зависит от сопротивления R.

Втабл. 8.2 даны наименования некоторых туннельных диодов

итоки £опр, соответствующие их опрокидыванию при увеличении

Таблица 8.2

Тип диода

гопр. м а

Тип диода

£опр-

Г-2А

1,35-И . 75

Р-2Ж

5,7н-7.2

Р-2Б

1,7-4-2,3

P-21I

6,8-4

-9,2

Р-2В

2,1-4-2,9

Р-2К

8,5-4

-11,5

Р-2Д

2,4-4-4,6

Р-2Л

9,5-4-14,5

Р-2Е

4,3-45,8

 

 

 

403


напряжения питания. Эти токи колеблются в зависимости от экземпляра диода.

Напряжение ы0пр. соответствующее таку ipnp, мало зависит от типа диода и составляет примерно 50 мв. Более значительна за­ висимость тока 1'опр от температуры. Для приведенных в табл. 8.2 типов диодов ток tonp уменьшается с уве­ личением температуры. Это уменьшение, практически линейное в небольшом ин­ тервале температур, можно охарактери­

зовать коэффициентом ke (%), подобным коэффициенту ke (%) для стабилитронов (см. § 5.11). Ток при температуре 0 мо­ жет быть выражен аналогично (5.99):

Рис. 8.31. Опрокидываю­ щаяся схема с туннель­ ным диодом и темпера­ турной компенсацией

ionp0— i0npo[l Н- (&е/Ю0) (0 — 20)], (8.100)

где 0 — температура, °С; ionpo — ток ionP при температуре 20° С.

Напряжение и0пР также зависит от температуры:

Мопрэ = « впр 0[1 +

(ЛёДОО ) ( 9 - 2 0 ) ] .

(8 .1 0 1 )

Как уже указывалось, для

туннельных диодов, приведенных

в табл. 8.2, коэффициент fee

отрицателен. Это дает

возмож­

ность осуществления простой температурной компенсации путем включения последовательно с туннельным диодом сопротивления R или стабилитрона, у которых температурный коэффициент ke

положителен (рис. 8.31).

 

для схемы рис.

8.28 получаем

В первом случае (включение R)

для условий опрокидывания

 

 

 

U = £ОПР0 ( R '

+ R

e ) . + и опр в,

(8.102)

где R' — часть сопротивления R,

не меняющаяся с изменением тем­

пературы; Re — значение второй части сопротивления R при тем­ пературе 0:

Я в = /Й [1 + Л * в (0 -2 0 )],

(8.103)

где Rl — значение R" при 0 = 20°С; kRe — температурный

коэффици­

ент сопротивления R".

 

Подставляя в (8.102) значения (опрв. из (8.100), иопре из (8.101) и

Re из (8.103),

найдем

 

U =

ionp9 ( R ' + R o ) + Wenp 0+

юо 1опр • ( * ' + Я о ) +

404


 

я

 

 

*ОПР0 R o +

kо

(0 - 2 0 )

+

Too"

° " м

 

 

 

+ - ^ k mi,m RUe-20)*.

(8.104)

Пренебрегая последним членом, ввиду его малости, находим, что независимость напряжения U от температуры достигается при равенстве нулю выражения в квадратных скобках. Значение

(&9/100) ыопр 0 также весьма мало и им можно пренебречь. Тогда получаем, что для независимости U от 0 необходимо

R’o/R' = — k'e!(ke + 100 kRe).

(8.105)

При

 

 

Лг/ге< /ее/100 < 0,

(8.106)

что обычно имеет место, Ro/R' > 0 ,

и условие (8.105) выпол­

нимо.

я

должно оставать­

При таком выполнении отношение

RolR'

ся постоянным. Поэтому регулировка этими сопротивлениями на­ пряжения на входе при условиях опрокидывания неудобна (нуж­ но регулировать одновременно два сопротивления). Эта регули­ ровка должна осуществляться другим аппаратом (например потенциометром), как и во втором из рассматриваемых случаев.

При выполнении (8.105) напряжение на входе при опрокиды­ вании

 

 

 

U = ‘ опро (Я* +

Яо)

+

«опро-

 

 

(8 .1 0 7 )

Во

втором случае

последовательно

с

туннельным

диодом

включается стабилитрон (см. рис. 8.31). При этом

напряжение

на входе при опрокидывании

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U' =

г'опрв (R + Яд.ст) + UCTe + Wonp 0 .

 

 

(8.108)

Подставляя

значения

tonpe из £(8.100),

 

и Ств

из

(5.99)

и ыОПр0 из

(8.101),

находим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

l‘onp0 -f- Яд.ст)

^СТО

^опрО +

 

*опрО

*0

(Я +

Яд.ст)

 

100

 

 

 

 

*0

 

я •

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

(0

20).

 

 

(8.109)

 

 

+ ^стО

100 ”Ь ^опрО

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Как и в первом случае, напряжение U' не зависит от темпе­

ратуры при равенстве нулю выражения

в .квадратных

скобках.

Пренебрегая,

как

и ранее,

величиной

ыопро(&е/100),

а также

Яд.ст, находим, что независимость

от

температуры

достигается

при

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4 0 5