Файл: Прикладная спектрометрия с полупроводниковыми детекторами..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 15.10.2024

Просмотров: 154

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ерных и диффузионно-дрейфовых ППД по числу 3Не, протонов иа-частнц [92—95].

Выход нейтронов, образующихся при реакциях (D, D) и (D, Т) в толстых мишенях промышленного изготовления, опре­ деляли по методике, описанной в работе [96]. Результаты вы­ числений погрешностей определения выхода нейтронов из обеих реакций приведены в табл. 3.6.

 

 

Т а б л и ц а

3.6

Погрешности определения выхода нейтронов при использовании

 

реакций (D, D) и (D, Т)

 

 

 

 

Погрешность

определения выхода

 

 

нейтронов. %

 

 

Тип детектора

реакция (D,

D)

реакция

 

 

 

(D .

Т)

 

ядра 3Ие

протоны

а-частицы

Поверхностно-барьерным ППД

± 9

+ 1 0

± 1 , 5

Диффузионно-дрейфовый ППД

 

± 1 , 5

Из приведенных в работе [96] данных следует, что измерение выхода нейтронов пз реакции (D, D) в толстых мишенях с высокой точностью возможно только с помощью й£/^л:-счетчн- ков. В настоящее время имеются технические предпосылки для таких измерений с помощью кремниевых dEjdx-UUJX для за­ ряженных частиц с энергией несколько сотен килоэлектрон­ вольт.

Специализированные ППД, используемые в спектрометрии заряженных частиц. Разнообразие задач, решаемых методами спектрометрии заряженных частиц, потребовало создания де­ текторов, удовлетворяющих различным требованиям физиче­ ского эксперимента. В этом разделе будут рассмотрены неко­ торые типы ППД, которые успешно применяются при решении узкого круга задач прикладной спектрометрии тяжелых заря­ женных частиц.

Первые исследования, проведенные с помощью ППД, вы­ явили влияние толщины мертвого слоя на нижний энергетиче­ ский порог регистрируемых заряженных частиц [97, 98]. В связи с этим были предприняты широкие исследования по определе­ нию технологических возможностей уменьшения толщины мерт­ вого слоя ППД. Одно из направлений этих исследований при­ вело к появлению детекторов ускоренных ионов, способных осу­ ществлять спектрометрию ионов со средним зарядом в энерге­ тическом диапазоне от единиц до сотен килоэлектронвольт.

152


Детекторы указанного типа, как правило, изготавливают по стандартной поверхностно-барьерной технологии, с той . лишь разницей, что принимаются меры по тщательной подготовке поверхности входного окна и индивидуальному контролю напы­ ляемого на ППД золота так, чтобы его количество не превы­ шало нескольких мпкрограммов на квадратный сантиметр [99]. Второе направление получения таких ППД использует технику имплантации ионов для создания как самого электронно-дыроч­ ного перехода, так и контактов ППД [100— 109].

Для регистрации длипнопробежных заряженных частиц, у которых пробег в кремнии превышает 10 мм, используют «ядерпые телескопы» [ПО— 115]. Они представляют собой набор детекторов, у которых вся толщина полупроводникового мате­ риала представляет собой обедненную область (чувствительную к ионизирующему излучению). В этом случае энерговыделение от ионизирующей длиннопробежпой частицы происходит не в одном детекторе, а в нескольких. Поэтому информация о пол­ ной энергии регистрируемой частицы получается при суммиро­ вании сигналов, снимаемых с отдельных детекторов. Единст­ венное требование к детекторам, собираемым в «ядерный теле­ скоп», состоит в том, что для обеспечения высокой энергетиче­ ской линейности отдельные детекторы должны иметь одинако­ вые значения эффективности собирания заряда. Ядерный теле­ скоп можно использовать и как пороговый спектрометрический детектор. В этом случае логическая система амплитудно-вре­ менной селекции должна осуществлять анализ сигналов с от­ дельных детекторов и отбирать для регистрации события толь­ ко те сигналы, которые связаны с регистрацией частицы в од­ ном детекторе н с отсутствием сигнала в соседнем детекторе.

Другая возможность регистрации длипнопробежных ча­ стиц— применение кремниевых детекторов с поперечным полем [15, 116], о которых упоминалось выше. Наряду с хорошими спектрометрическими свойствами детекторы с поперечным по­ лем обладают высокими временными свойствами.

Для спектрометрии длипнопробежных заряженных частиц можно использовать также материал с более высокой тормоз­ ной способностью, чем кремний. В работах [111, 117, 118] сооб­ щается об использовании германиевых ППД для спектрометрии длипнопробежных тяжелых заряженных частиц.

Для определения места попадания и энергии

регистрируе­

мой частицы в последние годы применяют так

называемые

«ядерные триоды» [101, 119— 124]. Применяют их

для опреде­

ления места регистрации заряженной частицы не только в од­ ном, но и в двух измерениях, преимущественно при исследова­ ниях угловых распределений и пространственных корреляций.

.Линейные размеры «ядерных триодов» колеблются в пределах от единиц до нескольких десятков миллиметров. Погрешность определения локализации частицы у таких ППД составляет

153


доли миллиметра, а энергетическое разрешение не превышает

50кэВ для а-частиц с энергией около 5 МэВ.

Отечественная промышленность и некоторые зарубежные-

фирмы освоили производство кремниевых пролетных ППД для измерения удельных потерь энергии. Толщина чувствительной' области этих детекторов лежит в пределах 10—200 мкм, энер­ гетическое разрешение для а-частнц с энергией около 5 МэВсоставляет 30— 100 кэВ.

В связи со спросом на компактные детекторы для измере­ ния рассеяния заряженных частиц па угол более 150° ряд зару­ бежных фирм освоил производство так называемых «круговых» или кольцевых ППД. Первичный поток заряженных частиц на­ правляется через отверстие в центре такого ППД, а рассеян­ ные от исследуемой поверхности заряженные частицы регист­ рируются ППД при «оптимальной» геометрии. Такие ППД. нашли широкое применение в плотномерах, а также в ускори­ тельной технике [125].

Некоторые фирмы (например, «Кевекс», «Ортек», «Айоц Физике»— США, «Филипс»— Голландия, «АБ Атомэнерги» — Швеция) рекламируют «линейчатые» ППД, которые предна­ значены для использования в масс-епектрометрин и в ускори­ тельной технике. С помощью специальной технологии изготов­ ления на заготовке для ППД формируются линейчатые детек­ торы с размерами чувствительной поверхности 1X20 мм и с расстояниями между ними 0,1—0,5 мм [126].

Один из недостатков ППД — сравнительно малая площадь чувствительной поверхности, определяемая диаметром (габа­ ритными размерами) слитка исходного полупроводникового! материала.

Для преодоления этого недостатка в СССР и за рубежом освоено промышленное производство мозаичных ППД, у кото­ рых в одном корпусе размещено несколько ППД (от 4 до 16.}

сменьшими размерами чувствительной поверхности.

Взаключение рассмотрим один из специфических типов ППД, который обладает не очень высокими спектрометриче­ скими характеристиками, но представляет тем не менее боль­ шой интерес. Это так называемый детектор иммерсионного типа

[127— 129],

чувствительная поверхность которого может быть

погружена

в кислый ра.створ и измерять непосредственно в

растворе a-излучение. Интересно заметить, что у детектора от­ сутствует в явном виде электрический контакт с входным ок­ ном, поскольку среда, в которой работает детектор, является токопроводящей. В связи с тем что регистрация а-частпц идет из практически бесконечно толстого слоя, аппаратурные спек­ тры сс-излучепия значительно деформированы. У таких детекто­ ров имеются некоторые особенности при эксплуатации, связан­ ные с сорбцией и электролитическим осаждением материалов на чувствительную поверхность ППД. Авторы указывают, что

154


очищение (десорбцию) можно осуществить переменной поляр­ ности напряжения смещения ППД.

В последнее время в технике физического эксперимента все большее применение находят комбинированные спектрометриче­ ские системы, позволяющие проводить спектрометрию заря­ женных частиц с одновременной их идентификацией или отбо­ ром. Эти системы основаны на определении удельных потерь регистрируемой частицы dEjdx и ее энергии Е. Отбор необхо­ димого типа частиц осуществляется по произведению E-dEjdx, которое пропорционально mZ2, где т — масса частицы, a Z — ее заряд [130]. В качестве детекторов для измерения Е исполь­ зуют поверхностно-барьерные, диффузионные или диффузион- л-ю-дрейфовые ППД. Для определения удельных потерь исполь­ зуют тонкие детекторы (толщиной 10— 15 мкм) специального ■изготовления. Детектор сделан таким образом, что его чувстви­ тельная область простирается на всю толщину полупроводни­

кового материала. Поэтому их иногда

называют «полностью

обедненные» или «пролетные». В работах [131 — 146]

описаны

как сами dE/dx-ППД, так и системы

идентификации

частиц.

Помимо традиционных материалов, используемых при изго­

товлении ППД

(кремний и германий),

изготовители ППД пред­

приняли поиски

материалов, которые

обеспечивают

возмож­

ность применения ППД в жестких условиях эксплуатации (по­

вышенные температуры и т.

д.). В

работах [147— 149]

сооб­

щается

об успешных исследованиях

применимости арсенида

галлия

/г-тнпа для создания

спектрометрических ППД.

Так, с

•использованием детектора из этого материала диаметром 2 мм было получено энергетическое разрешение 24,5 кэВ при спек­ трометрии а-частиц, испускаемых 24|Аш. В работах сооб­ щается, что детекторы устойчиво работают в широком диапазо­ не температур, что связано с довольно большой шириной пер­

вой запрещенной зоны (1,43

эВ).

 

При

работах

в условиях повышенных

температур (до

400° С)

находят

применение

детекторы из

карбида кремния.

Такие детекторы нашли широкое применение при внутрпреак-

торных исследованиях [150— 152].

Необходимо

отметить,

что,

несмотря на сохранение

работоспособности

при столь высоких

температурах

и высоких

радиационных

полях,

эти детекторы

■обладают сравнительно невысоким (10—20%)

энергетическим

разрешением.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы

 

 

 

1. Weiss W. L.,

Whatley Е. М.— «Nucleonics»,

1962,

v. 20, р. 147.

 

 

.2. Зубрицкий Л. А. и др.— «Р1зв. АН СССР. Сер. физ.»,

1961, т. 25,

10,

с. 1286.

 

 

 

 

 

 

 

 

3. Bertrand F.

Е. е. а.— «IEEE Trans.

Nucl. Sci.»,

1966,

v. NS-13,

No.

3,

p. 279.

4.Pehl R. H. e. a. — «IEEE Trans. Nucl. Sci.», 1966, v. NS-13, No. 3, p.274.

155


5.

Gruhn C.

R.— «IEEE Tmns. Nucl. Sci.», 1968, v. NS-15,

No. 3, p. 337.

6

. Bornand

B. CEA-Bib-90, 1968,

p. 76.

 

 

 

7.

List of Bill, on Nucl. Energy,

1968, v.

6 , No. 3, p.

14.

p. 279.

Marcus Z. e. a. — «Rev. Phys.

Appl.»,

1969, V. 4,

No. 2,

8

. Дирнлн Дж., Нортроп Д. С. Полупроводниковые счетчики ядериых пзлу-

.

 

чепин. Пер. с англ. М„ «Мир»,

1966.

 

 

 

9.Акимов Ю. К. и др. Полупроводниковые детекторы ядериых частиц и их применение. М., Атомпздат, 1967.

10. Dearnaley G., Whitehead А. В. — «Nucl. lustrum,

and

Melh.»,

1961,

v.

12,

No. 2, p. 205.

 

 

 

 

 

1 1 . Semiconductor Detectors. Solid State Technology,

1969,

v. 12.

No. 8 ,

p.

6 .

12.Ерыхайлов Ю. В. и др. В ки.: Ядерное приборостроение. Труды Союз, науч.-псслед. ии-та приборостроения. Вып. 12. М., Атомпздат, 1970.

13.

Blankenship J. L., Borkovski

С. J. — IRE

Trans,

in

Nucl.

Phvs.,

1960,

 

v. NS-7, No. 2—3. p. 190.

 

 

 

 

 

 

 

 

14.

Никитин Б. А. и др.— В

кп.:

Ядериое приборостроение

(в печати).

15.

Harvey N. Р., Bernou J.

Р.— IEEE Trans.

Nucl.

Sci.,

1970, v.

15— 17,

 

No. 3,

p. 306.

 

 

 

 

 

 

 

 

16.

Eisberg

R. e. a. — «Nucl.

Instrum, and Melh.», 1972,

v.

101,

No.. 1,

p. 85.

17.Drain D. e. a. Ibid., p. 107.

18.Захарчук О. В. и др .— В км.: Ядериое приборостроение. Труды. Союз,

 

науч.-псслед. ии-та приборостроения.

Вып. 14.

М., Атомпздат,

1971,

 

с. '128.

 

 

 

19.

Hansen W. L. е. а.— «J. Appl. Phys.»,

1963, v. 34, No. 5, p. 1570.

No. 1,

20.

Keil G., Lindner E.— «Nucl. lustrum,

and Melh.»,

1972, v. 101,

p. 43.

21.Антипов A. M. и др.— В ки.: Электронная техника. Сер. 2. Полупровод­ никовые приборы. 1968, вып. 4. с. 32.

22. Madden Т. С., Gibson W. Н.— «Rev. Sci. Instrum.», 1963, v. 34. No. 1,

p. 50.

23.Акимов T. И. и др. Выращивание оксидных пленок на рi—/г-переходах кремниевых детекторов в борной кислоте. Дубна, 1971. Сообщ. ОПЯИ, Лаб. ядериых проблем. 13—5834.

24.Крацикова И. и др. Стабилизация электрофизических параметров крем­

 

ниевых

 

р —i—/i-переходов

методом

епланнроваппя.

Дубна, 1969,.

 

13—4531.

 

 

 

 

 

 

 

25. Конова

А. А., Осипенко Б. П. Стабилизация

характеристик кремниевых

 

рi—/г-детскторов в условиях повышенной влажности путем оксидиро­

26.

вания поверхности электрохимическим методом. Дубна, 1968, 13—3723.

Amse!

G.— «Rev. Sci. Instrum.»,

1961. v. 32,

No.

11. p. 253.

27.

Webb

P.

P. e. a.—«IRE Trans,

in Nucl.

Phvs.».

1960, v.

NS-7, No. 2—3.

 

p. 199.

 

 

 

 

 

 

 

 

28.

Матвеев

В. В., Сельдяков

Ю.

П. — В

кн.:

Труды Союз, науч.-нсслед.

 

пн-та приборостроения. Вып.

1. М.. Атомпздат, 1964.

 

29.Брыкина Л. С. и др. — В кн.: Труды Союз, науч.-псслед. нн-та приборо­ строения. Вып. 5. М., Атомпздат, 196/.

30. Поденно

Н.

П., Степанов Э. К.— «Приборы п техника эксперимента»,

1969. №

2, с.

223.

31.Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Методы изме­ рения параметров. ГОСТ 17619—72.

32. Stein J. D., White F. R.— IEEE Trans. Nucl. Sci., 1970, v. NS-17, No. 4,

p.37.

33.Walker W. W. e. a. Report ORNL-3778 (1964).

34.

Caywood

J. M. e. a.— «Nucl.

Inslrum. and

Meth.»,

1970,

v. 79,

No.

2,

 

р. 329.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

35.

Kabayashi

H. e. a.— «Nucl. Instrum,

and Melh.», 1965,

v. 34,

No. 2,

p. 222,

36.

Shiroto

Sh.— «J. Phys. Soc. Japan»,

1965, v. 20, No. 5, p. 882.

2,

37.

Хейнс,

Уайтхэд.— «Приборы

для

научных

исследовании»,

1966,

 

с. 46.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

38.

Moak С.

D.— «Rev. Sci. Inslrum.»,

1966, v. 37, No. 9,

p. 1131.

 

 

156