Файл: Малкин, О. А. Импульсный ток и релаксация в газе.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 17.10.2024

Просмотров: 67

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

с / ч / Г ‘ ^

еЬяЛ £

 

 

 

 

Т ' &

О . А . М п . і :

ИМПУЛЬСНЫЙ

ток

ИРЕЛАКСАЦИЯ

ВГАЗЕ

О.А. Малкин

ИМПУЛЬСНЫЙ

ток

ИРЕЛАКСАЦИЯ

ВГАЗЕ

МОСКВА АТОМИЗДАТ 1974

УДК 533.72: 533.9

Гос. публичная

 

наѵчно-тсхн:-. ;вс*ая

 

Сй^.'.г'.ст«.:а '..ССГ

 

Г-“ “£Г:П".:-.Р

 

ч и т а л ь н о ю з а л а

 

Р/ - /ій*7/ /

М а л к и м О.

А. Импульсный ток и релаксация в

газе. М., Атомиздат,

1974, с. 280.

В книге описаны результаты экспериментального иссле­ дования элементарных процессов в квазнстациопарной и релакснрующей газоразрядной плазме при сильной и слабой ионизации. В слабоионизованной плазме изучена неравно­ весная функция распределения электронов по энергиям и ее влияние на коэффициенты скорости неупругих процессов и переноса, проведено сравнение полученных результатов с расчетом по теории, выявлена природа основных элементар­ ных процессов с участием молекулярных ионов в инертном газе. В силыіоионизованнон плазме исследованы условия реализации частичного и полного локального термодинами­ ческого равновесия, показана недостаточность прибли­ женных критериев равновесия Грима и др., проведено срав­ нение опытных данных с расчетом по приближенной теории МДП, разработанной Л. A4. Бнберманом, В. С. Воробьевым и И. Т. Якубовым. В результате исследования распада сильнононизованной плазмы получены температурные за­ висимости обобщенных коэффициентов рекомбинации водо­ родоподобных ионов водорода и гелия. Приведено описание общей картины элементарных процессов в низкотемператур­ ной плазме при различной степени ионизации.

В книге 63 рисунка, 11 таблиц, 334 библиографических наименований.

© Атомиздат, 1974


УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЙ ..

а — характерный размер неоднородности плазмЫ

А/Li — вероятность спонтанного излучательного перехода

/1 — атомный вес

Ь(к) — интенсивность равновесного излучения, вт-см~--см~1х

УСст ер -1

Со — скорость

света, 2,9979-ІО10 см-сек-1

С — электрическая емкость, числовая константа

D(K) — обратная

линейная дисперсия спектрального прибора,

К-мм~1

 

Dj — коэффициент диффузии частицы вида /

DaM — коэффициент амбиполяриой диффузии заряженных частиц

е0 — заряд электрона, 4,803-10-10 ед. СГСЭ е — основание натурального логарифма, 2,7183

Е — напряженность электрического

поля

S n — пороговая энергия неупругого

элементарного процесса

S,; — энергия возбужденного уровня

с квантовым номером к,

отсчитываемая от основного состояния

S k — то же, но с началом отсчета от границы соответствующего

коптимуума

S— энергия электронов в сплошном спектре энергий

— сила осциллятора в поглощении

[(S) — функция распределения электронов по энергиям

F— коэффициент, учитывающий отклонение функции распре­ деления электронов от равновесной

gic — статистический вес возбужденного уровня с квантовым номером к

Іі — постоянная Планка, 6,625-ІО"27 г-с,и2-сек-1

Н— напряженность магнитного поля

/— электрический ток

J — интенсивность излучения

— интенсивность потока частиц / 0(х) — функция Бесселя от мнимого аргумента

і — плотность электрического тока

k

— постоянная Больцмана,

1,38010_1С эрг-°І\-1

к

—■квантовое число (номер)

возбужденного уровня

I — характерный размер плазменного объема

L — длина канала разряда

. те — масса электрона М,тТ — масса тяжелой частицы

п — концентрация частиц одной нз компонент плазмы N — суммарная концентрация частиц

Рн — начальное давление газа г, /?тр — радиус разрядной трубки

R — электрическое сопротивление

S — площадь поверхности зонда, сечения разряда и т. п. Гр — «температура» распределения Г3 — «температура» заселения

t временная координата

3


и _ средняя направленная скорость электрона в электрическом поле

U

напряжение на электродах

разрядной трубки

V

полная скорость электрона

 

V — потенциал электрического зонда по отношению к плазме

j'j — вероятность

ступенчатого

столкновителыюго перехода

 

электрона

 

 

 

 

д'к — степень ионизации плазмы

 

г — заряд

нона

 

иона

 

2и — заряд

остаточного

 

2 Эфф — эффективный заряд

ионов

 

а — коэффициент скорости дезактивации, рекомбинации

ß — коэффициент

скорости

возбуждения, ионизации

у — коэффициент

распада

плазмы

öy,öny — коэффициент упругих

(пеупругих) потерь энергии элект­

 

рона

 

 

 

 

 

г(Х) — интенсивность непрерывного излучения плазмы

t*o — диэлектрическая постоянная

О — вероятность

вылета фотона из излучающего объема

Ко — коэффициент поглощения

частицы в плазме

X — длина

свободного пробега

А —■кулоновский логарифм для свободного и связанного со­

 

стояний электрона

 

 

 

J.L— подвижность частиц в электрическом поле

V — частота соударений

частиц в плазме

£(Х) — коэффициент, учитывающий отклонение реальной схемы термов от водородоподооия

о(с£) — сечение элементарного физического процесса

оэ — электропроводность газа

т— время релаксации в плазме

Ф— угол, описываемый радиусом разрядной трубки

%— табулированная функция для

расчетов по теории МДП

(О — круговая частота переменного

электрического поля

ООр — плазменная частота

 

ОБОЗНАЧЕНИЯ ИНДЕКСОВ

а — атом

ионизация

а. и — ассоциативная

Б — по теории Бейтса, по Бесселю

в — возбуждение,

вращательная «температура»

г — газ д — Дебая, диссоциативная рекомбинация

з — заселение и — ионизация

к — колебательная «температура»

н— нейтральный, начальный

п— пороговый, поглощение

р— распределения

т— тяжелый, теплопроводность иу,у — неупругий, упругий

э — электропроводность ФРЭ — функция распределения электронов

ЛТР — локальное термодинамическое равновесие

МДП — метод модифицированного диффузионного приближения


ПРЕДИСЛОВИЕ

Импульсный ток в газе представляет собой один из важ­ нейших способов получения низкотемпературной плазмы. Импульсные газоразрядные установки широко применяются в настоящее время в самых различных областях пауки и технологии — как источники света, в лазерах, электроэрозионных станках, сварочных аппаратах и в целой сово­ купности лабораторных, исследовательских и учебных мо­ делирующих установок.

В настоящей книге методы создания, свойства и парамет­ ры плазмы импульсного тока рассмотрены с точки зрения исследования физических явлений в стационарном и релакснрующем газе-плазме. При этом основное внимание уделено характеристикам так называемых элементарных процессов в плазме, которые являются единичными актами взаимодействия частиц-компонент плазмы. Именно ими обусловлены величины интегральных параметров плаз­ мы — давления, средних энергий, соотношений компонент и т. п. Поэтому задачу определения свойств низкотемпера­ турной плазмы и управления ими можно решить лишь в ре­ зультате рассмотрения совокупности элементарных про­ цессов, реализующихся в данных условиях. Общие черты подобного подхода к изучению низкотемпературной плазмы изложены в книге автора «Релаксационные процессы в га­ зе» (М., Атомиздат, 1971).

Сложность конкретных методов описания физических явлений с учетом большого числа элементарных процессов вызвала к жизни различные упрощенные физические модели плазмы. Выяснение границ применимости этих моделей возможно только экспериментальными исследованиями, число и качество которых пока, к сожалению, явно недо­ статочны .

5

Изложенные в книге оригинальные эксперименты м их анализ предприняты в целях выявления закономерностей элементарных процессов в двух крайних случаях существо­ вания плазмы: при слабой и сильной ионизация.

Экспериментальная часть описываемого исследования выполнена в течение 1968—1972 гг. на кафедре, руководимой Е. С. Треховым, в Московском ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физическом институте. Автор выражает глубокую благодарность тт. Е. К. Ерощенкову и А. В. Пышнову, принимавшим активное участие в разработке и мон­ таже экспериментальных установок и в непосредственном проведении опытов. За большую помощь в интерпретации и обсуждении полученных результатов автор благодарит профессора Л. С. Полака, старшего научного сотрудника ФИАН СССР В. Н. Колесникова, сотрудников теорети­ ческого отдела ИВТАН СССР В. С. Воробьева, Г. А. Коб­ зева, А. X. Мнацаканяна, И. Т. Якубова, М. Б. Желез­ няка, а также сотрудников МИФИ А. И. Луковнпкова, В. II. Селякова и В. Д. Миронова.