Файл: Ейльман, Л. С. Проводниковые материалы в электротехнике.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 67

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

через «щель» из валентной зоны в зону проводимости, необходима большая энергия (тепловая или св'етовая), которая должна быть почерпнута из внешнего источника. Даже изолятор с его очень большой «щелью» между энергетическими уровнями может иногда под воздействием света стать проводником.

Эта картина объясняет присутствие возбудимых и подвижных

электронов в

проводнике,

но необходимо еще объяснить способность

 

 

 

 

 

электронов

передвигаться

 

 

 

 

 

вдоль

поля и понять, почему

 

 

 

 

 

длина пути свободного пробе­

 

 

 

 

 

га

 

электронов

значительно

 

 

 

 

 

больше, чем расстояние между

 

 

 

 

 

атомами. Ответ на эти вопросы

 

 

 

 

 

связан

с волновой

природой

 

 

 

 

 

электронов. Оперируя понятия­

 

 

 

 

 

ми квантовой механики, элек­

 

 

 

 

 

трон в кристалле (подобно

 

 

 

 

 

другим частицам) можно опи­

 

 

 

 

 

сать как волну, модулируемую

Рис. 2. Волна

в

последовательные

электростатическим полем

ио­

нов,

с которыми он встречает­

моменты

времени.

 

 

ся.

В изоляторе

(рис.

2,а)

ско­

а — стоячая; б — бегущая.

 

 

рость

электронов

соответствует

стоячей

волне,

которая

 

не перемещается

ни в одном

направ­

лении. В проводниках скорость электронов соответствует бегущей

волне (рис. 2,6). Когда электрон проходит вблизи

иона, скорость

его резко возрастает (рис. 3). Волновая функция

электрона, дви­

жущегося в кристаллической решетке, модулируется в результате электростатического воздействия ионов. Три различные волновые функции '(сплошные линии на рис. 3) соответствуют трем различным направлениям в объемно-центрированной кристаллической решетке натрия. Во всех случаях суммарные энергии электрона одинаковы. Быстрое изменение волновой функции вблизи иона свидетельствует о том, что электрон в этой области обладает самой высокой кине­ тической энергией.

В свою очередь это означает, что в данной области электрон передвигается с очень большой скоростью и проводит в ней сравни­ тельно мало времени. В результате ионы оказывают значительно меньшее влияние, чем следовало бы ожидать, и во многих простых твердых телах электроны проводимости можно описывать как сво­ бодные частицы.

Другими словами, квантовая механика предсказывает, что в идеальной решетке ионы не создают сил трения, противодействую­ щих движению электронов, и электрическая проводимость в ней бесконечно велика. Реальные твердые тела никогда не являются совершенными. Даже если бы кристалл не имел примесей и дефек­ тов (например, дислокаций), обычные тепловые колебания его ато­ мов все равно вызвали бы достаточно большое рассеяние электро­ нов. Тем не менее волновые характеристики частиц показывают, что средняя длина свободного пробега электронов должна быть зна­ чительно больше, чем расстояние между атомами. Большая длина пробега позволяет объяснить наблюдаемую электрическую проводи­ мость металлов даже при относительно малом числе носителей.

Квантовая механика объясняет также, почему в процессе пере­ носа тока принимает участие лишь незначительная часть электронов

8


проводимости. Согласно

принципу Паули

одинаковое

положение

в пространстве,

осями

которого

являются

компоненты

скорости

электрона, могут занимать только

два электрона (с противополож­

ными спинами).

Другими словами, не больше двух электронов мо­

гут иметь одинаковую скорость и направление движения.

Вследствие

I

С

С

Рис. 3. Модуляция волновой функции электрона вбли­ зи атомов кристаллической решетки при движении в направлениях АЛ, ВВ, СС.

этого существует набор движущихся в одном направлении электро­ нов проводимости, скорость которых изменяется от нуля до опре­

деленного максимума.

Электроны с максимальной скоростью или энергией образуют условную поверхность, называемую поверхностью Ферми, которая соответствует границе между занятыми и свободными областями в пространстве скоростей или энергий. Поверхность Ферми в металле

соответствует

границам между занятыми

(кружочки) и незанятыми

(точки)

энергетическими состояниями

в пространстве скоростей

(рис. 4).

На

упрощенной двумерной диаграмме сферы Ферми каж-

9


Дай точка соответствует разрешенной скорости электрона с ком­ понентами v x и vy. Стрелки указывают направление увеличения ско­ рости. Электроны проводимости в твердом теле занимают в первую очередь положение, соответствующее низкой энергии. В отсутствие электрического поля общей скорости для системы как единого цело­ го не существует (рис. А,а). В стабильной электронной конфигурации кристалла одинаковое количество электронов движется с заданной скоростью в прямом и обратном направлениях.

'|

О

О

О О О О О О О О

о о о о о о о о о о

О

О

О

О

О

О

О

 

. \ * 0

О О

0 ^ ‘ V / ’ \° ° 0 °-Г

°

4

--------I - 0

- O - * -

о

а, .

S

 

.

/ о о о

о

CIO

- д

о

о

о

О

Т-

...■.

о

о

о о

о

о

о

о о о о

о о

о

 

 

 

 

п)

 

 

 

Рис. 4. Поверхность Ферми в металле.

а — при

отсутствии

электрического поля; б — при наложении

электрического

поля.

 

Если наложить электрическое поле, оно будет ускорять электро­ ны (в противоположном полю направлении). За короткое время каждый вектор скорости электрона получит небольшое приращение, параллельное полю. Такое изменение нарушает существовавшее до этого равновесное распределение скоростей и может быть охарак­ теризовано как сдвиг поверхностей Ферми (рис. 4,6). Если бы не было сопротивления, происходил бы непрерывный сдвиг поверхности Ферми, причем число скоростей вдоль поля все время возрастало бы, а против — уменьшалось.

Однако тепловые колебания ионов решетки и атомов примесей отклоняют электроны от их путей вдоль направления поля и устрем­ ляют часть из них в направлении, противоположном полю. Когда си­ ла торможения оказывается равной ускоряющей силе от приложен­ ного электрического поля, смещение поверхности Ферми прекращает­ ся. Общий сдвиг поверхности, соответствующий этому стационарно­ му состоянию, позволяет измерить скорость дрейфа электронного газа в направлении поля. Эту скорость можно увеличить путем при­ ложения более сильного поля или увеличения среднего свободного пути пробега электронов.

Если для пояснения понятия о поверхности Ферми воспользо­ ваться аналогиями, то следует себе представить сосуд с водой, на­ литой доверху. Уровень поверхности воды соответствует так назы­ ваемому уровню или энергии Ферми. Ниже этого уровня все со­ стояния заняты, над ним — свободны. Если сосуд слегка покачать, так чтобы лишь капли поверхностного слоя смогли попасть в воз­ дух, все другие капли будут задерживаться жидкостью внутри со­ суда. Принцип Паули в этом случае соответствует невозможности

10


двум различным

каплям

находиться

в одном и том

же месте.

Небольшой наклон сосуда моделирует влияние внешнего

электроста­

тического поля,

которое

вызывает

перераспределение

электронов,

приводящее к освобождению некоторых занятых состояний и за­ полнению свободных состояний. Изолятор же можно представить как закупоренный сосуд с водой, налитой доверху. Естественно, что наклон его не вызывает изменений формы поверхности воды.

Рассеяние электронов изменяет их энергию незначительно. Такое рассеяние перемещает электрон в пространстве скоростей из занято­ го состояния в свободное. Поскольку скорость дрейфа меньше ско­ рости электронов на поверхности Ферми, рассеиваться могут только немногочисленные электроны, находящиеся в непосредственной близости от поверхности Ферми.

Действительно процесс протекает таким образом, как будто только незначительная доля электронов принимает участие в процес­ се переноса тока. Аналогичное рассмотрение показывает также, почему наблюдаемый вклад электронов в удельную теплоемкость столь невелик.

Рассмотрим теперь некоторые важные механизмы рассеяния

врешетке (включая тепловые колебания и несовершенства решетки)

иих влияние на подвижность электронов при различных температу-

оах. В этой связи уже упоминалось о тепловых колебаниях атомов в кристаллической решетке. При умеренных температурах амплитуда таких колебаний мала, вследствие чего длина свободного пробега электронов значительно превышает расстояние между атомами. По мере повышения температуры колебания возрастают, длина среднего свободного пробега уменьшается, и электрическая проводимость кристалла также уменьшается. Наоборот, понижение температуры увеличивает длину свободного пробега и соответственно — электри­ ческую проводимость.

Конечно, существуют пределы повышения электрической прово­ димости при понижении температуры (за исключением особого слу­ чая сверхпроводящих металлов при очень низких температурах); эти пределы связаны с несовершенствами строения всех реальных кри­ сталлов.

В большинстве полупроводников и металлов наиболее часто встречающимися несовершенствами являются примеси (чужеродные атомы). Зависимости их рассеивающего действия от температуры в полупроводниках и металлах различны. В металлах, в которых электроны проводимости обладают относительно высокими скоростя­ ми при любых температурах, поскольку их скорость определяется в первую очередь поверхностью Ферми, а не температурой, рассеи­ вающее действие примесей постоянно и не зависит от температуры. Влияние примесей в полупроводнике весьма значительно зависит от температуры. При низких температурах, электроны, медленно по­ кидая атомы примеси, проводят в их окрестностях сравнительно большое время, поэтому более эффективно рассеиваются. С увели­ чением температуры скорость движения электронов увеличивается, и рассеивание на примесях становится менее эффективным. Можно полагать, что с повышением температуры длина среднего свободного пробега в проводнике возрастает до тех пор, пока колебания решет­ ки не становятся столь велики, что производят значительный рассеи­ вающий эффект. Кроме того, в металлах длина свободного пробега сохраняется неизменной вплоть до температур, при которых доми­ нирующим становится действие колебаний решетки.

П


Область низких температур, при которых влияние колебаний решетки мало, оказалась выгодной для эксплуатации проводников. Такие проводники, охлажденные до температуры жидкого азота, а в некоторых случаях еще ниже или выше, носят название крио­ проводников. Обычно в качестве таких проводников используют металлы, обладающие высокой электрической проводимостью и при комнатных температурах, а именно, медь, бериллий и т. и.

Особым случаем проводимости металлов является сверхпрово­ димость. Объяснение этому сложному и многогранному явлению было дано в 1957 г. теорией БКШ (Бардин, Купер, Шриффер) и независимо от них Н. Н. Боголюбовым. Сверхпроводимость сопро­ вождается рядом эффектов, объяснение которых основано на опре­

деленных положениях квантовой физики;

поэтому далее дается

лишь краткое феноменологическое описание этого явления.

Согласно Н Н. Боголюбову электроны

в металлах могут обра­

зовывать пары. Образование пар при низких температурах приводит к появлению особой компоненты, которая может быть уподоблена сверхтекучей электронной «жидкости», не встречающей сопротивле­ ния при перемещении.

В области температур от О К до критической температуры Т„р, при которой происходит конденсация значительного числа электрон­ ных пар, сосуществуют две различные компоненты '(фазы): сверх­ текучая и нормальная, образованная электронами проводимости. Экспериментальные исследования показали, что свойства веществ в этом состоянии сильно зависят от температуры и свойств обеих компонент.

Сверхтекучая жидкость может быть уподоблена макромолекуле, которая занимает объем всей системы и перемещается как целое. При О К завершается конденсация электронных пар, и все электро­ ны переходят в сверхтекучую компоненту, хотя при образовании пар во взаимодействие вовлекаются только электроны, расположен­ ные вблизи поверхности Ферми.

Природа возникновения электронных пар такова: при дефор­ мации решетки в результате охлаждения электрон оказывается окруженным «облаком» положительного заряда, притягивающегося к электрону. Размер этого заряда может превышать заряд элек­ трона. Такой электрон вместе с окружающим его «облаком» пред­ ставляет собой положительно заряженную систему, которая будет притягиваться к другому электрону.

Появление дополнительного межэлектрониого притяжения мо­ жет быть описано и согласно представлениям квантовой физики. Рассмотрим металл при температуре О К. Его кристаллическая решетка не находится в состоянии абсолютного покоя, а совершает так называемые «нулевые»'колебания, существование которых свя­ зано с квантово-механическим соотношением неопределенностей и соответствует основному состоянию гармонического осциллятора. Электрон, движущийся в кристалле, нарушает режим этих «нуле­ вых» колебаний и переводит решетку в возбужденное состояние. Обратный переход ее 'Сопровождается излучением энергии, которая поглощается другим электроном. Возбужденное состояние кристал­ лической решетки описывается с помощью особых квантов-фононов. Поэтому рассмотренный выше процесс можно представить себе как излучение фонона электроном, движущимся в решетке, и после­ дующее поглощение фонона другим электроном. Обменом фононами

12