Файл: Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 19.10.2024
Просмотров: 86
Скачиваний: 0
Механизм оже-рекомбинации хорошо объясняет также максимумы на кривых термовысвечивания экзоэлектронов, затухание эмиссии и влияение подсветки. Поэтому все чаще исследователи склоняются в пользу этой гипотезы при изучении экзоэлектронной эмиссии с ионных кристаллов [84,85], хотя для окончательных выводов требуется еще экспериментальная проверка. Что же касается результатов Грунберга и Райта, полученных для металлов, то они оказались ошибочными. Впоследствии было доказано, что длинноволновые максимумы фото
электронной эмиссии обусловлены незначительным пропусканием фильт ров в области ближнего ультрафиолета [86І. Ряд экспериментов не обнаружил эмиссии на длинах волн свыше 4000 К [34,36,87,881.
Гипотеза, |
предполагающая выброс экзоэлектронов из центров |
окрас |
ки ионных |
кристаллов. Эта гипотеза выдвинута для объяснения |
меха |
низма экзоэлектронной эмиссии только на ионных кристаллах. Тем не
менее ее следует обсудить, |
поскольку она может быть |
применена и |
||
к металлам. Действительно, |
можно считать твердо установленным, |
|||
что на зачищенных металлах экзоэлектронная эмиссия |
наблюдается |
|||
только в присутствии кислорода, т.е. в процессе образования |
окисла. |
|||
Поэтому не исключено, что экзоэлектрокы |
эмиттируют |
не из |
металла, |
|
а из окисла, как это уже предполагалось |
Грунбергом и Райтом. |
|||
На сходство процессов люминесценции и экзоэлектронной |
эмиссии |
|||
указал Крамер [9,10]. Для этих процессов одинаково |
необходима |
|||
предварительная активация, |
они оба затухают во времени. Их можно |
стимулировать нагревом либо длинноволновой подсветкой. Было обра щено внимание и на то, что если кристалл обладает экзоэлектронной активностью, то он является и люминофором. Но не все люминофоры способны эмиттировать экзоэлектроны. Естественно, что сходство этих двух явлений навело на мысль об их аналогичной природе.
Когда в изучении экзоэлектронной эмиссии делались первые шаги, люминесценция была изучена глубже. Поэтому не удивительно, что большая часть исследований велась в направлении параллельного изу чения и сопоставления эффекта Крамера и люминесценции, а основны ми объектами исследований служили некоторые окислы и кристаллы NaCl, AgCl, CaF, [89-99].
В настоящее время гипотеза общности центров захвата, ответст венных за люминесценцию и экзоэлектронную эмиссию, подвергается сомнению. Для фосфоров на основе CaSO,, и SrSCu можно считать твердо доказанным, что эти центры имеют разную природу, хотя и создаются одним и тем же активатором [100-103]. Установлено [91], что необходимым условием для возбуждения экзоэлектронной эмиссии является фотохимическое окрашивание кристаллов, например, с помо щью рентгеновского или ультрафиолетового излучения. Без фотохими ческого окрашивания экзоэлектронная эмиссия с ионных кристаллов не наблюдается ни при нагревании, ни при облучении видимым светом. В ряде работ показано [15,91,97], что центрами экзоэлектронной эмиссии в ионных кристаллах являются объемные центры окраски в приповерх ностных слоях. Особая роль здесь отводится F -центрам [99] , энерге
тическое состояние которых зависит от дислокаций L 97І С увеличением
12
плотности дислокаций возрастает плотность F-центров и, |
как следст |
вие, увеличивается интенсивность экзоэлектронной эмиссии. |
|
Интересной является и особенность смещения спектра |
термостиму- |
лпрованной эмиссии в зависимости от присутствия в кристалле фтори
стого лития краевых |
или |
винтовых |
дислокаций. |
В |
случае |
избытка крае |
|||
вых дислокаций |
(10е |
с м " 2 ) |
спектр |
сдвигается |
в |
сторону |
более |
низких |
|
температур по |
сравнению |
со |
спектром кристалла, |
содержащего |
избыток |
(107 с м - 2 ) винтовых дислокаций [ 971. Формирование эмиссионных свойств
кристаллов, очевидно, |
определяется |
и |
электрическими |
зарядами, |
|||
возникающими |
на ступеньках выхода |
дислокаций |
на поверхность, а т а к |
||||
же атмосферой |
заряженных вакансий |
[ 104]. Значительную |
роль здесь |
||||
играет и |
работа выхода |
электрона [90]. |
|
|
|||
Таким |
образом, с деформированной |
трением |
поверхности кристаллов |
каменной соли следует ожидать экзоэлектронную эмиссию, интенсив ность которой будет зависеть от режимов трения. Это подтверждается исследованиями авторов [105,106], по которым между ультрафиолето вой фосфоресценцией, дефектностью структуры и экзоэлектронной эмис сией наблюдалась определенная взаимосвязь. В настоящее издание не включен материал по исследованию ультрафиолетовой фосфоресценции и дефектности структуры монокристаллов каменной соли, подвергаемых
трению скольжения, который |
тесно связан с экзоэлектронной эмиссией. |
||||
|
В приведенном обзоре не |
рассматривается экзоэлектронная эмиссия |
|||
при |
трении скольжения, так как литературные сведения по этому ново |
||||
му |
направлению |
исследований |
ограничены |
и в основном на данном э т а |
|
пе |
представлены |
работами [107-119], на |
которых авторы |
остановятся |
|
в последующих главах. |
|
|
|
||
|
Каждая из приведенных выше гипотез ограничивается |
рассмотрени |
|||
ем |
одного или нескольких факторов, от которых зависит |
экзоэлектрон |
|||
ная |
эмиссия. Это является их общим недостатком, так как установле |
||||
но, |
что экзоэмиссия зависит |
одновременно от многих факторов: от |
структуры поверхности, ее дефектности, окисных и адсорбционных пле нок и их природы, температуры, освещенности, биографии исследуемого образца, характера деформации и пр. Весь этот комплекс трудно опи сать одной из имеющихся гипотез, тем более, что многие закономер ности экзоэлектронной эмиссии еще окончательно не выяснены, что особенно относится к трению, скольжения. Поэтому применимость той или иной гипотезы, а также представления авторов о природе экзоэлек
тронной эмиссии будут изложены при |
постановке соответствующих з а |
дач и обсуждении экспериментальных |
данных. |
Глава IT.
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ДЕТЕКТОРАХ. ОБОСНОВАНИЕ МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА ПРИ ВЫБОРЕ ДЕТЕКТОРА
Природа экзоэлектронной эмиссии не может быть познана, пока не будет предложена физическая модель, которая не только даст удовле творительное качественное описание эффекта, но и' подтвердит его к о личественные характеристики.
При теоретическом обобщении результатов многочисленных экспе риментальных исследований экзоэлектронной эмиссии приходится стал киваться с трудностями сопоставления данных различных исследовате лей. Причины этих затруднений заключаются в том, что пока нет еди ной общепринятой методики экспериментов, что зачастую не контроли руются параметры, влияющие на интенсивность и кинетику экзоэлектрон
ной эмиссии (спектральный состав |
и интенсивность света, состав а т м о |
сферы, температура и т.п.). При |
проведении экспериментов иногда |
решающее значение имеют конструкции и режим работы регистрирующе го устройства, которое само может оказывать влияние на детектиру емый процесс. Возникает своего рода обратная связь: эмиссия вызы
вает в |
детекторе |
процессы, которые изменяют свойства эмиттирующей |
поверхности либо |
начальные условия эксперимента и тем самым влия |
|
ют на |
интенсивность эмиссии. Наконец, говоря об интенсивности э к з о |
|
электронной эмиссии, большинство исследователей имеют в виду не |
||
число |
излучаемых |
поверхностью электронов, а число импульсов на в ы |
ходе регистриующего устройства. Анализ их работ показал! что соот |
|
ношение между этими величинами, как правило, не оценивалось. Меж |
|
ду тем, даже для относительных измерений необходимо проверить ли |
|
нейность зависимости между интенсивностью эмиссии и скоростью |
|
счета детектора, а для абсолютных - |
еще и определить его эффектив |
ность. Кроме того, необходимо учесть, что измерения проводятся на |
|
фоне ложных импульсов детектора. При незначительном изменении у с |
|
ловий эксперимента резко возросшее число ложных импульсов может |
|
совершенно исказить результаты измерений. Поэтому необходимо пра |
|
вильно подобрать и обосновать методику эксперимента, разобраться в |
|
физических процессах, сопровождающих |
регистрацию экзоэлектронов. |
Интенсивность экзоэлектронной |
эмиссии очень мала и иногда м о |
жет соответствовать всего лишь нескольким десяткам электронов, |
|
излучаемым с 1 с м 1 поверхности |
за 1 мин. В пересчете на плотность |
тока это составит »10"" 1 ' а / с м 2 . |
Существующие методы усиления и |
преобразования постоянного тока |
позволяют надежно регистрировать |
14
его величину до 10"14 а. Для регистрации меньших токов приходится использовать методы ядерной физики. Но в ядерной физике элементар ные частицы обладают большими энергиями и вызывают значительный ионизационный эффект в веществе детектора, а энергия экзоэлектронов составляет единицы и даже доли электронвольта. В связи с этим т е х ника регистрации экзоэлектронной эмиссии имеет свою специфику.
1. Регистрация с помощью газоразрядных счетчиков
Газоразрядный счетчик в простейшем случае представляет собой объем, заполненный газом, в который помещены два электрода. Элек трон, попавший в промежуток между этими двумя электродами, будет дрейфовать против силовых линий электрического поля, испытывая большое число соударений с молекулами газа. Длина пути свободного пробега между двумя соударениями зависит от состава газа, его д а в ления и температуры. При достаточно большой напряженности электри
ческого поля электрон, |
ускоряясь |
на пути свободного |
пробега, |
получа |
ет энергию, достаточную для ионизации молекулы газа . Тогда |
соударе |
|||
ние может привести к |
появлению |
нового электрона и |
положительного |
иона. Дрейфуя дальше к аноду, электроны создают новые электронноионные пары, число которых лавинообразно нарастает. Процесс разви тия такой лавины описывается коэффициентом ударной ионизации а, который определяется числом соударений электрона с молекулами газа на 1 см пути в направлении электрического поля. При некоторых упро щающих предположениях [120-122]
|
|
|
Ь |
|
|
|
|
а |
= аре |
Е / Р |
|
|
|
(2Л ) |
|
где |
а и |
b |
- константы |
данного |
газа; |
р - давление газа; |
Е _ на |
пряженность |
электрического поля. |
|
|
||||
Положительные ионы, |
будучи |
намного |
тяжелее электрона, |
медленно |
дрейфуют к катоду. Их энергия практически не превышает средней энер гии теплового движения нейтральных молекул газа . Увеличение числа
электронов за счет ионизационных соударений получило |
название |
г а з о |
||
вого усиления. Увеличение тока |
в межэлектродном промежутке за счет |
|||
газового усиления описывается |
коэффициентом газового |
усиления |
т . |
|
Для однородного |
поля, где а не |
зависит от координаты, |
величину |
m |
рассчитывают по |
формуле |
|
|
|
m = е"*, |
|
|
(2.2) |
где X - расстояние от анода, с которого начинается ударная ионизация. Счетчик с однородным полем имеет тот недостаток, что коэффици
ент газового усиления зависит от места влета электрона. В счетчике с неоднородным полем область высоких напряженностей поля сосредо точена вблизи электрода с большей кривизной и ударная ионизация
15
происходит только в узкой части пространства, окружающего этот электрод. Для счетчика с цилиндрической или сферической формой
электродов можно записать |
|
|
|
|
||
|
|
г |
|
|
|
|
|
|
fa(r)dr |
|
|
|
( 2 о) |
где |
га |
- радиус анода; г - расстояние |
от |
центра |
до места |
возникно |
вения |
ударной ионизации. |
|
|
|
|
|
|
Независимо от места влета первичные электроны на пути к аноду |
|||||
пройдут всю область ударной ионизации |
и |
создадут |
лавины |
одинако |
||
вой |
мощности. Рассмотрением одного процесса ударной ионизации и |
возникновения электронно-ионной лавины (так называемые первичные таунсендовские явления) можно ограничиться при небольших напряже
ниях на |
электродах, когда величина m |
не превышает 10 2 |
- |
Ю-3 . Счет |
||||||
чик с таким газовым усилением носит |
название пропорционального, |
|||||||||
так как |
число |
электронов в лавине и величина импульса |
пропорцио |
|||||||
нальны |
числу |
первичных |
электронов, |
одновременно |
попадающих |
в |
р а |
|||
бочий объем. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
При |
больших напряжениях на счетчике нельзя пренебрегать |
влияни |
||||||||
ем вторичных |
таунсендовских процессов. Двигаясь |
к аноду, |
электроны |
|||||||
наряду |
с ионизацией возбуждают нейтральные молекулы. |
Возвращаясь |
||||||||
из возбужденного состояния в основное, молекулы |
высвечивают |
жест |
||||||||
кие световые |
кванты с |
энергией hi/ |
> 10 эв. Эта |
энергия |
превышает |
|||||
работу |
выхода |
обычных |
материалов, |
из |
которых изготовляется |
катод |
счетчика. В результате фотоэффекта из катода вырываются новые элек
троны, которые быстро дрейфуют к области ударной ионизации, |
созда |
|
ют новые электронно-ионные и фотонные лавины. Накопляющиеся |
после |
|
каждой лавины положительные ионы практически не успевают |
сдвинуть |
|
ся с места своего возникновения, так как их скорость дрейфа |
в |
103 |
раз меньше скорости дрейфа электронов. Ионы постепенно экранируют анод от внешнего поля. При этом напряженность поля снижается. Ког - ,да она станет меньше предельного значения, необходимого для удар ной ионизации, электронно-фотонные лавины прекратятся.
Осевшие на катоде положительные ионы, обладая большой потен циальной энергией, могут вырвать новые электроны. Так как простран ство вблизи анода уже очистилось от ионов и стала возможной удар ная ионизация, серия электронно-фотонных лавин и весь цикл повторя ются снова. Счетчик переходит в режим самостоятельного разряда. Разность потенциалов, при которой разряд приобретает характер само стоятельного, называется напряжением зажигания.
Рассмотрим счетчики с формой электродов в виде коаксиальных цилиндров или концентрических сфер, анодом в которых является элек трод с меньшим радиусом. В этом случае ионизационные явления про исходят вблизи анода и при некоторых условиях вокруг него может возникнуть свечение - коронный разряд. В счетчиках Гейгера попада ние электрона или ионизирующего излучения в газоразрядный промежу ток вызывает вспышку коронного разряда.
16