Файл: Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 86

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Механизм оже-рекомбинации хорошо объясняет также максимумы на кривых термовысвечивания экзоэлектронов, затухание эмиссии и влияение подсветки. Поэтому все чаще исследователи склоняются в пользу этой гипотезы при изучении экзоэлектронной эмиссии с ионных кристаллов [84,85], хотя для окончательных выводов требуется еще экспериментальная проверка. Что же касается результатов Грунберга и Райта, полученных для металлов, то они оказались ошибочными. Впоследствии было доказано, что длинноволновые максимумы фото­

электронной эмиссии обусловлены незначительным пропусканием фильт­ ров в области ближнего ультрафиолета [86І. Ряд экспериментов не обнаружил эмиссии на длинах волн свыше 4000 К [34,36,87,881.

Гипотеза,

предполагающая выброс экзоэлектронов из центров

окрас­

ки ионных

кристаллов. Эта гипотеза выдвинута для объяснения

меха­

низма экзоэлектронной эмиссии только на ионных кристаллах. Тем не

менее ее следует обсудить,

поскольку она может быть

применена и

к металлам. Действительно,

можно считать твердо установленным,

что на зачищенных металлах экзоэлектронная эмиссия

наблюдается

только в присутствии кислорода, т.е. в процессе образования

окисла.

Поэтому не исключено, что экзоэлектрокы

эмиттируют

не из

металла,

а из окисла, как это уже предполагалось

Грунбергом и Райтом.

На сходство процессов люминесценции и экзоэлектронной

эмиссии

указал Крамер [9,10]. Для этих процессов одинаково

необходима

предварительная активация,

они оба затухают во времени. Их можно

стимулировать нагревом либо длинноволновой подсветкой. Было обра­ щено внимание и на то, что если кристалл обладает экзоэлектронной активностью, то он является и люминофором. Но не все люминофоры способны эмиттировать экзоэлектроны. Естественно, что сходство этих двух явлений навело на мысль об их аналогичной природе.

Когда в изучении экзоэлектронной эмиссии делались первые шаги, люминесценция была изучена глубже. Поэтому не удивительно, что большая часть исследований велась в направлении параллельного изу­ чения и сопоставления эффекта Крамера и люминесценции, а основны­ ми объектами исследований служили некоторые окислы и кристаллы NaCl, AgCl, CaF, [89-99].

В настоящее время гипотеза общности центров захвата, ответст­ венных за люминесценцию и экзоэлектронную эмиссию, подвергается сомнению. Для фосфоров на основе CaSO,, и SrSCu можно считать твердо доказанным, что эти центры имеют разную природу, хотя и создаются одним и тем же активатором [100-103]. Установлено [91], что необходимым условием для возбуждения экзоэлектронной эмиссии является фотохимическое окрашивание кристаллов, например, с помо­ щью рентгеновского или ультрафиолетового излучения. Без фотохими­ ческого окрашивания экзоэлектронная эмиссия с ионных кристаллов не наблюдается ни при нагревании, ни при облучении видимым светом. В ряде работ показано [15,91,97], что центрами экзоэлектронной эмиссии в ионных кристаллах являются объемные центры окраски в приповерх­ ностных слоях. Особая роль здесь отводится F -центрам [99] , энерге­

тическое состояние которых зависит от дислокаций L 97І С увеличением

12


плотности дислокаций возрастает плотность F-центров и,

как следст­

вие, увеличивается интенсивность экзоэлектронной эмиссии.

Интересной является и особенность смещения спектра

термостиму-

лпрованной эмиссии в зависимости от присутствия в кристалле фтори­

стого лития краевых

или

винтовых

дислокаций.

В

случае

избытка крае ­

вых дислокаций

(10е

с м " 2 )

спектр

сдвигается

в

сторону

более

низких

температур по

сравнению

со

спектром кристалла,

содержащего

избыток

(107 с м - 2 ) винтовых дислокаций [ 971. Формирование эмиссионных свойств

кристаллов, очевидно,

определяется

и

электрическими

зарядами,

возникающими

на ступеньках выхода

дислокаций

на поверхность, а т а к ­

же атмосферой

заряженных вакансий

[ 104]. Значительную

роль здесь

играет и

работа выхода

электрона [90].

 

 

Таким

образом, с деформированной

трением

поверхности кристаллов

каменной соли следует ожидать экзоэлектронную эмиссию, интенсив­ ность которой будет зависеть от режимов трения. Это подтверждается исследованиями авторов [105,106], по которым между ультрафиолето­ вой фосфоресценцией, дефектностью структуры и экзоэлектронной эмис ­ сией наблюдалась определенная взаимосвязь. В настоящее издание не включен материал по исследованию ультрафиолетовой фосфоресценции и дефектности структуры монокристаллов каменной соли, подвергаемых

трению скольжения, который

тесно связан с экзоэлектронной эмиссией.

 

В приведенном обзоре не

рассматривается экзоэлектронная эмиссия

при

трении скольжения, так как литературные сведения по этому ново­

му

направлению

исследований

ограничены

и в основном на данном э т а ­

пе

представлены

работами [107-119], на

которых авторы

остановятся

в последующих главах.

 

 

 

 

Каждая из приведенных выше гипотез ограничивается

рассмотрени­

ем

одного или нескольких факторов, от которых зависит

экзоэлектрон­

ная

эмиссия. Это является их общим недостатком, так как установле­

но,

что экзоэмиссия зависит

одновременно от многих факторов: от

структуры поверхности, ее дефектности, окисных и адсорбционных пле­ нок и их природы, температуры, освещенности, биографии исследуемого образца, характера деформации и пр. Весь этот комплекс трудно опи­ сать одной из имеющихся гипотез, тем более, что многие закономер­ ности экзоэлектронной эмиссии еще окончательно не выяснены, что особенно относится к трению, скольжения. Поэтому применимость той или иной гипотезы, а также представления авторов о природе экзоэлек­

тронной эмиссии будут изложены при

постановке соответствующих з а ­

дач и обсуждении экспериментальных

данных.


Глава IT.

ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ДЕТЕКТОРАХ. ОБОСНОВАНИЕ МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА ПРИ ВЫБОРЕ ДЕТЕКТОРА

Природа экзоэлектронной эмиссии не может быть познана, пока не будет предложена физическая модель, которая не только даст удовле­ творительное качественное описание эффекта, но и' подтвердит его к о ­ личественные характеристики.

При теоретическом обобщении результатов многочисленных экспе­ риментальных исследований экзоэлектронной эмиссии приходится стал ­ киваться с трудностями сопоставления данных различных исследовате­ лей. Причины этих затруднений заключаются в том, что пока нет еди­ ной общепринятой методики экспериментов, что зачастую не контроли­ руются параметры, влияющие на интенсивность и кинетику экзоэлектрон­

ной эмиссии (спектральный состав

и интенсивность света, состав а т м о ­

сферы, температура и т.п.). При

проведении экспериментов иногда

решающее значение имеют конструкции и режим работы регистрирующе­ го устройства, которое само может оказывать влияние на детектиру­ емый процесс. Возникает своего рода обратная связь: эмиссия вызы ­

вает в

детекторе

процессы, которые изменяют свойства эмиттирующей

поверхности либо

начальные условия эксперимента и тем самым влия­

ют на

интенсивность эмиссии. Наконец, говоря об интенсивности э к з о ­

электронной эмиссии, большинство исследователей имеют в виду не

число

излучаемых

поверхностью электронов, а число импульсов на в ы ­

ходе регистриующего устройства. Анализ их работ показал! что соот­

ношение между этими величинами, как правило, не оценивалось. Меж ­

ду тем, даже для относительных измерений необходимо проверить ли­

нейность зависимости между интенсивностью эмиссии и скоростью

счета детектора, а для абсолютных -

еще и определить его эффектив­

ность. Кроме того, необходимо учесть, что измерения проводятся на

фоне ложных импульсов детектора. При незначительном изменении у с ­

ловий эксперимента резко возросшее число ложных импульсов может

совершенно исказить результаты измерений. Поэтому необходимо пра­

вильно подобрать и обосновать методику эксперимента, разобраться в

физических процессах, сопровождающих

регистрацию экзоэлектронов.

Интенсивность экзоэлектронной

эмиссии очень мала и иногда м о ­

жет соответствовать всего лишь нескольким десяткам электронов,

излучаемым с 1 с м 1 поверхности

за 1 мин. В пересчете на плотность

тока это составит »10"" 1 ' а / с м 2 .

Существующие методы усиления и

преобразования постоянного тока

позволяют надежно регистрировать

14


его величину до 10"14 а. Для регистрации меньших токов приходится использовать методы ядерной физики. Но в ядерной физике элементар­ ные частицы обладают большими энергиями и вызывают значительный ионизационный эффект в веществе детектора, а энергия экзоэлектронов составляет единицы и даже доли электронвольта. В связи с этим т е х ­ ника регистрации экзоэлектронной эмиссии имеет свою специфику.

1. Регистрация с помощью газоразрядных счетчиков

Газоразрядный счетчик в простейшем случае представляет собой объем, заполненный газом, в который помещены два электрода. Элек­ трон, попавший в промежуток между этими двумя электродами, будет дрейфовать против силовых линий электрического поля, испытывая большое число соударений с молекулами газа. Длина пути свободного пробега между двумя соударениями зависит от состава газа, его д а в ­ ления и температуры. При достаточно большой напряженности электри­

ческого поля электрон,

ускоряясь

на пути свободного

пробега,

получа­

ет энергию, достаточную для ионизации молекулы газа . Тогда

соударе­

ние может привести к

появлению

нового электрона и

положительного

иона. Дрейфуя дальше к аноду, электроны создают новые электронноионные пары, число которых лавинообразно нарастает. Процесс разви­ тия такой лавины описывается коэффициентом ударной ионизации а, который определяется числом соударений электрона с молекулами газа на 1 см пути в направлении электрического поля. При некоторых упро­ щающих предположениях [120-122]

 

 

 

Ь

 

 

 

 

а

= аре

Е / Р

 

 

 

(2Л )

где

а и

b

- константы

данного

газа;

р - давление газа;

Е _ на­

пряженность

электрического поля.

 

 

Положительные ионы,

будучи

намного

тяжелее электрона,

медленно

дрейфуют к катоду. Их энергия практически не превышает средней энер­ гии теплового движения нейтральных молекул газа . Увеличение числа

электронов за счет ионизационных соударений получило

название

г а з о ­

вого усиления. Увеличение тока

в межэлектродном промежутке за счет

газового усиления описывается

коэффициентом газового

усиления

т .

Для однородного

поля, где а не

зависит от координаты,

величину

m

рассчитывают по

формуле

 

 

 

m = е"*,

 

 

(2.2)

где X - расстояние от анода, с которого начинается ударная ионизация. Счетчик с однородным полем имеет тот недостаток, что коэффици­

ент газового усиления зависит от места влета электрона. В счетчике с неоднородным полем область высоких напряженностей поля сосредо­ точена вблизи электрода с большей кривизной и ударная ионизация

15


происходит только в узкой части пространства, окружающего этот электрод. Для счетчика с цилиндрической или сферической формой

электродов можно записать

 

 

 

 

 

 

г

 

 

 

 

 

 

fa(r)dr

 

 

 

( 2 о)

где

га

- радиус анода; г - расстояние

от

центра

до места

возникно­

вения

ударной ионизации.

 

 

 

 

 

Независимо от места влета первичные электроны на пути к аноду

пройдут всю область ударной ионизации

и

создадут

лавины

одинако­

вой

мощности. Рассмотрением одного процесса ударной ионизации и

возникновения электронно-ионной лавины (так называемые первичные таунсендовские явления) можно ограничиться при небольших напряже­

ниях на

электродах, когда величина m

не превышает 10 2

-

Ю-3 . Счет ­

чик с таким газовым усилением носит

название пропорционального,

так как

число

электронов в лавине и величина импульса

пропорцио­

нальны

числу

первичных

электронов,

одновременно

попадающих

в

р а ­

бочий объем.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

При

больших напряжениях на счетчике нельзя пренебрегать

влияни­

ем вторичных

таунсендовских процессов. Двигаясь

к аноду,

электроны

наряду

с ионизацией возбуждают нейтральные молекулы.

Возвращаясь

из возбужденного состояния в основное, молекулы

высвечивают

жест ­

кие световые

кванты с

энергией hi/

> 10 эв. Эта

энергия

превышает

работу

выхода

обычных

материалов,

из

которых изготовляется

катод

счетчика. В результате фотоэффекта из катода вырываются новые элек ­

троны, которые быстро дрейфуют к области ударной ионизации,

созда ­

ют новые электронно-ионные и фотонные лавины. Накопляющиеся

после

каждой лавины положительные ионы практически не успевают

сдвинуть­

ся с места своего возникновения, так как их скорость дрейфа

в

103

раз меньше скорости дрейфа электронов. Ионы постепенно экранируют анод от внешнего поля. При этом напряженность поля снижается. Ког - ,да она станет меньше предельного значения, необходимого для удар­ ной ионизации, электронно-фотонные лавины прекратятся.

Осевшие на катоде положительные ионы, обладая большой потен­ циальной энергией, могут вырвать новые электроны. Так как простран­ ство вблизи анода уже очистилось от ионов и стала возможной удар­ ная ионизация, серия электронно-фотонных лавин и весь цикл повторя­ ются снова. Счетчик переходит в режим самостоятельного разряда. Разность потенциалов, при которой разряд приобретает характер само ­ стоятельного, называется напряжением зажигания.

Рассмотрим счетчики с формой электродов в виде коаксиальных цилиндров или концентрических сфер, анодом в которых является элек­ трод с меньшим радиусом. В этом случае ионизационные явления про­ исходят вблизи анода и при некоторых условиях вокруг него может возникнуть свечение - коронный разряд. В счетчиках Гейгера попада­ ние электрона или ионизирующего излучения в газоразрядный промежу­ ток вызывает вспышку коронного разряда.

16