Файл: Евдокимов, В. Д. Экзоэлектронная эмиссия при трении.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 99

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ны

весьма

существенны. На рис. 13 показано

рассчитанное авторами

уменьшение

энергии

эпектронов,

разогнанных

до 50 кэв, на пути про­

бега в веществе. Расчеты проводились по формуле для экстраполиро­

ванного пробега R 3

электронов

[165]

 

R 3 = 412 Ео П

мг/см',

 

 

(2.13)

где

п = 1,265

- 0,0954

In E Q ) а

начальная энергия электронов лежит

в пределах

10

< E Q

<

2500 кэв.

 

 

 

По этому же графику можно найти пробег электронов с любой дру­

гой

начальной

энергией, если отсчитывать его не с 50 кэв, а от соот­

ветствующего значения Е. Например, если энергия электрона в сцин-

тилляторе составляет

20 кэв, а толщина алюминиевой фольги равна

 

2 мкм (0,52 м г / с м ' ) ,

то требуемая начальная энергия электронов

бу­

дет равна 27 кэв. Для фольги толщиной 5 мкм потребуется энергия

в

36 кэв. Применяя N a J ( T l )

вместо пластмассового сцинтиллятора,

мож ­

но тем самым уменьшить

необходимую энергию для фольги в 2 мкм до

18 кэв, а для фольги в 5 мкм - до 30 кэв. Но тогда придется мириться со значительно меньшей эффективностью регистрации, так как большая часть электронов будет выходить из кристалла вследствие эффекта об­ ратного рассеивания.

Возможная конструкция детектора медленных электронов с органи­ ческим сцинтиллптором приведена на рис. 14. Волоконный световод этого детектора позволяет вынести ФЭУ за пределы вакуумной камеры. Ускоряющее поле между внутренней сеткой и фольгой, закрывающей сцинтиллятор, устраняет опасность автоэлектронной эмиссии с поверх­ ности образца и влияние ионизации остаточных газов. Вторая, наруж­ ная, сетка необходима для лучшей экранировки образца от ускоряющего поля. Детектор испытывался автором его конструкции [166] в токовом режиме, но, по нашему мнению, при увеличении ускоряющего напряже­ ния он может быть пригодным и в импульсном режиме для регистрации отдельных экзоэлект-ронов.

4. Другие методы регистрации экзоэлектропов. Опасность

ложных импульсов

Выше были рассмотрены основные типы детекторов экзоэлектропов. Только в редких случаях использовались другие регистрирующие устрой­ ства - электрометр [167] и пнкоамперметр [47] . Есть также сообще­

ния о применении фотоэмульсий для регистрации

экзоэлектропов.

В 1953 г. Грунберг и Райт [48]

пришли к заключению о том, что

места, вызывающие потемнение очувствленной фотопластинки в

контак­

те с зачищенным металлом, ответственны и за

эмиссию экзоэлектро-

нов. Позднее Мелека и Барр [168],

применив технику азтораднографии,

установили, что линии почернения на фотопластинке повторяют линии

деформации на поверхности металла, и заключили, что из этих

мест

эмиттируют экзоэлектроны. Но предположение о засвечивании

фотоплас-,

37


3

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

•Б

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 СП

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 14. Конструкция

сшштилляционного

детектора

медленных

 

электронов

[166]

 

 

 

 

 

 

 

 

1 - алюминированный сішнтиллятор;

2

- частая

сетка;

 

3 - электростатический экран; 4 - магнитный экран; 5 -

 

изолятор

из

тефлона;

6 - высоковольтный

ввод;

7

- воло­

 

конный

световод

 

 

 

 

 

 

 

 

тинки экзоэлектронами не

подтвердилось

[169].

Было

установлено,

что

потемнение фотоэмульсии

в контакте со

свежезачищенными

металлами

(эффект Рассела) является результатом выделения перекиси

водорода -

одного из продуктов коррозионного процесса

[170-172]. Поскольку

вы ­

деление перекиси при атмосферной коррозии металлов и ее фотографи­

ческое действие - твердо установленный факт, то на так

называемом

авторадиографическом методе регистрации экзоэлектронов

можно более

не останавливаться. Тем не менее

сообщения

о нем иногда появляются

в печати [125, 173].

 

 

 

Детектирование экзоэлектронов

с помощью

газоразрядных счетчиков,

ВЭУ и сцинтилляционных датчиков имеет общую особенность. Она заклю­ чается в том, что измерения сопровождаются фоном ложных импульсов, которые способны самопроизвольно генерироваться при неудачно выбран­ ном режиме детектора. Анализ показывает, что можно выделить два

вида ложных импульсов. Первые не зависят от

исследуемого образца и

их число и распределение во времени случайны. В дальнейшем такие

импульсы будем называть фоновыми или просто

фоном. Импульсы второ­

го рода возникают в результате прохождения предшествующих импуль­ сов, их будем называть послеимпульсами. Причиной образования послеимпульсов могут быть возникающие в процессе счета электроны, ионы и фотоны. Бомбардируя поверхности образца, корпуса счетчика или ди - нодов умножающей системы, они не только выбивают вторичные элек­ троны, но и возбуждают эти поверхности. Результатом такого возбуж­

дения является та

самая экзоэлектронная эмиссия, для изучения кото­

рой и предназначены упомянутые детекторы. Только теперь

экзоэлек-

троны эмиттирует

не образец, а материал самого детектора.

Правиль­

но выбрав режим

работы

детектора и материалы для изготовления его

деталей, можно устранить

это явление.

 

38


При использовании ВЭУ и газоразрядного счетчика трудно полностью избавиться от существования обратной связи между детектором и об­ разцом. Было установлено, что такая обратная связь иногда приводит к маскирующему эффекту. Он заключается в том, что перенапряженный счетчик способен регистрировать небольшое число ложных импульсов первого рода в отсутствие образца. При введении же образца под окно счетчика возникает быстрый переход в самопроизвольную генерацию, что может быть принято за интенсивную экзоэлектронную эмиссию, так как при удалении образца генерация исчезает.

Возникновение ложных импульсов и влияние работы детектора на об­ разец рассматривалось для газоразрядных счетчиков [64, 138]. В неко­ торых случаях для уменьшения фона даны конкретные рекомендации.

Например, прогрев проточного счетчика после механической очистки

снижает

фон с 1000 до 9 имп/мин [127].

Число ложных импульсов з а ­

висит от конструкции детектора, режима его работы, условий опыта,

природы

исследуемого образца, геометрии

образца и детектора, стабиль­

ности работы электронной аппаратуры и пр. Поэтому дать универсаль­ ные рекомендации для снижения фоновых импульсов и послеимпульсов затруднительно. Правильному подбору режима работы детектора может помочь наблюдение за формой сигнала с помощью осциллографа. Появ­ ление сдвоенных импульсов или даже "пакетов" из многих импульсов свидетельствует о перенапряжении детектора, в связи с чем необходи­ мо понизить питающее напряжение.

Таким образом, при регистрации экзоэлектронной эмиссии примени­ мы те же методы и детекторы, что и при регистрации ядерных излуче­ ний. Но есть и некоторые отличительные особенности, которые затруд­ няют использование стандартных счетчиков ядерных излучений. Основ­ ная особенность заключается в том, что малая энергия экзоэлектрона недостаточна для срабатывания счетчика. Поэтому приходится либо у с ­ корять экзоэлектроны, либо видоизменять конструкции счетчиков и ис ­ пользовать их в особом режиме. Другой немаловажной особенностью • является возможность самопроизвольного перехода системы образец-де­ тектор в режим генерации импульсов, При сборке и наладке установки для исследования экзоэлектронной эмиссии необходимо главное внима­

ние уделить выбору типа

детектора (что

определяется поставленной з а ­

дачей и условиями

опыта)

и нахождению

оптимального режима его ра­

боты. Кроме того,

необходимо

проверить

линейность соотношения меж­

ду числом импульсов детектора

и числом

экзоэлектронов, эмиттируемых

исследуемой поверхностью, определить разрешающее время счетной сис­ темы и ввести поправку на просчеты.

Проведенный выше анализ физических процессов, сопровождающих регистрацию экзоэлектронов, и сделанные рекомендации необходимо учитывать при выборе методики эксперимента.



Гл а а а ИТ.

СТЕНДЫ И АППАРАТУРА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭКЗОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ ПРИ ТРЕНИИ

Как уже отмечалось, работа детекторов экзоэлектронов зависит от температуры, давления газов-наполнителей или остаточных газов, подаваемого напряжения, освещения и нагрузки. От этих же факторов зависит и эмиссионная способность исследуемой поверхности. Сущест­

вует обратное влияние процессов в детекторе на образец, которое может перевести систему в режим непрерывной генерации ложных импульсов. Поэтому разрабатываемая установка должна обеспечивать стабилиза­ цию и возможность контроля перечисленных параметров. Для обеспече­ ния надежных и воспроизводимых измерений должен быть предусмотрен способ вывода регистрирующей системы на один и тот же режим рабо­ ты. Малая амплитуда импульсов, шумовой фон, быстрые изменения ин­ тенсивности процесса требуют значительного усиления, тщательного экранирования от наводок и помех, селекции по амплитудам, большого динамического диапазона системы.

Чаще всего разрабатывались установки для исследования послеэмиссии - экзоэлектронной эмиссии, наблюдаемой после возбуждения дефор­ мацией исследуемой поверхности. Имеется немало примеров, где изме ­ рения проводились в динамике возбуждения поверхности при деформации образцов растяжением, изгибом, кручением [ 63,66,67]. Исследования в динамике трения, сохраняя почти неизменной электронную часть уста­

новки, имеют и специфические особенности [107-119], на которых оста­ новимся ниже.

1. Установка для исследования экзоэлектронной ЭМИССИИ.

Использование типовых блоков электронной аппаратуры

Рассмотрим схему установки для исследования экзоэлектронной эмиссии в статических и динамических условиях. Конструкция открыто­ го воздушного счетчика показана на рис. 15. Бронзовый корпус 1 с запрессованным кольцом из меди 2 снабжен водяной рубашкой термо ­ стабилизации. Через тефлоновый изолятор введен кронштейн 3 с под­ вижным анодом 4, заканчивающимся платиновой нитью с шариком 5. Диаметры нити 0,1 мм, шарика - 0,2 мм. Шарик получали оплавлением нити в дуге, образующейся при разрыве электрического контакта пла­ тины с 10%-ным раствором нашатыря в воде. Размеры шарика, чистота

40

его поверхности и сферичность проверялись под микроскопом. Чувстви­ тельный объем счетчика представляет собой конус, опирающийся на ни­ келевую сетку 6, закрывающую нижний торец счетчика, с вершиной в центре шарика. Через открытый верхний торец производилась стимули­ рующая подсветка образца. Для выделения нужного спектрального диа­ пазона' использовались светофильтры; тепловое излучение поглощалось раствором медного купороса в дистиллированной воде. Расстояние от сетки до образца ограничивалось тефлоновой шайбой и составляло 1,7 мм.

На рис. 16 показан комплекс аппаратуры, обслуживающей счетчик. Блок-схема установки останется неизменной, если вместо газоразряд­

ного

счетчика

использовать ВЭУ или сцинтилляционный

детектор, мо ­

гут

измениться только требования, предъявляемые к отдельным ее у з ­

лам. Подобрав блоки с широким диапазоном регулировки

параметров

(коэффициента

усиления, уровня дискриминации, напряжения питания

датчика), можно получить универсальную измерительную

схему, кото­

рая способна работать с любым из рассмотренных в предыдущей главе датчиков.

Большая крутизна счетной характеристики воздушного счетчика, необходимость точного выхода на рабочее напряжение требуют приме­

нения высоковольтного,

жестко стабилизированного источника питания

с широким диапазоном

регулировки напряжения. Наилучшим образом

зарекомендовал себя стабилизированный выпрямитель ВС-22. Весь диа­

пазон

его выходных напряжений от 600 до 4000 в перекрывается

скач­

ками

через

20в

с плавной регулировкой внутри каждого

поддиапазона.

Для многих

ВЭУ требуемое напряжение на делителе

выше 4000 в, по­

этому

приходится

использовать выпрямитель ВСВ-3

(от 700 до 4500 в) ,

который

уступает

ВС—22 по стабильности и по точности

выхода

на за ­

данное

напряжение.

 

 

 

Наиболее удачным из промышленных приборов для усиления сигна­ лов от детекторов экзоэлектронов является установка УШ-2, сочетаю­ щая широкополосный усилитель и дискриминатор. Этот прибор отлича-- ется высокой стабильностью и большой величиной коэффициента усиле-

41