Файл: Каплун, В. А. Обтекатели антенн СВЧ (радиотехнический расчет и проектирование).pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 137

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

или с учетом введенных выше обозначений для R { І( и ,

 

 

 

 

Rui.+ ~ K i n z

' 2/Фср

 

 

 

 

 

 

R =

 

 

 

 

 

(3.24)

 

 

 

 

І - ^ І і е " і2фрР

 

 

 

 

Значения а и b могут быть найдены из следующих рекуррентных соотноше-

нии:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ah+x = a ft е/фА+1 + r Ä+i, ft+2 bl e

/ф*+і,

 

 

 

 

 

bk+x = bh е/Ф,і+1+

0 »+і. ft+2 Öfte

/<Pfi+1-

 

 

Так

как

R j

ц , R n , — комплексные числа, то

 

 

 

 

Я і и = ІЯ і II

и і Яц I = 1 Яц 1 1е

 

 

 

]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3.25)

*. ,1 Ru . =1«1 п І-е"' <■**' ,, +

IЯ, „ I

= I R,„ I

I •

Кроме того,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

#1 II

IH2

b I2

/2 (фа Т І )

 

 

 

 

 

i = •

— I

е

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а

 

 

 

 

 

где ф0 — аргумент комплексного выражения а.

 

 

 

 

 

Из сравнения последних соотношений следует, что

 

 

 

 

 

 

 

II +

I — — (2Фа Т

л ).

 

 

(3.26)

 

 

 

 

/21|)

после подстановки (3.25) и (3.26) в (3.24)

Если учесть, что а*/а =г е ,2^а, то

получим выражение для R с:имметричной стенки:

 

 

 

 

 

 

 

Яі III е-/* « ,»

і - . е- ' 2 (**ІІІ +Ч>ср)

(3.27)

 

 

 

 

J — | Ri п I2 е

:/2( ^ ”

і +фср)

Для определения коэффициента отражения несимметричной диэлектриче­

ской стенки следует пользоваться выражением (3.23).

 

 

 

0

1

1

0

 

 

 

 

 

 

 

J

К

 

gl

 

г — X

-----п

 

1-------- 1

 

 

 

 

 

У/

 

 

Er

^

к

' "1“ я

"Г"

 

 

 

го1—і£

 

W *

_і_ а _|_X

Л _X 8 X

 

(X

 

 

L ___Т

1_____

і

І______ J

 

 

УЛ

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.9. Замена

диэлектрического слоя с реактивной решеткой

 

 

 

эквивалентным четырехполюсником.

 

 

В качестве

примера

использования матричного метода при анализе различ­

ных типов диэлектрических стенок рассмотрим вывод соотношения для коэффици­ ента прохождения волны через плоский диэлектрический слой с реактивной решеткой в среднем сечении.

Заменим диэлектрический слой с реактивной решеткой (рис. 3.9) четырехпо­ люсником, состоящимиз каскадного соединения трех четырехполюсников, из ко­ торых один эквивалентен границе раздела сред 0—1 (четырехполюсник а), вто­

рой — реактивной решетке (четырехполюсник б) и третий — границе раздела сред 1—0 (четырехполюсник в). Обозначив амплитуды прямой и обратной волн

85


на входных и выходных клеммах, как указывалось выше, через Еі, Ет и Et, Es

соответственно, получим следующее матричное выражение для общего четы­ рехполюсника:

Г -Eil

[ e ,-\

1

 

- i.

 

О

T

o

е/ф, г0і. е —,фі

^ ll ГІ12

- . р—іФі р—/Фі

X

А 21 A22

 

X

е/фі, --гоі е/фі

Е(-

Вп В12

Е ,-

 

 

 

 

 

г0іе_ JФіf 0—/Ф1

ßs.

В21 в 22

ßs.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Здесь ф !=

^2л\ ( d \ ------ —

 

толщина

половины

слоя;

101,

 

■/в— sin -0 —-электрическая

ho и г01 — коэффициенты Френеля, причем t01 =

1 + rol, /10=

1— r01;

Au ,

A12,

А 2i, А 22—элементы

матрицы для четырехполюсника, представляющего собой ли­

нию с волновым сопротивлением Z0, шунтированную реактивным сопротивлением

решетки (рис. 3.2),

 

1

 

"l/s— sin20

соответственно

причем Z0 — т=

, п или20 = ----------------

 

 

 

у в—sin-0

 

в

 

падающей

для случаев перпендикулярно и параллельно поляризованной волны,

на слой.

 

1 IT,

то

 

 

 

 

 

 

 

Так как ß u =

 

 

 

 

 

 

 

Т —■

 

 

 

1-

 

 

 

 

 

 

(Л11е'фі +

Л21г01е - /Ч>‘) е/ф‘ — (Л12 е,фі + А 2 2

Гоі е

/фі) ги е

/фі ’

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

(3-28)

Элементы матрицы Ап , Л12, A sl, А 22 можно определить следующим образом. Если обозначить через г', г" и V соответственно коэффициенты отражения со сто­

роны входа и выхода и коэффициент прохождения четырехполюсника (при усло­ вии, что нагрузка четырехполюсника согласованная, равная волновому сопротив­ лению линии Z0), то легко получить

 

 

 

t' = 1-{- г'

2Z0 Z

 

 

2ZaZ

 

7 2 -)- 2Z0 Z

 

 

 

 

Используя эти соотношения, из (3.20), найдем что

 

 

1

Z0

г

Zo

A 12 =

t'

Zo

Л і1= t'

= 1 + 2Z ’ A il=

t

2Z

2Z ’

 

 

A22 — t'

t'

l l L

 

 

 

 

2Z

'

 

 

 

 

 

 

Поскольку Z = R + jX , то после подстановки этого выражения в (3.28) най­

дем комплексный коэффициент прохождения для рассматриваемой конструкции диэлектрической стенки:

 

 

Т = \Т 1 е ~ /^ = -І ~ Л°1 ,

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V =

0 Гоі) cos 2cp! -f

ZoR

 

0

+Г(Іі) cos 2фі -f

 

2(R2 + X3)

 

 

 

 

 

 

 

+

Z0x

( l —Гоі) sin 2cpr

Z0Rr01

+ І

(l -f rjji)

sin 2cp! +

 

R2+ X 2

 

2(/?2- f X2)

 

 

 

 

 

Z0 R

 

Z„Xол

/, ,

о \

n ,

Z0Xr01

+ 2(R2+ X 2) (1—Гоі) sin2cpi- 2 (R2+ X 2)

(1 H -rsJ cos 2фі + -R2+ X 2

86


Полученное соотношение можно использовать для дальнейшего анализа. Матричный метод может быть применен также для нахождения коэффициен­ тов отражения слоев с непрерывным изменением показателя преломления, и в том числе, коэффициентов отражения сложных слоев, включающих в себя участки с плавным изменением показателя преломления, монолитные слои, реактивные

решетки и т. п.

3.4. О РАСЧЕТЕ ФАЗОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ РАЗЛИЧНОЙ СТРУКТУРЫ

При проектировании различных типов диэлектрических стенок для обтекателей наряду с определением модулей коэффициентов про­ хождения и отражения не менее важной является задача нахождения их фазовых характеристик — зависимостей набега фазы прошедшей и сдвига фазы отраженной волн от угла падения: ф = / (0) и фд = / (0). Характер этих зависимостей в значительной мере определяет искаже­ ния диаграмм направленности антенн различными обтекателями.

Фазовые характеристики, в частности, могут быть рассчитаны ана­ литически, если известны выражения для соответствующих комплекс­

ных коэффициентов прохождения и отражения.

Когда получение этих

соотношений затруднено,

приходится

прибегать

к графическим

(или графо-аналитическим)

методам. Один из

них — метод,

исполь­

зуемый в геометрической оптике. Однако

он

дает

большие

ошибки

и при некоторых структурах стенок не может быть применим (например, при размещении в стенках различных реактивных решеток). Другой метод основан на использовании теории эквивалентных линий. Этот способ, применимый для диэлектрических стенок любой конструкции, вообще говоря, свободен от каких-либо приближений, но при хорошо согласованных стенках дает заметные погрешности из-за неточности графических построений.

Для произвольной диэлектрической стенки набег фазы прошедшей через нее волны можно определить следующим выражением:

Ф Фвозд %>

(3.29)

где фг и фвозд — фаза волны, прошедшей через стенку при угле па­ дения 0, численно равная фазе комплексного коэффициента прохож­ дения Т для того же угла падения, и фаза волны для тех же условий,

но при замене стенки слоем воздуха

щая толщина стенки

Таким образом,' для нахождения зависимости ф = f (Ѳ) нужно знать аналогичную зависимость для аргумента комплексного коэф­ фициента прохождения данной стенки фг = / (Ѳ).

Фаза отраженной волны фд находится непосредственно из выраже­ ния для комплексного коэффициента отражения.

Ниже приводятся аналитические соотношения для расчета фазо­ вых характеристик некоторых наиболее простых по структуре диэлект­

87


рических стенок, имеющих широкое практическое использование: однослойной, двухслойной, трехслойной (симметричной), семислой­ ной (симметричной) и однослойной с реактивной решеткой в среднем сечении [36]. Для удобства приведем здесь также соотношения для амп­ литудных характеристик этих же стенок | Т | г = / (Ѳ) и \ R \ 2 =

=/ (Ѳ )* .

Для однослойной стенки

I Л 2 =

 

ІДІ

4^oi si"2 Фі

 

 

 

 

 

''oi)2 + 4''o isin2(Pi

(1—roi)2 + 4/'o1 sin2 фх

 

ф = arctg

 

2л ,

n

 

(3.30)

 

Фі — — Л cos 0;

 

Фя = arctg

1

r5i ctgcpi .

 

 

 

1 +T5i

 

 

 

Здесь и в последующих соотношениях

2ji

--------------

<рп = -^-^тг1

Еп

—sin2 0 —

электрическая толщина /г-го слоя стенки толщиной dn с диэлектри­ ческой проницаемостью еп при падении на нее волны К под углом 0; гп, п + і — коэффициенты Френеля, причем

 

~ [ / б п — sin2 В — У гп+ і— sin2 Ѳ

(3.31)

 

У гп — sin2 Ѳ + V en+ 1 —sin3 Ѳ

 

 

или

 

 

, n +1

вѴ еп+ 1— sin3 Ѳ — e7l+1 у En— sin3 Ѳ

(3.32)

 

en У вп + i— sin3 0 + en+1 V e n—sin3 0

соответственно длл случаев перпендикулярно или параллельно поля­ ризованных (относительно плоскости падения) волн.

Для двухслойной стенки

 

ІЛ 2 = (1 ''оіН*

riz)(l

rSo) .

 

 

 

М°-+ №

 

 

 

 

ІДІа =

Ml+Nf

 

 

[■(3.33)

 

M2 + N*

 

 

N

 

 

arctg

NiM—Mi N

ф =■- arctg —— — (dx+ di) cos Ѳ; ф„ =

M1N + N1N

M

 

 

 

 

 

M =■■(1 +

r01r20) cos (фі +

ф2)

+ r12 (r0i +

rzo) cos (фі — Фа);

N = (1 — r01 Л20) sin (Фі+ Ф2)

rn (r01

r20) sin (Фі—Фг);

M1 = (r01 + Г20) cos (ф3.+ ф2) + гіг (1 + гoi Гго) cos (ф3—ф2);

N 1 = Уоі— Г2 0 ) sin (фі + фа)— г12 (1 —r01 rzo) sіп (фх— ф2).

* При выводе приведенных соотношений использовался матричный метод.

88


Для трехслойной

стенки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I j

|2

П

гоі)2 ( і гіа)3

 

. I

р 12

.

4Pf

_

 

 

 

 

1

1

 

P2 + Q2

 

’ '

1

 

P2+Q2

 

(3.34)

 

я|> = a r c t g ^

( d

i + dij+ daJcose;

фЛ = arctg

,

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К = РРг;

L = QP1\

 

 

 

 

 

 

P = (l — r201) [cos (2фі -fcp2)— r\2cos (2фх— cp2)]; .

 

 

p i =

r0l sin (2cpx -f cp2) — rox г\г sin (2cpx— cp2) + rl2 (1.+ r2x) sin cp2;

<2 =

(1 +

/'oi) sin (2cpx + cp2) —г\г (1 +

 

/"5i) sin (2cpx — ф2) +

4л0і r12 sin cp2.

Для

семислойной стенки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т |2 =

 

 

 

 

.

 

R

 

V\+WI .

 

 

 

 

 

 

 

V2 + W2

 

 

 

 

v*_ +w * ’

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(3.35)

 

 

 

 

 

 

 

d7) cos Ѳ;

ФЛ =

arctg WjV—VjW

4> =

arc tg Y — Y

(d ! + d*+ ■• ■

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

WiW—ViV

 

где

 

 

 

 

 

Кг = ѴѴь

 

 

L 1 = WV1-,

 

 

 

 

 

V = (Л2—ß 2-f С2—D2) cos ф4—2 (AB+CD) sin cp4;

 

 

 

W = (Л2—ß 2-—C2-f- D2) sin cp4 +

2 (ABCD) cos cp4;

 

 

V]_ = (d D + ß C — Л2+ В 2) cos cp4— (BD— AC —2^ß) sin tp4;

 

 

Wj_ = (AD _+ BC + A 2— ß 2) sin cp4 +

(BD— AC + 2 AB) cos cp4;

 

А = (1 +

Гоі rl2) cos (2cpx+

cp2) — r\, (1 f

r01rl2) cos (2tpx— cp2);

 

ß =

(1 —roxr12) [sin (2cp! +

cp2) — r22 sin (2ф!— cp2)]+ 2 r12 (r01—r12) sin tp2;

 

 

D = (r0i +

rl2) [cos (2tpx + Фа) —г?а cos (2фі— Фг)];

 

 

C = (r12 —Toi) sin (2cp! +

cp2) +

 

r22 (roi

Г12) sin (2фх— ф2) —

 

 

 

 

 

 

—2ria (l—r01 r12) sin ф2-

 

 

 

Для

однослойной стенки

с реактивной

решеткой в

среднем сечении

(для проходящей

волны решетка представляет комплексное сопротив­

ление Zg = R +

jX [52])

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

|j-|a _ _ П

roi)2 .

I

 

р 12 _ Л2 -Ң В2 .

 

 

 

 

 

 

I

I

c2+D2

1

'

C2 + D2 ’

 

 

(3.36)

 

 

,

 

,

D

2п j

а

.

 

,

СВ—AD

 

 

 

■ф= arctg

------- —а cos Ѳ;

 

ibD== arctg---------- ,

 

 

 

T

 

 

С

К

 

 

 

rR

 

 

AC+ BD

 

 

89