Файл: Каплун, В. А. Обтекатели антенн СВЧ (радиотехнический расчет и проектирование).pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 19.10.2024
Просмотров: 137
Скачиваний: 2
или с учетом введенных выше обозначений для R { І( и ,
|
|
|
|
Rui.+ ~ K i n z |
' 2/Фср |
|
|
|
||
|
|
|
R = |
|
|
|
|
|
(3.24) |
|
|
|
|
|
І - ^ І і е " і2фрР |
|
|
|
|
||
Значения а и b могут быть найдены из следующих рекуррентных соотноше- |
||||||||||
нии: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ah+x = a ft е/фА+1 + r Ä+i, ft+2 bl e |
/ф*+і, |
|
|
||||
|
|
|
bk+x = bh е/Ф,і+1+ |
0 »+і. ft+2 Öfte |
/<Pfi+1- |
|
|
|||
Так |
как |
R j |
ц , R n , — комплексные числа, то |
|
|
|
|
|||
Я і и = ІЯ і II Iе |
и і Яц I = 1 Яц 1 1е |
|
|
|
] |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(3.25) |
*. ,1 Ru . =1«1 п І-е"' <■**' ,, + |
IЯ, „ I |
= I R,„ I |
I • |
|||||||
Кроме того, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
#1 II |
IH2 |
b I2 |
/2 (фа Т І ) |
|
|
||
|
|
|
i = • |
— I |
е |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
а |
|
|
|
|
|
где ф0 — аргумент комплексного выражения а. |
|
|
|
|
|
|||||
Из сравнения последних соотношений следует, что |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
II + |
I — — (2Фа Т |
л ). |
|
|
(3.26) |
|
|
|
|
|
/21|) |
после подстановки (3.25) и (3.26) в (3.24) |
|||||
Если учесть, что а*/а =г е ,2^а, то |
||||||||||
получим выражение для R с:имметричной стенки: |
|
|
|
|
||||||
|
|
|
Яі III е-/* « ,» |
і - . е- ' 2 (**ІІІ +Ч>ср) |
(3.27) |
|||||
|
|
|
|
J — | Ri п I2 е |
:/2( ^ ” |
і +фср) |
||||
Для определения коэффициента отражения несимметричной диэлектриче |
||||||||||
ской стенки следует пользоваться выражением (3.23). |
|
|
|
|||||||
0 |
1 |
1 |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
J |
К |
|
gl |
|
г — X |
-----п |
|
1-------- 1 |
||
|
|
|
|
|
||||||
У/ |
|
|
Er |
^ |
к |
' "1“ я |
"Г" |
|||
|
|
|
||||||||
го1—і£ |
|
W * |
_і_ а _|_X |
Л _X 8 X |
||||||
|
(X |
|
|
L ___Т |
1_____ |
і |
І______ J |
|||
|
|
УЛ |
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 3.9. Замена |
диэлектрического слоя с реактивной решеткой |
|||||||||
|
|
|
эквивалентным четырехполюсником. |
|
|
|||||
В качестве |
примера |
использования матричного метода при анализе различ |
ных типов диэлектрических стенок рассмотрим вывод соотношения для коэффици ента прохождения волны через плоский диэлектрический слой с реактивной решеткой в среднем сечении.
Заменим диэлектрический слой с реактивной решеткой (рис. 3.9) четырехпо люсником, состоящимиз каскадного соединения трех четырехполюсников, из ко торых один эквивалентен границе раздела сред 0—1 (четырехполюсник а), вто
рой — реактивной решетке (четырехполюсник б) и третий — границе раздела сред 1—0 (четырехполюсник в). Обозначив амплитуды прямой и обратной волн
85
на входных и выходных клеммах, как указывалось выше, через Еі, Ет и Et, Es
соответственно, получим следующее матричное выражение для общего четы рехполюсника:
Г -Eil
[ e ,-\
1
|
- i. |
|
О |
T |
o |
е/ф, г0і. е —,фі |
^ ll ГІ12 |
- . р—іФі р—/Фі |
X |
А 21 A22 |
|
X |
е/фі, --гоі е/фі |
Е(- |
Вп В12 |
■Е ,- |
|
|
|
|
||
|
г0іе_ JФіf 0—/Ф1 |
ßs. |
В21 в 22 |
ßs. |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
||||||
Здесь ф != |
^2л\ ( d \ ------ — |
|
толщина |
половины |
слоя; |
101, |
|||||
|
■/в— sin -0 —-электрическая |
||||||||||
ho и г01 — коэффициенты Френеля, причем t01 = |
1 + rol, /10= |
1— r01; |
Au , |
A12, |
|||||||
А 2i, А 22—элементы |
матрицы для четырехполюсника, представляющего собой ли |
||||||||||
нию с волновым сопротивлением Z0, шунтированную реактивным сопротивлением |
|||||||||||
решетки (рис. 3.2), |
|
1 |
|
"l/s— sin20 |
соответственно |
||||||
причем Z0 — —т= |
, п или20 = ---------------- |
||||||||||
|
|
|
у в—sin-0 |
|
в |
|
падающей |
||||
для случаев перпендикулярно и параллельно поляризованной волны, |
|||||||||||
на слой. |
|
1 IT, |
то |
|
|
|
|
|
|
|
|
Так как ß u = |
|
|
|
|
|
|
|
||||
Т —■ |
|
|
|
1- |
|
|
|
|
|
|
|
(Л11е'фі + |
Л21г01е - /Ч>‘) е/ф‘ — (Л12 е,фі + А 2 2 |
Гоі е |
/фі) ги е |
/фі ’ |
|||||||
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
. |
(3-28) |
Элементы матрицы Ап , Л12, A sl, А 22 можно определить следующим образом. Если обозначить через г', г" и V соответственно коэффициенты отражения со сто
роны входа и выхода и коэффициент прохождения четырехполюсника (при усло вии, что нагрузка четырехполюсника согласованная, равная волновому сопротив лению линии Z0), то легко получить
|
|
|
t' = 1-{- г' — |
2Z0 Z |
|
||
|
2ZaZ |
|
7 2 -)- 2Z0 Z |
||||
|
|
|
|
||||
Используя эти соотношения, из (3.20), найдем что |
|
|
|||||
1 |
Z0 |
г |
Zo |
A 12 = |
t' |
Zo |
|
Л і1= t' |
= 1 + 2Z ’ A il= |
t |
2Z |
2Z ’ |
|||
|
|||||||
|
A22 — t' |
t' |
l l L |
|
|
|
|
|
2Z |
' |
|
|
|||
|
|
|
|
Поскольку Z = R + jX , то после подстановки этого выражения в (3.28) най
дем комплексный коэффициент прохождения для рассматриваемой конструкции диэлектрической стенки:
|
|
Т = \Т 1 е ~ /^ = -І ~ Л°1 , |
|
|
||||
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
V = |
0 — Гоі) cos 2cp! -f |
ZoR |
|
0 |
+Г(Іі) cos 2фі -f |
||
|
2(R2 + X3) |
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
||
+ |
Z0x |
( l —Гоі) sin 2cpr |
Z0Rr01 |
+ І |
(l -f rjji) |
sin 2cp! + |
||
|
R2+ X 2 |
|||||||
|
2(/?2- f X2) |
|
|
|
|
|||
|
Z0 R |
|
Z„Xол |
/, , |
о \ |
n , |
Z0Xr01 |
|
+ 2(R2+ X 2) (1—Гоі) sin2cpi- 2 (R2+ X 2) |
(1 H -rsJ cos 2фі + -R2+ X 2 |
86
Полученное соотношение можно использовать для дальнейшего анализа. Матричный метод может быть применен также для нахождения коэффициен тов отражения слоев с непрерывным изменением показателя преломления, и в том числе, коэффициентов отражения сложных слоев, включающих в себя участки с плавным изменением показателя преломления, монолитные слои, реактивные
решетки и т. п.
3.4. О РАСЧЕТЕ ФАЗОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ РАЗЛИЧНОЙ СТРУКТУРЫ
При проектировании различных типов диэлектрических стенок для обтекателей наряду с определением модулей коэффициентов про хождения и отражения не менее важной является задача нахождения их фазовых характеристик — зависимостей набега фазы прошедшей и сдвига фазы отраженной волн от угла падения: ф = / (0) и фд = / (0). Характер этих зависимостей в значительной мере определяет искаже ния диаграмм направленности антенн различными обтекателями.
Фазовые характеристики, в частности, могут быть рассчитаны ана литически, если известны выражения для соответствующих комплекс
ных коэффициентов прохождения и отражения. |
Когда получение этих |
||||
соотношений затруднено, |
приходится |
прибегать |
к графическим |
||
(или графо-аналитическим) |
методам. Один из |
них — метод, |
исполь |
||
зуемый в геометрической оптике. Однако |
он |
дает |
большие |
ошибки |
и при некоторых структурах стенок не может быть применим (например, при размещении в стенках различных реактивных решеток). Другой метод основан на использовании теории эквивалентных линий. Этот способ, применимый для диэлектрических стенок любой конструкции, вообще говоря, свободен от каких-либо приближений, но при хорошо согласованных стенках дает заметные погрешности из-за неточности графических построений.
Для произвольной диэлектрической стенки набег фазы прошедшей через нее волны можно определить следующим выражением:
Ф Фвозд %> |
(3.29) |
где фг и фвозд — фаза волны, прошедшей через стенку при угле па дения 0, численно равная фазе комплексного коэффициента прохож дения Т для того же угла падения, и фаза волны для тех же условий,
но при замене стенки слоем воздуха
щая толщина стенки
Таким образом,' для нахождения зависимости ф = f (Ѳ) нужно знать аналогичную зависимость для аргумента комплексного коэф фициента прохождения данной стенки фг = / (Ѳ).
Фаза отраженной волны фд находится непосредственно из выраже ния для комплексного коэффициента отражения.
Ниже приводятся аналитические соотношения для расчета фазо вых характеристик некоторых наиболее простых по структуре диэлект
87
рических стенок, имеющих широкое практическое использование: однослойной, двухслойной, трехслойной (симметричной), семислой ной (симметричной) и однослойной с реактивной решеткой в среднем сечении [36]. Для удобства приведем здесь также соотношения для амп литудных характеристик этих же стенок | Т | г = / (Ѳ) и \ R \ 2 =
=/ (Ѳ )* .
Для однослойной стенки
I Л 2 = |
|
ІДІ |
4^oi si"2 Фі |
|
|
’ |
|
|
|
||
''oi)2 + 4''o isin2(Pi |
(1—roi)2 + 4/'o1 sin2 фх |
|
|||
ф = arctg |
|
2л , |
n |
|
(3.30) |
|
Фі — — Л cos 0; |
|
|||
Фя = arctg |
1 |
r5i ctgcpi . |
|
|
|
|
1 +T5i |
|
|
|
|
Здесь и в последующих соотношениях |
2ji |
-------------- |
|||
<рп = -^-^тг1 |
Еп |
—sin2 0 — |
электрическая толщина /г-го слоя стенки толщиной dn с диэлектри ческой проницаемостью еп при падении на нее волны К под углом 0; гп, п + і — коэффициенты Френеля, причем
|
~ [ / б п — sin2 В — У гп+ і— sin2 Ѳ |
(3.31) |
|
У гп — sin2 Ѳ + V en+ 1 —sin3 Ѳ |
|
|
|
|
или |
|
|
, n +1 |
вѴ еп+ 1— sin3 Ѳ — e7l+1 у En— sin3 Ѳ |
(3.32) |
|
en У вп + i— sin3 0 + en+1 V e n—sin3 0
соответственно длл случаев перпендикулярно или параллельно поля ризованных (относительно плоскости падения) волн.
Для двухслойной стенки
|
ІЛ 2 = (1 ''оіН* |
riz)(l |
rSo) . |
|
||
|
|
М°-+ № |
|
|
|
|
|
ІДІа = |
Ml+Nf |
|
|
[■(3.33) |
|
|
M2 + N* |
|
|
|||
N |
2л |
|
|
arctg |
NiM—Mi N |
|
ф =■- arctg —— — (dx+ di) cos Ѳ; ф„ = |
M1N + N1N |
|||||
M |
|
|
|
|
|
|
M =■■(1 + |
r01r20) cos (фі + |
ф2) |
+ r12 (r0i + |
rzo) cos (фі — Фа); |
||
N = (1 — r01 Л20) sin (Фі+ Ф2) |
— rn (r01 |
r20) sin (Фі—Фг); |
M1 = (r01 + Г20) cos (ф3.+ ф2) + гіг (1 + гoi Гго) cos (ф3—ф2);
N 1 = Уоі— Г2 0 ) sin (фі + фа)— г12 (1 —r01 rzo) sіп (фх— ф2).
* При выводе приведенных соотношений использовался матричный метод.
88
Для трехслойной |
стенки |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
I j |
’ |2 |
П |
гоі)2 ( і гіа)3 |
|
. I |
р 12 |
. |
4Pf |
_ |
|
|
|||
|
|
1 |
1 |
|
P2 + Q2 |
|
’ ' |
1 |
|
P2+Q2 ’ |
|
(3.34) |
||||
|
я|> = a r c t g ^ |
( d |
i + dij+ daJcose; |
фЛ = arctg |
, |
|||||||||||
|
|
|||||||||||||||
где |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К = РРг; |
L = QP1\ |
|
|
|
|
||||||
|
|
P = (l — r201) [cos (2фі -fcp2)— r\2cos (2фх— cp2)]; . |
|
|||||||||||||
|
p i = |
r0l sin (2cpx -f cp2) — rox г\г sin (2cpx— cp2) + rl2 (1.+ r2x) sin cp2; |
||||||||||||||
<2 = |
(1 + |
/'oi) sin (2cpx + cp2) —г\г (1 + |
|
/"5i) sin (2cpx — ф2) + |
4л0і r12 sin cp2. |
|||||||||||
Для |
семислойной стенки |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
т |2 = |
|
|
|
|
. |
|
R |
|
V\+WI . |
|
|
|||
|
|
|
|
|
V2 + W2 |
|
|
|
|
v*_ +w * ’ |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(3.35) |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
d7) cos Ѳ; |
ФЛ = |
arctg WjV—VjW |
|||||||
4> = |
arc tg Y — Y |
(d ! + d*+ ■• ■ |
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
WiW—ViV |
|
|
где |
|
|
|
|
|
Кг = ѴѴь |
|
|
L 1 = WV1-, |
|
|
|
||||
|
|
V = (Л2—ß 2-f С2—D2) cos ф4—2 (AB+CD) sin cp4; |
|
|||||||||||||
|
|
W = (Л2—ß 2-—C2-f- D2) sin cp4 + |
2 (AB— CD) cos cp4; |
|
||||||||||||
|
V]_ = (d D + ß C — Л2+ В 2) cos cp4— (BD— AC —2^ß) sin tp4; |
|
||||||||||||||
|
Wj_ = (AD _+ BC + A 2— ß 2) sin cp4 + |
(BD— AC + 2 AB) cos cp4; |
||||||||||||||
|
А = (1 + |
Гоі rl2) cos (2cpx+ |
cp2) — r\, (1 f |
r01rl2) cos (2tpx— cp2); |
|
|||||||||||
ß = |
(1 —roxr12) [sin (2cp! + |
cp2) — r22 sin (2ф!— cp2)]+ 2 r12 (r01—r12) sin tp2; |
||||||||||||||
|
|
D = (r0i + |
rl2) [cos (2tpx + Фа) —г?а cos (2фі— Фг)]; |
|
||||||||||||
|
C = (r12 —Toi) sin (2cp! + |
cp2) + |
|
r22 (roi |
Г12) sin (2фх— ф2) — |
|
||||||||||
|
|
|
|
|
—2ria (l—r01 r12) sin ф2- |
|
|
|
||||||||
Для |
однослойной стенки |
с реактивной |
решеткой в |
среднем сечении |
||||||||||||
(для проходящей |
волны решетка представляет комплексное сопротив |
|||||||||||||||
ление Zg = R + |
jX [52]) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|j-|a _ _ П |
roi)2 . |
I |
|
р 12 _ Л2 -Ң В2 . |
|
|
|
||||||
|
|
|
I |
I |
c2+D2 |
’ |
1 |
' |
C2 + D2 ’ |
|
|
(3.36) |
||||
|
|
, |
|
, |
D |
2п j |
а |
. |
|
, |
СВ—AD |
|
||||
|
|
■ф= arctg |
------- —а cos Ѳ; |
|
ibD== arctg---------- , |
|
||||||||||
|
|
T |
|
|
С |
К |
|
|
|
rR |
|
|
AC+ BD |
|
|
89