Файл: Каплун, В. А. Обтекатели антенн СВЧ (радиотехнический расчет и проектирование).pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 145

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

«Параллельная поляризация ■ . Перпендикулярная поляризация

 

о

го (tO 60 800,град

 

а.)

 

Параллельная поляризация

Перпендикулярная поляризация

(i/Z

d/ях

 

 

 

 

60

80в, град

800, ерад

Параллельная поляризация ^

Перпендикулярная поляризация'

d/ я

 

 

 

in

 

0,36

 

 

V

 

 

0,32

 

«Л

%

 

 

 

 

 

 

0,28 Й 2

 

 

 

Ш

 

ѵ 5 Ш

 

о,гц —■0J

 

 

 

0,20

_

0,0

 

 

 

 

 

 

 

 

0,16

0,12

| g ^

1

0,08 11Ä.

и

JO

. ОМ

оѵ

І 1

 

 

Ü C B S

 

800,град'

О

гО 00 60 80 0,град

Рис. 3.16. Кривые Y =const,

|2=const для однослойных диэлектри­

 

ческих стенок:

 

 

а) е=4,0;

б) е=5,0; в)

е=6,0.


Параллельная

поляризация

Перпендикулярная

поляризация

 

 

 

 

d/X

 

 

 

 

 

 

 

1,2

 

 

 

 

 

 

 

1,0

 

 

 

 

 

 

 

0,8

 

 

 

 

 

 

 

0,6

 

 

 

 

 

 

 

0,0

 

 

 

 

 

 

 

0,2

 

 

 

О

20

00

60 Ѳ, гр а д '

0

20

00

60 Ѳ, град

5)

Рис. 3.17. Кривые

4f=const, |

12= const

для

трехслойной диэлектрической

 

стенки с сотовым средним слоем:

и)

с,=4,0, й = І,2 ;

0) £,=4,5,

£„=1,2;

в) е,=5,0 ,*e2= l,2 ,

107


а)

О

20

W

60

ВО Ѳ,град.

О

20

W

60

80 Ѳ,град.

 

 

 

 

 

в)

 

 

 

 

 

 

Рис. 3.18. Кривые 4;=const, |./?|2=const

для однослойных диэлектрических

 

 

стенок'с реактивными (индуктивными) решетками:

 

с)

= 0 , 2 5 ,

— = 3,13- 10

3 j

е = 4 , 0 ; б)

= 2 , 0 ,

 

— = 3,13 • ІО- 3 , е = 4 , 0 ;

 

%

К“

 

 

 

%

 

 

%

 

 

 

 

в)

— = 0,3,

— = 3.13 • 10“ ?,

 

е = 4,0.

 

 

 

 

 

X

 

%

 

 

 

 

 

 

108


Аналогичным образом могут быть оценены стенки любой другой структуры (однослойные, трехслойные, семислойные), для которых построены аналогичные графики.

3.7. ПРИМЕНЕНИЕ ТЕОРИИ НАПРАВЛЕННЫХ АНТЕНН ДЛЯ СИНТЕЗА СТЕНОК С ПЛАВНЫМ ИЗМЕНЕНИЕМ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ

Синтез диэлектрических стенок с плавным изменением показателя преломления сводится к определению закона изменения диэлектри­ ческой проницаемости по толщине стенки, исходя из допустимого уровня коэффициента отражения в заданном диапазоне волн и секторе углов падения. При этом толщина стенки (из всех возможных вариантов) должна быть наименьшей. Это важно с точки зрения умень­ шения активных потерь и веса.

Неоднородную диэлектрическую стенку (рис. 3.19) условно можно разбить на три участка: оа, ab и Ъс, законы изменения диэлектрических проницаемостей для которых следующие:

*oa(y)=fl(y)> гаЪ(у) = const, 6Ьс (у) = h (у).

Таким образом, рассматриваемая конструкция представляет со­

бой

совокупность

двух

неоднородых диэлектрических переходов,

включенных навстречу;

они

 

связывают окружающую сре­

 

ду (воздух) с 6 =

1,0 с внут­

 

ренним

слоем:

гаь (у) =

 

= const = еср.

 

 

 

 

 

Функции Д (у) и /2 (у),

во­

 

обще говоря, произвольные,

 

но

в

болыиинсте

случаев

 

к (У) =

/2 (I — У)

(I

тол­

 

щина стенки). Если

ІаЬ = 0,

 

то

диэлектрическая

стенка

 

будет содержать

только

два

Рис. 3.19. Разбиение неоднородной диэлек­

диэлектрических

перехода,

трической стенки на три участка.

соединенных вместе.

 

 

следует, что величина и характер

 

Из

физических

соображений

коэффициента отражения для диэлектрической стенки с непрерывным изменением е в полосе частот зависит от диэлектрической проницае­ мости и толщины среднего слоя, от закона изменения диэлектрической проницаемости и толщины переходов оа и Ъс.

При зафиксированных параметрах среднего слоя и соблюдении

условий

симметрии синтез

рассматриваемых

стенок заключается

в определении параметров

диэлектрических

переходов (участков

оа и Ьс).

При этом, если допустимые отражения для диэлектрической

стенки в целом составляют | R | 2Д0П (в заданной полосе частот), то для

109


одного перехода они в первом приближении не должны быть больше

| Я | 2дод/2 .

Обратимся к теории неоднородных линий, утверждающей, что неод­ нородная линия с переменными коэффициентами распространения

и входным коэффициентом отражения может

быть заменена эквива­

лентной линией с постоянным коэффициентом

распространения и тем

же коэффициентом отражения на входе [43].

Применим этот способ

к неоднородному диэлектрическому переходу.

 

Произведем замену переменных, исходя

из условия равенства

электрических длин участков неоднородного перехода с переменным коэффициентом распространения (ß (л:) Ф const) и некоторого приве­ денного, у которого коэффициент распространения постоянен (ß (у) = = const = ß (0)), т. е. из условия

ß

(0) У =

I ß (х) dx.

Отсюда вытекает, что

 

о

 

I

X

 

0

 

 

и, следовательно,

 

 

dy--

ß(*) dx,

dx ß (0) dy.

 

Р (0)

ß (-V)

Здесь у и L — соответственно переменная, относящаяся к приведен­ ному переходу, и полная длина этого перехода.

Заменяя переменные в (3.14), (3.15) и (3.16) и перенося начало координат в «начало» неоднородного перехода (z — L у), для ко­ эффициента отражения получаем

L

 

 

 

 

7?! = ^ N (z)

 

dz,

(3.49)

0

 

 

 

 

где

 

 

 

 

N (x ) —

= — —

lnZ(z);

(3.50)

v ' dz

2

dz

v

 

U = 2ß(0) =

^ - ;

 

(3.51)

 

 

Â,

 

 

Z (г)—закон изменения волнового сопротивления для приведенной линии.

Условие постоянства коэффициента распространения (ß (z) = const = = ß (0)) определяет некоторую гипотетическую среду, имеющую переменную диэлектрическую проницаемость при постоянной ско­ рости распространения радиоволн.

Структура реального неоднородного перехода определяется функ­ цией N (х), гипотетического — функцией N (г).

НО