Файл: Каплун, В. А. Обтекатели антенн СВЧ (радиотехнический расчет и проектирование).pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 147

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

где

 

 

 

Л = [ с о э а — | г |2 е 2^ cos (а +

2фг) — | г |2 cos (а + 2г|)г) + 1г |4 е

2^ co sa ]e Р;

В — [ — sin а — I2 е — 2^ sin (а + 2фг) +

| г |2 sin (а + 2фг) + 1г |4 е

2^ sinct] е

,

, ß

(3.556)

ф =

arctg —

- г - cos 0;

АА

2п

"і/е— sin3 Ѳ

 

 

 

 

 

 

 

*“ Т ' — V I

У

1 +

1

ч-

(s — sin2 Ѳ)3

 

 

Р = я<іД-еті/уге — sin2 Ѳ;

 

 

 

 

 

—"j/cos3 0 (е— sin2 0) — sjn

 

ä1

arcig^rrtc

811

ЛA1

 

i|5r= arctg

 

 

 

 

2

 

e — sin2 0

 

 

 

 

 

1

 

ST1

 

 

 

cos2 0 + l/c o s 2 0 (e — sin2 0) cos

 

 

 

 

 

 

O

arCt§

2 0

 

 

 

 

 

 

2

 

s — Sin2 Ѳ

 

Г) = tgö; r — коэффициент Френеля.

 

 

 

 

 

 

 

Приведенные

соотношения

при

достаточно

малых

tg 6 (tg 6 < 0,01)

не-

сколько упрощаются, так как в этом случае т] ä

 

 

 

_______

4

 

0 и а = - у d~\/z — sin2 Ѳ.

Для многослойных конструкций стенок аналогичные выражения еще более громоздки.

Взаключение следует отметить, что точный расчет коэффициента отражения

сучетом потерь для многослойных стенок может быть также проведен с помощьюкруговой диаграммы. Для этого следует воспользоваться методом, рекомендован­ ным в книге Дж. Н. Саусворта [40] для расчета коэффициента отражения от мно­

гозвенных передающих линий с потерями.


Г Л А В А 4

ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЙ РАСЧЕТ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ С МЕТАЛЛИЧЕСКИМИ РЕШЕТКАМИ

4.1. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕАКТИВНЫХ РЕШЕТОК В ОБТЕКАТЕЛЯХ

При разработке современных обтекателей СВЧ антенн использоаание диэлектрических стенок с реактивными решетками в качестве конструкционного материала дает большие возможности.

Реактивные решетки позволяют производить согласование произ­ вольных по толщине диэлектрических слоев с окружающим простран­ ством. Это обстоятельство дает в руки конструкторов дополнитель­ ную степень свободы и позволяет проектировать стенки обтекателей, которые являются оптимальными по прочностным, весовым и радио­ техническим характеристикам.

На практике наибольшее распространение нашли решетки ин­ дуктивного и индуктивно-емкостного типов. В первом случае они пред­ ставляют собой ряд параллельных металлических проводов (или лент), диаметр (ширина) которых много меньше длины волны. Провода ре­

шетки обычно располагаются параллельно вектору Е падающего поля. Для того чтобы решетка взаимодействовала с падающей волной про­ извольной поляризации, вводится вторая система параллельных про­ водов, перпендикулярная первой и расположенная в той же плоско­ сти, так что в плане образуется сетка с квадратной ячейкой (рис. 4.1а). Во втором случае решетка образуется параллельными рядами вибра­ торов, расположенными на равном расстоянии друг от друга (с по­ стоянным шагом). Как и в предыдущем случае, для того, чтобы ре­ шетка работала при произвольной поляризации падающей на нее

•волны, вводится аналогичная вторая решетка, повернутая относи­ тельно первой на 90° (рис. 4.1, б).

Для согласования слоев диэлектрика решетки обычно включаются в среднее сечение согласуемого слоя. При этом оказывается, что решетки проводов представляют для проходящей волны индуктив­ ное, а решетки вибраторов—-либо индуктивное, либо емкостное со­ противление (в зависимости от размеров вибраторов). Если слой с ре­ шеткой при падении на них электромагнитной волны представить эквивалентной схемой, то решетка будет изображаться соответствую-

116

щим реактивным сопротивлением Zg, шунтирующим ступенчатую линию передачи (рис. 4.1, в).

Диэлектрические слои с решетками проводов и вибраторов весьма интересны в практическом отношении. Они могут использоваться в обтекателях самых различных размеров и назначений. Например, такие решетки при непрерывном изменении их параметров позволяют достаточно простыми средствами изменять характеристики стенок обтекателей от участка к участку, в том числе добиваться плавного изменения электрической толщины диэлектрических стенок вдоль их поверхности, что имеет большое значение при борьбе с угловыми ошибками остроконечных обтекателей. В некоторых случаях решетки

2d

0I ° I2

° !

S)

Рис. 4.1. Реактивные решетки:

а — решетка из цилиндрических проводов; б — решетка из цилиндрических вибраторов; в — эквивалентная схема.

из'проводов и вибраторов могут использоваться в многослойных обтекателях как для увеличения их механической прочности [9, 62], так и для обеспечения достаточно хорошей прозрачности на двух раз­ несенных волнах одновременно. В первом случае целесообразно при­ менять решетки индуктивного типа, включенные в один или два сило­ вых слоя многослойных стенок, во втором — решетки вибраторов, также включенные в силовые слои. При этом параметры вибраторов должны выбираться так, чтобы на одной из волн (более короткой) решетка имела индуктивное сопротивление, а на другой — емкостное. При соответствующем выборе всех размеров многослойной стенки та­ кой путь позволяет получить заданные значения коэффициента про­ хождения на двух волнах одновременно [63, 64, 65].

Рассматриваемые структуры также весьма ценны и при конструи­ ровании различных элементов СВЧ антенн: зеркал, фильтров, герме­ тизирующих вставок и т . п.

Наряду с решетками проводов и вибраторов значительный ин­ терес представляет применение решеток прямоугольных щелей, про­ резанных в металлических поверхностях [66, 67, 68]. Эти решетки для проходящих электромагнитных волн также представляют реак­ тивное сопротивление (индуктивного или емкостного характера) и их можно использовать для согласования диэлектрических слоев с ок- ' ружающим пространством (рис. 4.2). Преимущество таких решеток заключается в возможности с их помощью существенно увеличивать

117


механическую прочность стенок обтекателей. Однако из-за технологи­ ческой сложности изготовления и отсутствия достаточно удовлетво­ рительных методов расчета реактивные решетки этого типа пока не нашли сколько-нибудь широкого практического применения, хотя

Рис. 4.2. Диэлектрическая стенка с перфорированной металли­ ческой поверхностью.

уже первые попытки их использования в конкретных конструкциях обтекателей [69] (рис. 4.3) дают обнадеживающие результаты

(рис. 4.4).

При конструировании диэлектрических стенок с реактивымн ре­ шетками необходимо знать значение сопротивления создаваемого ре-

Рис. 4.3. Металлический перфорированный обтекатель.

щеткой в каждом конкретном случае: для данного размера и конструк­ ции диэлектрической стенки, величины диэлектрических проницае­ мостей ее слоев, углов падения волны и т. п. Это обстоятельство свя­ зано с тем, что на величину шунтирующего сопротивления решетки для проходящей электромагнитной волны оказывают влияние не толь­ ко геометрические размеры ее элементов, но и окружающая среда, влияние которой осуществляется через отраженные волны (много­

118

кратные отражения), возникающие в слоях и зависящие от всех ука­ занных выше факторов.

Задачи прохождения электромагнитных волн через реактивные решетки различных типов, расположенные в однородной среде, рас­ сматривались многими авторами*. Полученные результаты позволяют проводить необходимые расчеты таких решеток (например, находить прошедшее и отраженное поля, рассчитывать оптимальные размеры элементов решеток при заданном коэффициенте отражения и т. п.). Однако эти результаты не дают возможности оценить работу решеток, заключенных в слоях диэлектрика (из-за существенной реакции гра­ ниц раздела воздух — диэлектрик).

Впервые вопросы, связанные с дифракцией электромагнитных волн на решетках проводов, расположенных вблизи границы раздела двух полубесконечных сред, были рассмотрены в работах J. Р. Wait (на­ пример, [76, 77]). Им было показано, что при таком расположении ре­ шеток их параметры претерпевают некоторые изменения. Позже были решены задачи дифракции электромагнитных волн на решетках из проводов и вибраторов, расположенных в слоях диэлектрика (т. е. при наличии двух границ раздела воздух — диэлектрик), при произволь­ ных углах падения волны на слой (например, [63]). Решение этих задач позволило выяснить особенности работы решеток в слое диэлектрика, обосновать построение эквивалентной схемы и оценить точности расрасчетов.

4.2. ДИФРАКЦИЯ ПРОИЗВОЛЬНО ПАДАЮЩЕЙ ПЛОСКОЙ ВОЛНЫ НА СЕТКЕ ПРОВОДОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ СЛОЕ

Разработку электродинамических методов расчета реактивных решеток целесообразно начать с решения задачи дифракции электро­ магнитных волн на сетке проводов, заключенной в слое диэлектрика. Для простоты ячейка сетки может быть взята квадратной.

Следует отметить, что рассматриваемый здесь метод определения характера взаимодействия решеток (или любой периодической струк­ туры) с диэлектрическими слоями является достаточно общим. Он позволяет находить результирующие электродинамические характе­ ристики сложных диэлектрических стенок с реактивными решетками и поэтому излагается достаточно подробно.

Постановка интересующей нас задачи следующая. Две одномер­ ные периодические решетки металлических цилиндрических проводов расположены в параллельных плоскостях на расстоянии h друг от друга. Решетки повернуты одна относительно другой на 90° так, что в плане образуется сетка с квадратной ячейкой. Период решеток S; радиус проводов р. Решетки расположены внутри диэлектрического слоя толщиной с диэлектрической и магнитной проницаемостями

* Например, можно отметить работы [70, 71, 72, 73, 74, 75], а также многие другие.

119


-90 -50 —50

Р

-90 -60 -30 О 30 60 ß

 

-90 - 60 - 50 О 30 60 ß

-90 -60 -30 О 30 60 ß -9 0 -60 -30 0 30 60 ß

а)

Рис. 4.4. Диаграммы направленности антенны

а — при нескольких частотах; ■------- с обтекателем;

- 9 0 -60

-30

О

30

60

ß

 

 

f\

 

I N I

 

 

 

 

t= 3 0 °—

 

 

 

 

Л'Ѵ]

л

-

*i

 

A

(.л '1

 

T V*| kl\l

 

3т

h T

m .

ß

-90 - 60

- 30

0

30

60

сперфорированным обтекателем:

б— при различных углах сканирования.

-------- без обтекателя.

-90 - 60 - 30 О 30 60 90

::: тггг

\ -q n °

T

Л|.Л M --fr-дJy

J-

-S0 -60 -зо О 30 60 ß

б)

120

121


б и |я (рис. 4.5); для окружающей среды е = р. = 1. Рассмотрение проводится для случая, когда где — длина волны в ди­ электрической среде. Зависимость от времени берется в виде е'“'.

 

W

z

 

d f

$

 

77777777777Z’

Xi

- Л--------------------------

________________

 

У / / / / / / / / / / ,

 

1

MC

Рис. 4.5. Схема размещения сетки проводов

1lZ,

r - 1 Г

 

* r

—ГЧ 7-

_U

^ 2,

r

1

1X9

в диэлектрическом слое.

Каждая решетка проводов связывается со своей системой прямо­

угольных координат

(1-й

решетке соответствует система

X lt Y ъ

Z lt 2-й—система Х 2,

К 2, Z2) так, чтобы провода были ориентированы

вдоль осей Z x и Z2 соответственно (рис.

4.5).

 

На рассматриваемую

систему под

произвольным углом

падает

плоская электромагнитная волна, поляризованная под углом ѵ к пло­

скости падения. Направление

ее распро­

странения

образует

с

осями

координат

Х х,

К х, Zi углы tXi,

ß !,

Yi, а

с осями Х 2,

Н2,

Z2 — соответственно углы а 2,

ß2> Y2

(рис. 4.6).

 

электрического

поля

Напряженность

падающей

волны

 

 

 

 

7 П а д ___g

— / к ( а' і c o s а ,

4 - / / ,

c o s ß , 4 - в , c o s V i)

волны на сетку:

плоскость фронта падающей волны: ОМ — направление рас­ пространения падающеіі волны.

(4.1)

где к = 2л/X — постоянная распростране­ ния волны в свободном пространстве.

Отметим, что без ограничения общности

можно считать | Е0| = 1. В этом случае zдоставляющие векторов электрического и магнитного полей падающей волны

EnzaR —ae~iK(J:i cosai+ ^ cos ßi+z>cos v«)

у у п ад -_

, cos a i + iji cos ßi + Zi cos v,)

(4.2)

 

где

 

 

а = -------(cos ax sin v —cos ßxcos Yi.cos v);

 

sin ßj

 

(4.3)

b = — -—l

(cos a xcos V -)-cos ßj cos Yi sin v).

 

sin ßx

 

 

122