Файл: Каплун, В. А. Обтекатели антенн СВЧ (радиотехнический расчет и проектирование).pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 19.10.2024

Просмотров: 144

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Так как

N (z) = 0 при 2 < О и 2> L ,

(3.52)

N (2) = ---- ln Z3K(2) при О < 2 < L,

то интеграл в (3.49) может быть записан в бесконечных пределах, т. е.

С О

N (2) е—iUz dz.

(3.53)

со

Выражение (3.53), определяющее коэффициент отражения неод­ нородного диэлектрического перехода, в математическом отношении аналогично выражению для диаграммы направленности линейной, антенны, рассчитываемой по заданному распределению тока вдоль

апертуры,

причем:

R x (и) — диаграмма

направленности

антенны,

соответствующая в нашем случае «диаграмме отражений»;

N (2) —•

распределение тока

вдоль раскрыва антенны, соответствующее рас­

пределению

неоднородности; L — длина

линейной антенны,

соответ­

ствующая толщине неоднородного перехода.

Благодаря отмеченной математической аналогии при нахождении закона распределения неоднородности по заданной диаграмме отра­ жений справедливы все ограничения, свойственные антенной задаче. В частности, оказываются справедливыми ограничения, связанные с построением малогабаритной антенны: они показывают невозмож­ ность построения достаточно тонкого («малогабаритного») диэлект­ рического перехода, имеющего узкую диаграмму отражений и др. Вместе с тем, данная аналогия позволяет широко воспользоваться методами и математическим аппаратом, применяющимися при рас­ четах антенн, а также огромным количеством экспериментальных данных*.

Здесь уместно отметить, что при определении функции N (2) по за­ данной R x (и) можно использовать только те законы R x (и), которым соответствуют лишь действительные функции N (2). Наличие мнимой части приводило бы к необходимости использовать диэлектрики с по­ терями, что в рассматриваемом случае невыгодно, а часто и невозможно.

Так как короткие диэлектрические переходы более перспективны в рассматриваемом применении, наибольший интерес представляет метод синтеза (антенн) с использованием функций Матье, предложен­ ный Пистолькорсом [59], или методы, применяемые при построении антенн дольф-чебышевского типа [60] [61], позволяющие получить оптимальные соотношения между шириной диаграммы отражения по уровню первого нуля и уровнем боковых лепестков (характери­ зующих в нашем случае диапазонные свойства перехода), а также ряд работ, связанных с усовершенствованием данных методов.

* Систематическое изложение вопросов синтеза антенн дано, например, в книге Е. Г. Зелкина [58].

ш


Порядок расчета структуры неоднородной стенки по допустимому уровню отражений | R | | оп (для заданного диапазона волн и угла па­ дения) следующий:

1.По величине |і? |д 0П в заданном диапазоне волн выбирается подходящая диаграмма отражений из числа известных диаграмм направленности (например, рис. 3.20, а).

2.По диаграмме отражений определяется соответствующая ей функция неоднородности N (г) (рис. 3.20, б).

3.По найденной N (z) определяется структура неоднородного перехода и всей стенки (закон е (х), соответствующий функции неод­ нородности рис. 3.20, б, показан на рис. 3.20, е).

Рис. 3.20. К определению структуры неоднородной стенки:

а — диаграмма отражении; о — функция неоднородности; в — закон изменения 8.

Выражения для е (х) при заданной функции N (х) при 0 = 0 ! следующие:

 

 

 

 

х±

 

.

 

 

sin2 0

 

 

4 Г

N q

(.V)

dx

 

l-

1 — e

J

-L

 

dx

 

8 (0)

0

 

 

 

 

8 (x)_L =

 

 

 

 

 

e(0)

(3.54)

X _L

 

 

dz

 

 

N q .

 

 

 

 

 

4

'o

( x )

dx

 

 

 

 

a

X

dx

 

 

 

для перпендикулярно

поляризованной и

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

dz

 

 

sin3 0

I

sin2 0

J

—Idx

 

 

dx

 

1— 4-

 

 

8 ( 0)

 

 

 

8(Х)|| =

8 (0)

 

 

 

e(0)

(3.55)

 

 

 

 

 

 

 

sin2 0

4

1' Ne иM — dx

 

 

 

■1

II

dx

 

 

2

1 'Tfjä)

 

 

 

 

 

 

для параллельно поляризованной волны.

112


В приведенных соотношениях

N ѳп(х) — N Ѳц(г) при 2 —/|| (х),

Ne±{x) = N0±(z) при z = f± (x),

где N q± (z) и Л^ѳ II (z) — функция неоднородности соответственно для перпендикулярной и параллельной поляризаций падающей волны при Ѳ = Ѳх; z_i = fx (x) и 2||= /|| (x) — функциональные зависимости* находимые из следующих выражений:

 

 

 

2

___

 

 

f, 2 ) А'ѳ

(г) dz

dz;

 

^ е

 

0

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

2

2

( ДГ0 ||

(2 ) dz

 

 

X (I = 2 § е

о

 

X

 

о

 

sin2 0

 

 

 

 

 

 

 

 

4 J

<z) dz

sin2 0

1 +

1— 4e

0

 

 

s(0). )

 

 

 

 

соответственно для случаев перпендикулярно и параллельно поляризованной волны относительно плоскости падения, е (0) в (3.54) и (3.55) — величина диэлектрической проницаемости среднего слоя стенки. От величины е (0) при известной функции неоднородности за­ висит изменение коэффициента прохождения в заданном секторе уг­

лов падения.

отметить, что, используя аналогию

В заключение целесообразно

с антенной задачей, нетрудно

определить коэффициент отражения

диэлектрической неоднородной стенки , в целом (при известном зна­ чении N (г) для каждого из неоднородных диэлектрических перехо­ дов, образующих диэлектрическую стенку) или нескольких неодно­ родных стенок, расположенных одна за другой. В этом случае задача сводится к расчету суммарной диаграммы направленности ряда ли­

нейных синфазных

антенн, размещенных вдоль одной прямой, т. е„

 

 

со

со

 

R 0бщ= 2 Я п =

$ N

^ - i ^ d z + l N а(2) e~iUz dz -f-

 

rt

со

— oo

 

 

 

 

со

 

 

+

...+

j* N n (z)e~iUzdz,

(3.56)

где для каждого интеграла N n (2) Ф 0 лишь в пределах своего неод­ нородного диэлектрического перехода.

ИЗ;


3.8. УЧЕТ АКТИВНЫХ ПОТЕРЬ *

Рассмотренная выше методика позволяет находить коэффициент прохождения для многослойной или неоднородной диэлектрической стенки без учета активных потерь. Однако в некоторых случаях потери надо учитывать.

Материалы, применяемые при изготовлении обтекателей, как правило, имеют достаточно малый тангенс угла потерь (tg б); это дает возможность без больших ошибок учитывать их, используя расчеты, проводимые с помощью круговой диа­ граммы полных сопротивлений.

Ослабление амплитуды волны, прошедшей через плоский диэлектрический слой с потерями (Fx), может быть выражено следующим соотношением [8]:

 

 

 

 

21tdi

ei -5- tg Öl

- — /Фі.

 

 

 

 

X

■----

 

 

 

F i= е

V £ i — Sin2 0

 

 

 

 

 

 

где

—sin2 0,

к, 0 —фазовый угол, длина волны и угол падения

ф! =

 

к

Бі> di,

волны на слой;

проницаемость, толщина

 

 

tg 6 i—диэлектрическая

 

 

 

 

слоя и тангенс угла потерь в слое.

 

Коэффициент прохождения для слоя

 

 

 

 

Т02 =

F i(l —г01) (1 —/■„)/(! +

Fi гоі г12).

где

г01, г1= — коэффициенты Френеля.

 

 

 

При tg S <

1 Fx ж

е—,фі и коэффициент прохождения будет слудугащим:

 

 

 

 

Г0а =

2г,1 е - в«>

 

(3.57)

 

2ndi

ех -4 - tg бі

 

 

 

а Ті — коэффициент про-

где а і = —г--------

—— коэффициент затухания,

к~\/вх—sin20 хождения для слоя без потерь, который можно

определить с помощью круговой диаграммы.

Для я-слойной стенки, коэффициент прохождения (по мощности) с учетом потерь

I Тпотерь I2= \Т п |»е-2<а‘+ ®*+ •л+ап) =

 

=

[1— I Rn I2] е - 2 f e + “»

+ - : + V ,

(3.58)

где

I Rn I2 — коэффициент отражения

по

мощности

от я-слойной стен­

 

ки

без учета

потерь,

определяемый

любым способом

ах,

(в том числе с

помощью круговой диаграммы);

а а, а п — коэффициенты затухания слоев.

 

Для диэлектрических стенок с плавным изменением показателя преломления необходимо вместо tg ö n знать закон изменения потерь по толщине стенки tgö (лг), после чего коэффициент прохождения следует находить так же, как для я-слойной диэлектрической стенки (разбиением на я слоев с известными параметрами).

Рассмотренный метод учета потерь дает достаточно хорошее приближение при малых потерях.

Когда требуется знать точные характеристики диэлектрической стенки об­ текателя с потерями, надо использовать строгие соотношения для коэффициентов прохождения плоских слоистых диэлектриков с потерями. Получить их можно, например, матричным методом, однако выражения эти достаточно громоздки.

В качестве примера ниже

приводятся точные выражения для коэффициента

прохождения | Т | 2 и набега

фазы прошедшей волны ф для однослойной стенки

(простейший случай)

с потерями в функции угла падения Ѳ:

І Л 2=

_______________Л2+ В2_________________

 

(3.55а)

1 — 2 I г I2 е— 2ß cos (2а + 2фг) + | г |4 е —

114