Файл: Видершайн, М. Н. Производственный контроль параметров элементов цифровой автоматики.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 20.10.2024
Просмотров: 97
Скачиваний: 0
Т а б л и ц а |
1 |
|
|
|
Классификация узлов по функциональному признаку |
||||
Наименование |
Наименование группы |
Наименование (виды) |
||
класса |
|
|||
Генераторы |
|
Генераторы сигналов |
сину |
Генераторы LC |
|
|
соидальной формы |
|
Генераторы RC |
|
|
|
|
Кварцевые |
|
|
|
|
Ударного возбуждения |
|
|
Генераторы сигналов |
пило |
Линейно-падающего напря |
|
|
образной формы |
|
жения |
|
|
|
|
Линейно-нарастающего на |
|
|
|
|
пряжения |
|
|
|
|
Линейно-падающего тока |
|
|
|
|
Линейно-нарастающего тока |
|
|
Генераторы импульсных сиг |
Блокинг-генераторы автоко |
|
|
|
налов |
|
лебательные |
|
|
|
|
Блокинг-генераторы ждущие |
Мультивибраторы автоколе бательные Мультивибраторы ждущие
Усилители (по признакам сигнала)
Усилители
Усилители (по назначению)
Высокой частоты Промежуточной частоты Низкой частоты Видеоусилители Импульсные
Постоянного тока Мощности Воспроизведения Записи Операционные
|
Преобразователи частоты и |
Умножители частоты |
|
фазы |
Делители частоты |
|
|
Преобразователи частоты |
|
|
Фазовращатели |
|
Преобразователи формы сиг |
Ограничители |
Преобразователи |
нала |
Обострители |
|
|
Расширители |
|
Модуляторы |
Амплитудные |
|
|
Частотные |
|
|
Фазовые |
|
|
Импульсные |
10
|
|
|
Продолжение табл. 1 |
Наименование |
Наименование группы |
Наименование (виды) |
|
класса |
|||
|
Дискриминаторы |
Амплитудные |
|
|
|
|
Временные |
|
|
|
Импульсные |
|
|
|
Отношений |
|
|
|
Пиковые |
|
|
|
Частотные |
Преобразователи |
|
|
Фазовые |
|
Схемы сравнения (компара |
Амплитудные |
|
|
торы) |
|
Импульсов по длительности |
|
|
|
Импульсов по частоте повто |
|
|
|
рения |
|
Логические схемы |
Схемы совпадения «И» |
|
|
|
|
Схемы объединения «ИЛИ» |
|
|
|
Схемы отрицания «НЕ» |
|
|
|
Многофункциональные (ком |
|
|
|
бинированные) схемы |
Логические и за |
Триггеры |
|
Статические |
поминающие |
|
|
Динамические |
устройства |
|
|
|
|
Магнитные |
запоминающие |
Ферритовые |
|
устройства |
|
Пленочные |
|
|
|
На магнитных лентах, бара |
|
|
|
банах, дисках |
|
Выпрямители |
|
Однофазные |
|
|
|
Многофазные |
Вторичные источ |
Стабилизаторы |
Параметрические |
|
ники питания |
|
|
Компенсационные |
|
Статические |
преобразовате |
Однотактные |
|
ли напряжения |
Двухтактные |
|
|
Линии задержки |
Электромагнитные (LC) |
|
|
|
|
Магнитострикционные |
|
|
|
Пьезоэлектрические |
|
|
|
Электронные линии |
Пассивные ФУ |
Фильтры и контуры |
Верхних частот |
|
|
Нижних частот Полосовые Заградительные Сглаживающие Колебательные контуры
И
М и к р о м о д у л и — функциональные узлы, выполненные
сприменением микроминиатюрных дискретных радиоэлементов. Различают несколько типовых конструкций микромодулей, из них наибольшее распространение получили плоские и этажерочные. Плоский микромодуль представляет собой функциональный узел, выполненный из микроэлементов, установленных на одной или двух сторонах печатной платы. Выводы элементов соединяют
спечатным монтажом с помощью токопроводящих клеев или пайки обычными припоями. Высота всех плоских микромодулей и длина одной стороны микромодуля выбираются постоянной. Длина дру
гой стороны изменяется с шагом 4 мм.
Плоские микромодули для защиты от внешних воздействий герметизируются и закрываются металлическим колпачком. Су ществует разновидность микромодулей плоской конструкции, так называемые таблеточные микромодули, в которых микро элементы укладываются в специальные углубления в жесткой несущей плате.
Основной особенностью этажерочных микромодулей является размещение микроэлементов на специальных микроплатах, соеди няемых с определенным шагом в «этажерку». Конструкция и раз меры микроплат для модулей этажерочной конструкции унифици рованы. Микроплаты изготавливаются из различных сортов керамики.
Типовая микроплата имеет толщину 0,35 ± 0,05 мм и форму квадрата со стороной, равной 9,6 мм. Соединение микроплат в микромодуль производится с помощью проводников, впаивае мых в специальные металлизированные пазы, находящиеся на каждой стороне микроплаты по 3 шт. Для ориентации в процессе сборки, а также в процессе изготовления микроэлементов в одном из углов микроплат имеется ключ — прямоугольный вырез раз мером 1,0x0,5 мм.
В ряде стран выпускаются микроплаты с несколько отличными от приведенных выше размерами [141. Квадратные микроплаты с размером стороны 7,6 мм применяются в США и Японии, в ЧССР используется размер стороны 10 мм, в ГДР микроплаты имеют прямоугольное сечение с размером 10X 15 мм, в ФРГ применяются шестигранные микроплаты.
При использовании в микроэлементах одной радиодетали на плате достигается плотность заполнения 5— 10 эл/см3, при не скольких Деталях (так называемые полиэлементные микроплаты) плотность заполнения увеличивается до 10— 20 эл/см3.
При выборе конструкции микромодуля было отдано предпочте ние квадратной форме, так как это отвечало в большей мере тре бованиям автоматизации производства и обеспечивало размещение на них наиболее широко применяемых радиодеталей.
Стандартность конструкции микромодулей дает возможность обеспечить автоматизированное массовое производство и высокую плотность заполнения объема в аппаратуре.
12
И н т е г р а л ь н ы е м и к р о с х е м ы , и л и п р о с т о м и к р о с х е м ы — это функциональные узлы, в которых все элементы или только их часть выполняются методами пленочной, полупроводниковой или другой технологии на поверхности или в объеме твердых оснований (диэлектрических, полупроводнико вых или других). Такие основания носят названия подложки микросхем. Различают полупроводниковую, пленочную, гибрид ную интегральные микросхемы. В пленочной интегральной микро схеме все элементы выполняются в виде пленок, нанесенных на поверхность подложки, в полупроводниковой интегральной ми кросхеме все элементы выполняются на поверхности или в объеме подложки из полупроводникового материала. Гибридной инте гральной микросхемой называется интегральная микросхема, в которой наряду с элементами, неразъемно связанными на по верхности или в объеме подложки используются навесные микро миниатюрные элементы (транзисторы, диоды и т. д.). В зависимости от метода изготовления неразъемно связанных элементов могут применяться термины гибридная пленочная микросхема, гибрид ная полупроводниковая микросхема и т. д.
Совмещенной интегральной микросхемой называется микро схема, все элементы которой выполнены на поверхности и в объеме подложки из полупроводникового материала методами изготовле ния полупроводниковых и пленочных микросхем.
В микросхемах, как правило, отсутствуют отдельные дис кретные элементы, которые заменяются целыми схемами, выполненными с применением единого технологического про цесса.
Полупроводниковые и пленочные микросхемы резко отли чаются друг от друга технологией изготовления и физическим принципом действия. Если в первом случае схемы создаются путем использования ряда р—п переходов в объеме полупровод никового материала с соответствующим их соединением между собой, то пленочные микросхемы создаются путем осаждения тон ких пленок на поверхности подложки. Как в том, так и в другом случае используются плоские подложки, поэтому технологию изготовления таких микросхем называют планарной.
Интегральные микросхемы позволяют добиться наибольшей возможной в настоящее время плотности монтажа: для пленочных микросхем эквивалентных 50— 100 эл/см3, для полупроводниковых микросхем— 50— 1000 эл/см3. Микросхемы могут быть вы полнены в корпусном или безкорпусном исполнении, при этом их конструкция должна предусматривать возможность плотной ком поновки на объединительных печатных платах. В настоящее время наиболее распространены два основных вида корпусов микросхем: круглый и плоский [10]. Круглый аналогичен корпусу обычного транзистора. Плоская конструкция корпуса микросхемы яв ляется более перспективной.
13