Файл: Видершайн, М. Н. Производственный контроль параметров элементов цифровой автоматики.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 20.10.2024

Просмотров: 97

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Т а б л и ц а

1

 

 

 

Классификация узлов по функциональному признаку

Наименование

Наименование группы

Наименование (виды)

класса

 

Генераторы

 

Генераторы сигналов

сину­

Генераторы LC

 

 

соидальной формы

 

Генераторы RC

 

 

 

 

Кварцевые

 

 

 

 

Ударного возбуждения

 

 

Генераторы сигналов

пило­

Линейно-падающего напря­

 

 

образной формы

 

жения

 

 

 

 

Линейно-нарастающего на­

 

 

 

 

пряжения

 

 

 

 

Линейно-падающего тока

 

 

 

 

Линейно-нарастающего тока

 

 

Генераторы импульсных сиг­

Блокинг-генераторы автоко­

 

 

налов

 

лебательные

 

 

 

 

Блокинг-генераторы ждущие

Мультивибраторы автоколе­ бательные Мультивибраторы ждущие

Усилители (по признакам сигнала)

Усилители

Усилители (по назначению)

Высокой частоты Промежуточной частоты Низкой частоты Видеоусилители Импульсные

Постоянного тока Мощности Воспроизведения Записи Операционные

 

Преобразователи частоты и

Умножители частоты

 

фазы

Делители частоты

 

 

Преобразователи частоты

 

 

Фазовращатели

 

Преобразователи формы сиг­

Ограничители

Преобразователи

нала

Обострители

 

 

Расширители

 

Модуляторы

Амплитудные

 

 

Частотные

 

 

Фазовые

 

 

Импульсные

10


 

 

 

Продолжение табл. 1

Наименование

Наименование группы

Наименование (виды)

класса

 

Дискриминаторы

Амплитудные

 

 

 

Временные

 

 

 

Импульсные

 

 

 

Отношений

 

 

 

Пиковые

 

 

 

Частотные

Преобразователи

 

 

Фазовые

 

Схемы сравнения (компара­

Амплитудные

 

торы)

 

Импульсов по длительности

 

 

 

Импульсов по частоте повто­

 

 

 

рения

 

Логические схемы

Схемы совпадения «И»

 

 

 

Схемы объединения «ИЛИ»

 

 

 

Схемы отрицания «НЕ»

 

 

 

Многофункциональные (ком­

 

 

 

бинированные) схемы

Логические и за­

Триггеры

 

Статические

поминающие

 

 

Динамические

устройства

 

 

 

 

Магнитные

запоминающие

Ферритовые

 

устройства

 

Пленочные

 

 

 

На магнитных лентах, бара­

 

 

 

банах, дисках

 

Выпрямители

 

Однофазные

 

 

 

Многофазные

Вторичные источ­

Стабилизаторы

Параметрические

ники питания

 

 

Компенсационные

 

Статические

преобразовате­

Однотактные

 

ли напряжения

Двухтактные

 

Линии задержки

Электромагнитные (LC)

 

 

 

Магнитострикционные

 

 

 

Пьезоэлектрические

 

 

 

Электронные линии

Пассивные ФУ

Фильтры и контуры

Верхних частот

 

Нижних частот Полосовые Заградительные Сглаживающие Колебательные контуры

И


М и к р о м о д у л и — функциональные узлы, выполненные

сприменением микроминиатюрных дискретных радиоэлементов. Различают несколько типовых конструкций микромодулей, из них наибольшее распространение получили плоские и этажерочные. Плоский микромодуль представляет собой функциональный узел, выполненный из микроэлементов, установленных на одной или двух сторонах печатной платы. Выводы элементов соединяют

спечатным монтажом с помощью токопроводящих клеев или пайки обычными припоями. Высота всех плоских микромодулей и длина одной стороны микромодуля выбираются постоянной. Длина дру­

гой стороны изменяется с шагом 4 мм.

Плоские микромодули для защиты от внешних воздействий герметизируются и закрываются металлическим колпачком. Су­ ществует разновидность микромодулей плоской конструкции, так называемые таблеточные микромодули, в которых микро­ элементы укладываются в специальные углубления в жесткой несущей плате.

Основной особенностью этажерочных микромодулей является размещение микроэлементов на специальных микроплатах, соеди­ няемых с определенным шагом в «этажерку». Конструкция и раз­ меры микроплат для модулей этажерочной конструкции унифици­ рованы. Микроплаты изготавливаются из различных сортов керамики.

Типовая микроплата имеет толщину 0,35 ± 0,05 мм и форму квадрата со стороной, равной 9,6 мм. Соединение микроплат в микромодуль производится с помощью проводников, впаивае­ мых в специальные металлизированные пазы, находящиеся на каждой стороне микроплаты по 3 шт. Для ориентации в процессе сборки, а также в процессе изготовления микроэлементов в одном из углов микроплат имеется ключ — прямоугольный вырез раз­ мером 1,0x0,5 мм.

В ряде стран выпускаются микроплаты с несколько отличными от приведенных выше размерами [141. Квадратные микроплаты с размером стороны 7,6 мм применяются в США и Японии, в ЧССР используется размер стороны 10 мм, в ГДР микроплаты имеют прямоугольное сечение с размером 10X 15 мм, в ФРГ применяются шестигранные микроплаты.

При использовании в микроэлементах одной радиодетали на плате достигается плотность заполнения 5— 10 эл/см3, при не­ скольких Деталях (так называемые полиэлементные микроплаты) плотность заполнения увеличивается до 10— 20 эл/см3.

При выборе конструкции микромодуля было отдано предпочте­ ние квадратной форме, так как это отвечало в большей мере тре­ бованиям автоматизации производства и обеспечивало размещение на них наиболее широко применяемых радиодеталей.

Стандартность конструкции микромодулей дает возможность обеспечить автоматизированное массовое производство и высокую плотность заполнения объема в аппаратуре.

12


И н т е г р а л ь н ы е м и к р о с х е м ы , и л и п р о с т о м и к р о с х е м ы — это функциональные узлы, в которых все элементы или только их часть выполняются методами пленочной, полупроводниковой или другой технологии на поверхности или в объеме твердых оснований (диэлектрических, полупроводнико­ вых или других). Такие основания носят названия подложки микросхем. Различают полупроводниковую, пленочную, гибрид­ ную интегральные микросхемы. В пленочной интегральной микро­ схеме все элементы выполняются в виде пленок, нанесенных на поверхность подложки, в полупроводниковой интегральной ми­ кросхеме все элементы выполняются на поверхности или в объеме подложки из полупроводникового материала. Гибридной инте­ гральной микросхемой называется интегральная микросхема, в которой наряду с элементами, неразъемно связанными на по­ верхности или в объеме подложки используются навесные микро­ миниатюрные элементы (транзисторы, диоды и т. д.). В зависимости от метода изготовления неразъемно связанных элементов могут применяться термины гибридная пленочная микросхема, гибрид­ ная полупроводниковая микросхема и т. д.

Совмещенной интегральной микросхемой называется микро­ схема, все элементы которой выполнены на поверхности и в объеме подложки из полупроводникового материала методами изготовле­ ния полупроводниковых и пленочных микросхем.

В микросхемах, как правило, отсутствуют отдельные дис­ кретные элементы, которые заменяются целыми схемами, выполненными с применением единого технологического про­ цесса.

Полупроводниковые и пленочные микросхемы резко отли­ чаются друг от друга технологией изготовления и физическим принципом действия. Если в первом случае схемы создаются путем использования ряда р—п переходов в объеме полупровод­ никового материала с соответствующим их соединением между собой, то пленочные микросхемы создаются путем осаждения тон­ ких пленок на поверхности подложки. Как в том, так и в другом случае используются плоские подложки, поэтому технологию изготовления таких микросхем называют планарной.

Интегральные микросхемы позволяют добиться наибольшей возможной в настоящее время плотности монтажа: для пленочных микросхем эквивалентных 50— 100 эл/см3, для полупроводниковых микросхем— 50— 1000 эл/см3. Микросхемы могут быть вы­ полнены в корпусном или безкорпусном исполнении, при этом их конструкция должна предусматривать возможность плотной ком­ поновки на объединительных печатных платах. В настоящее время наиболее распространены два основных вида корпусов микросхем: круглый и плоский [10]. Круглый аналогичен корпусу обычного транзистора. Плоская конструкция корпуса микросхемы яв­ ляется более перспективной.

13