Файл: Медников, В. А. Высоковольтные модулированные униполярные генераторы.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 22.10.2024
Просмотров: 82
Скачиваний: 0
В эт о м сл у ч а е для к. п. |
д . получаем |
|
|
71,4 |
_ Р н _ |
|
и \ |
Ро |
RlE„u[ |
Еп ’ |
так как максимальное значение U[ не может превышать Е„, то U[max может достигать величины Е„, в этом случае
С учетом к. п. д. транзисторов, выпрямителя, фильтра и потерь на переключение имеем
Т] — Т]м7]твф7]пер — ^С ^твф ^пср-
Выходное напряжение управляется амплитудой возбуждающих колебаний, поэтому зависимость K=f (U y) линейная. Для отно сительной мощности потерь в управляющем элементе
° = |
1 К) |
1 |
^твф^пер |
максимальное значение о получаем при К = 0,5
0,25 ~
ашах — /)Твф^пер
На рис. 2.5 эта зависимость представлена кривой ж. .
Такие результаты весьма близки к результатам, полученным в первом параграфе, поэтому, имея в виду, что специальный регуля тор отсутствует, получаем повышение экономичности устройства на величину rin.
§ 5. МОДУЛЯЦИЯ ИЗМЕНЕНИЕМ ШИРИНЫ ВОЗБУЖДАЮЩИХ ИМПУЛЬСОВ ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ (рис. 2.8).
Применение управляющего напряжения прямоугольной формы (широтно-импульсной модуляции — ШИМ) позволяет обеспечить эффективную работу транзисторов мощного каскада при активной и реактивной нагрузках с минимальной мощностью потерь, так как ■они работают в наиболее энергетически выгодных областях отсеч ки и насыщения [32].
Определим, как и в предыдущих случаях, к. п. д. способа моду ляции
_Рп_ _1_
Ч" ~ Ро Tin •
Пользуясь диаграммой напряжений (рис. 2.8 б, в), нетрудно на писать для Рн
ч
Рн = ~jr ^ IsmSLxdt =
51
-о
Рис. 2.8. Транзисторный инвертор ШИМ и диаграммы
напряжений и токов в схеме |
|
|
|
_2 |
и [и |
|
(2-35) |
Т |
|
||
В то же время для Р 0 |
|
|
|
Р° Тт1П I |
Еп1к |
и , |
|
-L |
(2-36) |
||
*]п |
тогда
Чм = Ё7
62
Чаще всего транзисторы работают в режиме насыщения, а напря жения на них определяются
|
|
U кэн = Е а |
|
U |
|
|
тогда |
т1М= |
----- р------ |
= |
1 |
------ р— . |
(2—37) |
|
|
|
|
|
-Сп |
|
Учитывая, |
что —^ |
—<1, |
можно |
сделать |
вывод о том, что |
к. п. д. собственно широтно-импульсного модулятора постоянен, не зависит от К и близок к единице (рис. 2.2, кривая «и»).
Однако потери, неизбежно возникающие при переключении транзисторов, а также во время отсечки тока коллектора за счет неуправляемого обратного тока, останутся, и их необходимо учесть и проанализировать. Поэтому для получения полной картины за висимости i\ = f(K) необходимо определить т]п. Для этого рассмот рим форму напряжения на нагрузке (рис. 2.8) и Цп может быть определен выражением
Рн
"ПпРн+ Ру
Потери в области отсечки двухтактного усилителя мощности
ДЯогас = T - b ' + 2 ± 22l 2ЕП1К0. |
(2-38) |
Для потерь в области насыщения выходного каскада получаем
ДЯнас = 2 |
~ 2/ в„£/бн. |
(2-39) |
1 К н
Потери при переключении
ЛЯпер = 4 |
$ I M kCU+ 4 |
SJ M Kdt = 4 Щ 12 ' |
(2~ 40) |
|
о |
О |
|
Мощность в нагрузке определится как
|
Р н = | ( 2т2+; 1+---3) ■ |
(2-41) |
Обозначим Яко = 4 |
’ а Р = ~7Г • |
(2—42) |
'Kl |
Jo |
|
Тогда, учитывая (2—38), (2—39), (2—40), (2—41), (2—42) для к. п. д.
получаем
Р н |
_ |
_______________________2 т 2 + Х3 + Х 1________________________ |
4п = Рн +РУ
2 (х 1 + Т2 + т :з )+ 2 (7 " — XI — Т2 — "Сз) /чко+ 2 t 2 ^ ' СЭН-
(2-43)
53
так как |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К |
и 1 |
Еп (2т2 |
+ 11 + т3) |
1 |
|
|
2т2 + 7 1+*3 |
(2-44) |
|||||||
|
Uи |
|
|
|
|
|
£п —ЕП'т 1+ Т2 |
Т ■ -Т1—-rtf |
|
|
|||||
то, |
подставив?в (2—43), получим |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
4п |
|
|
|
|
К |
|
|
|
|
|
|
(2-45) |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
Г, |
, |
|
" 1 + |
"3 |
|
2тг |
^ и |
кэн |
и 6н |
|
|
|
|
|
|
я + 'v:___.. + ъ— + |
Т |
V Еп |
+ |
фп |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
7 |
Y1--- "3 Т ^КО ~Г |
|
|
|
|||||||
Выражение (2—45) можно упростить, обозначив через |
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
а = |
R u |
2 тг ( [ / к э н |
, |
и бн |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
R ко |
Т \ Е п |
1 у;£ п I |
|
|
|
|
||||
Эта |
величина не зависит от АГ> поэтому для |
т]п можно написать |
|||||||||||||
|
|
|
|
7J п = |
|
к |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
К + |
т 1+ Т2 |
4- Л |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
т —Т1—- |
|
|
|
|
|
||||
Учитывая, |
что |
практически |
выполняется |
условие |
а <С 1, |
по |
|||||||||
лучим |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
"Лп/к=1 — 1 |
: 1+ "з |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Таким образом, полный к. |
п. д. |
устройства |
с |
ШИМ |
может |
быть |
|||||||||
представлен как |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
*4 |
= *^М* **]п^]твф “ |
1*^твф |
К + у-- |
~~Т |
|
- |
|
|
(2—46) |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Ts |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 — XI — т3 |
|
|
|
|
|
|||
Эта зависимость для |
а + |
|
^ |
|
: -g" ; |
Т" |
пРеДставлена на |
||||||||
рис. |
2.3 кривыми аь |
и2, % соответственно. |
|
|
|
|
|
|
|
Анализ зависимости (2—46) показывает, что yj останется довольно
высоким на протяжении значительной части изменения К, что весь ма существенно.
Определим в этом случае выражение для а
|
|
№ |
(1 ~ -4) |
|
P j _ Р н (1 — У]) |
____1 |
|||
|
||||
71 |
Kmax)2 |
Итах)2 |
||
|
|
71 |
р: |
|
КЧ1 — П) |
/ |
: 1+ |
(2-47) |
|
т, |
\ а |
1 Т — XI — |
||
|
54
Отсюда следует, что потери в транзисторах с увеличением К растут пропорционально выходному напряжению и достигают мак симального значения при К — 1.
Ру/К =1 = 'J'l' 1-----г Рнтах-
Рациональным выбором транзисторов и режима их работы ве
личину |
^ |
можно свести к минимальной, тогда |
потери |
||||||
на преобразование напряжения будут невелики. |
|
|
|||||||
Зависимость—-j—— |
представлена на рис. 2.5 кривыми |
иъ и2, |
|||||||
и3, построенными при |
т i -Ь тз . |
1 |
; |
1 |
1 |
|
|||
1■--------- |
+ а = |
IU |
-г- ; |
—Г соответст- |
|||||
венно. |
|
|
1 —Tj—-3 |
|
|
О |
4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
§ 6. МОДУЛЯЦИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ |
|
|
|
|
|
||||
ПЕРЕМЕННОЙ ИНДУКТИВНОСТЬЮ |
|
|
|
|
|
|
|||
Схема с дросселем |
насыщения |
(рис. |
2.1 |
|
д) в принципе ничем |
||||
не отличается от рассмотренной |
в § 1 |
(рис. 2,1 а), только надо |
|||||||
иметь в виду, |
что в качестве Ry используется реактивное сопротив |
||||||||
ление дросселя XL=(iщ. |
|
|
|
|
|
|
|||
В этом случае выходное напряжение |
|
|
|
|
|
V Ч,»’ + Н г + *»)’
U вых — Р /вхТ(твф‘Ио .
Н т р + -£-др) 2ц>2 + ^ ^ 2 |
+ -^Др) |
Максимальное значение и Вых достигается минимальной индук тивностью дросселя (Тттрттп). Следовательно, для регулировочной характеристики определяем
|
(^Р + £дрт!п)*о2+ ( - ^ Ф . |
|
U В Ы Х |
________________v |
пЪ_______ _ |
шах |
(Z-TP + 1 др )2» 2 + ( |
— + Д д р ) 2 |
|
||
|
|
п0 |
Описанный способ не обладает хорошей регулировочной харак теристикой. При небольших изменениях К необходимо значительно' менять индуктивность дросселя Lap. При нормальной работе Дрос селя насыщения амплитуда токов в его рабочей обмотке должна быть значительно меньше тока насыщения сердечника. Выполне ние этого условия приводит к необходимости увеличивать индук тивность дросселя, поэтому габариты и вес его значительно пре вышают аналогичные параметры высоковольтного трансформато ра. Кратность изменения индуктивности дросселя невысока, что делает глубину модуляции высокого напряжения неудовлетвори тельной. На повышенных частотах велики потери на вихревые токи
55
и гистерезис в магнитопроводе дросселя. К тому же дроссель должен выполняться на полную мощность нагрузки, а это увеличивает вес и габариты устройства в целом. Транзисторы выходного каскада не могут быть достаточно эффективно использованы из-за паразит ных параметров дросселя насыщения. Кроме того, большая индук тивность обмотки управления дросселя не позволяет осуществлять модуляцию широким спектром частот. Однако, если больших из менений К не требуется, схема экономически выгоднее первого спо соба, так как в процессе регулирования участвует реактивное сопротивление дросселя, и можно подушить усиление моду лирующего сигнала по току благодаря подмагничивающей об
мотке.
Сравнивая различные способы модуляции,, можно легко за метить, что в энергетическом отношении целесообразнее применить широтно-импульсный способ модуляции, так как он дает возмож ность управлять большой мощностью, поступающей в нагрузку при малых потерях в цепях управления. Это играет огромную роль, так как для охлаждения управляющего элемента необходимо ста вить дополнительные устройства (радиаторы, принудительные сис темы охлаждения, мощные теплоотводы), что связано с конструк тивными трудностями, а иногда и невозможностью применения данного устройства из-за увеличения его габаритов, веса, энерго емкости, вследствие бесполезной затраты энергии в управляющем элементе в процессе регулирования. В случае применения ШИМ небольшие потери в мощном каскаде преобразователя дают воз можность иногда вообще отказаться от радиаторов, что сущест венно облегчает конструкцию и уменьшает ее габариты [33].
При работе в схеме с ШИМ выходной каскад работает с боль шим коэффициентом использования транзисторов как по мощнос ти, так по току и напряжению, что в свою очередь облегчает выбор транзисторов силового каскада [31]. Этому способу модуляции больше всего подходит метод получения высокого напряжения пу тем выпрямления высоковольтного напряжения прямоугольной формы с последующим умножением.
Отметим, что схема с дросселем насыщения также может быть успешно применена при условии, если не требуется больших вариа ций выходных параметров. Схема выходного каскада для ШИМ может быть собрана и на других активных элементах (например, на тиристорах), при этом сохраняются ее основные преимущества.
§ 7. СХЕМА ЛАМПОВОГО МОДУЛИРОВАННОГО ГЕНЕРАТОРА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
Схема модулированного генератора высокого напряжения, поз воляющего воспроизводить модулирующий сигнал со спектром 0-Ч-5 кгц в динамическом диапазоне 0,5-1-50 кв с максимальной мощностью нагрузки 50 вт, представлена на рис. 2.9 [28].
56