Файл: Медников, В. А. Высоковольтные модулированные униполярные генераторы.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 22.10.2024

Просмотров: 82

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

В эт о м сл у ч а е для к. п.

д . получаем

 

71,4

_ Р н _

 

и \

Ро

RlE„u[

Еп ’

так как максимальное значение U[ не может превышать Е„, то U[max может достигать величины Е„, в этом случае

С учетом к. п. д. транзисторов, выпрямителя, фильтра и потерь на переключение имеем

Т] — Т]м7]твф7]пер — ^С ^твф ^пср-

Выходное напряжение управляется амплитудой возбуждающих колебаний, поэтому зависимость K=f (U y) линейная. Для отно­ сительной мощности потерь в управляющем элементе

° =

1 К)

1

^твф^пер

максимальное значение о получаем при К = 0,5

0,25 ~

ашах /)Твф^пер

На рис. 2.5 эта зависимость представлена кривой ж. .

Такие результаты весьма близки к результатам, полученным в первом параграфе, поэтому, имея в виду, что специальный регуля­ тор отсутствует, получаем повышение экономичности устройства на величину rin.

§ 5. МОДУЛЯЦИЯ ИЗМЕНЕНИЕМ ШИРИНЫ ВОЗБУЖДАЮЩИХ ИМПУЛЬСОВ ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЫ (рис. 2.8).

Применение управляющего напряжения прямоугольной формы (широтно-импульсной модуляции — ШИМ) позволяет обеспечить эффективную работу транзисторов мощного каскада при активной и реактивной нагрузках с минимальной мощностью потерь, так как ■они работают в наиболее энергетически выгодных областях отсеч­ ки и насыщения [32].

Определим, как и в предыдущих случаях, к. п. д. способа моду­ ляции

_Рп_ _1_

Ч" ~ Ро Tin •

Пользуясь диаграммой напряжений (рис. 2.8 б, в), нетрудно на­ писать для Рн

ч

Рн = ~jr ^ IsmSLxdt =

51

Рис. 2.8. Транзисторный инвертор ШИМ и диаграммы

напряжений и токов в схеме

 

 

_2

и [и

 

(2-35)

Т

 

В то же время для Р 0

 

 

 

Р° Тт1П I

Еп1к

и ,

 

-L

(2-36)

*]п

тогда

Чм = Ё7

62


Чаще всего транзисторы работают в режиме насыщения, а напря­ жения на них определяются

 

 

U кэн = Е а

 

U

 

тогда

т1М=

----- р------

=

1

------ р— .

(2—37)

 

 

 

 

 

-Сп

 

Учитывая,

что —^

—<1,

можно

сделать

вывод о том, что

к. п. д. собственно широтно-импульсного модулятора постоянен, не зависит от К и близок к единице (рис. 2.2, кривая «и»).

Однако потери, неизбежно возникающие при переключении транзисторов, а также во время отсечки тока коллектора за счет неуправляемого обратного тока, останутся, и их необходимо учесть и проанализировать. Поэтому для получения полной картины за­ висимости i\ = f(K) необходимо определить т]п. Для этого рассмот­ рим форму напряжения на нагрузке (рис. 2.8) и Цп может быть определен выражением

Рн

"ПпРн+ Ру

Потери в области отсечки двухтактного усилителя мощности

ДЯогас = T - b ' + 2 ± 22l 2ЕП1К0.

(2-38)

Для потерь в области насыщения выходного каскада получаем

ДЯнас = 2

~ 2/ в„£/бн.

(2-39)

1 К н

Потери при переключении

ЛЯпер = 4

$ I M kCU+ 4

SJ M Kdt = 4 Щ 12 '

(2~ 40)

 

о

О

 

Мощность в нагрузке определится как

 

Р н = | ( 2т2+; 1+---3) ■

(2-41)

Обозначим Яко = 4

’ а Р = ~7Г •

(2—42)

'Kl

Jo

 

Тогда, учитывая (2—38), (2—39), (2—40), (2—41), (2—42) для к. п. д.

получаем

Р н

_

_______________________2 т 2 + Х3 + Х 1________________________

4п = Рн +РУ

2 (х 1 + Т2 + т :з )+ 2 (7 " — XI — Т2 — "Сз) /чко+ 2 t 2 ^ ' СЭН-

(2-43)

53


так как

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К

и 1

Еп (2т2

+ 11 + т3)

1

 

 

2т2 + 7 1+*3

(2-44)

 

 

 

 

 

 

£п —ЕП'т 1+ Т2

Т ■ -Т1—-rtf

 

 

то,

подставив?в (2—43), получим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4п

 

 

 

 

К

 

 

 

 

 

 

(2-45)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Г,

,

 

" 1 +

"3

 

2тг

^ и

кэн

и 6н

 

 

 

 

 

я + 'v:___.. + ъ— +

Т

V Еп

+

фп

 

 

 

 

 

 

 

7

Y1--- "3 Т ^КО ~Г

 

 

 

Выражение (2—45) можно упростить, обозначив через

 

 

 

 

 

 

а =

R u

2 тг ( [ / к э н

,

и бн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R ко

Т \ Е п

1 уп I

 

 

 

 

Эта

величина не зависит от АГ> поэтому для

т]п можно написать

 

 

 

 

7J п =

 

к

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К +

т 1+ Т2

4- Л

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

т Т1—-

 

 

 

 

 

Учитывая,

что

практически

выполняется

условие

а <С 1,

по­

лучим

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

"Лп/к=1 — 1

: 1+ "з

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таким образом, полный к.

п. д.

устройства

с

ШИМ

может

быть

представлен как

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*4

= *^М* **]п^]твф “

1*^твф

К + у--

~~Т

 

-

 

 

(2—46)

 

 

 

 

 

 

 

 

Ts

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 — XI — т3

 

 

 

 

 

Эта зависимость для

а +

 

^

 

: -g" ;

Т"

пРеДставлена на

рис.

2.3 кривыми аь

и2, % соответственно.

 

 

 

 

 

 

 

Анализ зависимости (2—46) показывает, что yj останется довольно

высоким на протяжении значительной части изменения К, что весь­ ма существенно.

Определим в этом случае выражение для а

 

 

(1 ~ -4)

P j _ Р н (1 — У])

____1

 

71

Kmax)2

Итах)2

 

 

71

р:

КЧ1 — П)

/

: 1+

(2-47)

т,

\ а

1 Т — XI —

 

54


Отсюда следует, что потери в транзисторах с увеличением К растут пропорционально выходному напряжению и достигают мак­ симального значения при К — 1.

Ру/К =1 = 'J'l' 1-----г Рнтах-

Рациональным выбором транзисторов и режима их работы ве­

личину

^

можно свести к минимальной, тогда

потери

на преобразование напряжения будут невелики.

 

 

Зависимость—-j——

представлена на рис. 2.5 кривыми

иъ и2,

и3, построенными при

т i -Ь тз .

1

;

1

1

 

1■---------

+ а =

IU

-г- ;

—Г соответст-

венно.

 

 

1 —Tj—-3

 

 

О

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

§ 6. МОДУЛЯЦИЯ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ

 

 

 

 

 

ПЕРЕМЕННОЙ ИНДУКТИВНОСТЬЮ

 

 

 

 

 

 

Схема с дросселем

насыщения

(рис.

2.1

 

д) в принципе ничем

не отличается от рассмотренной

в § 1

(рис. 2,1 а), только надо

иметь в виду,

что в качестве Ry используется реактивное сопротив­

ление дросселя XL=(iщ.

 

 

 

 

 

 

В этом случае выходное напряжение

 

 

 

 

 

V Ч,»’ + Н г + *»)’

U вых — Р /вхТ(твф‘Ио .

Н т р + -£-др) 2ц>2 + ^ ^ 2

+ -^Др)

Максимальное значение и Вых достигается минимальной индук­ тивностью дросселя (Тттрттп). Следовательно, для регулировочной характеристики определяем

 

(^Р + £дрт!п)*о2+ ( - ^ Ф .

U В Ы Х

________________v

пЪ_______ _

шах

(Z-TP + 1 др )2» 2 + (

— + Д д р ) 2

 

 

 

п0

Описанный способ не обладает хорошей регулировочной харак­ теристикой. При небольших изменениях К необходимо значительно' менять индуктивность дросселя Lap. При нормальной работе Дрос­ селя насыщения амплитуда токов в его рабочей обмотке должна быть значительно меньше тока насыщения сердечника. Выполне­ ние этого условия приводит к необходимости увеличивать индук­ тивность дросселя, поэтому габариты и вес его значительно пре­ вышают аналогичные параметры высоковольтного трансформато­ ра. Кратность изменения индуктивности дросселя невысока, что делает глубину модуляции высокого напряжения неудовлетвори­ тельной. На повышенных частотах велики потери на вихревые токи

55


и гистерезис в магнитопроводе дросселя. К тому же дроссель должен выполняться на полную мощность нагрузки, а это увеличивает вес и габариты устройства в целом. Транзисторы выходного каскада не могут быть достаточно эффективно использованы из-за паразит­ ных параметров дросселя насыщения. Кроме того, большая индук­ тивность обмотки управления дросселя не позволяет осуществлять модуляцию широким спектром частот. Однако, если больших из­ менений К не требуется, схема экономически выгоднее первого спо ­ соба, так как в процессе регулирования участвует реактивное сопротивление дросселя, и можно подушить усиление моду­ лирующего сигнала по току благодаря подмагничивающей об­

мотке.

Сравнивая различные способы модуляции,, можно легко за­ метить, что в энергетическом отношении целесообразнее применить широтно-импульсный способ модуляции, так как он дает возмож­ ность управлять большой мощностью, поступающей в нагрузку при малых потерях в цепях управления. Это играет огромную роль, так как для охлаждения управляющего элемента необходимо ста­ вить дополнительные устройства (радиаторы, принудительные сис­ темы охлаждения, мощные теплоотводы), что связано с конструк­ тивными трудностями, а иногда и невозможностью применения данного устройства из-за увеличения его габаритов, веса, энерго­ емкости, вследствие бесполезной затраты энергии в управляющем элементе в процессе регулирования. В случае применения ШИМ небольшие потери в мощном каскаде преобразователя дают воз­ можность иногда вообще отказаться от радиаторов, что сущест­ венно облегчает конструкцию и уменьшает ее габариты [33].

При работе в схеме с ШИМ выходной каскад работает с боль­ шим коэффициентом использования транзисторов как по мощнос­ ти, так по току и напряжению, что в свою очередь облегчает выбор транзисторов силового каскада [31]. Этому способу модуляции больше всего подходит метод получения высокого напряжения пу­ тем выпрямления высоковольтного напряжения прямоугольной формы с последующим умножением.

Отметим, что схема с дросселем насыщения также может быть успешно применена при условии, если не требуется больших вариа­ ций выходных параметров. Схема выходного каскада для ШИМ может быть собрана и на других активных элементах (например, на тиристорах), при этом сохраняются ее основные преимущества.

§ 7. СХЕМА ЛАМПОВОГО МОДУЛИРОВАННОГО ГЕНЕРАТОРА ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ

Схема модулированного генератора высокого напряжения, поз­ воляющего воспроизводить модулирующий сигнал со спектром 0-Ч-5 кгц в динамическом диапазоне 0,5-1-50 кв с максимальной мощностью нагрузки 50 вт, представлена на рис. 2.9 [28].

56