Файл: Копецкий, Ч. В. Структура и свойства тугоплавких металлов.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 22.10.2024

Просмотров: 53

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Полная дислокация а <100 > может возникнуть в результате реакций между притягивающимися дислока­ циями—дислокацией главной системы скольжения а/2

[111] (101) и другими дислокациями а/2 < 111 > , лежа­

щими в плоскостях {ПО} . Рассмотрим некоторые из этих реакций.

Дислокация а [100]. расположенная в плоскости (001), возникает по реакции

а/2 [111].

+ а/2 [111]

- а [100]

_

1 J(L0I)

1

Ц101)

(001)-

Такая реакция энергетически

выгодна.

Дислокация

а<100>, возникающая по этой реакции в вершине двух пересекающихся скоплений дислокаций а/2 < 111 > и ле­

жащая и плоскостях {і00[, может действовать как эффективный барьер, препятствующий скольжению в

двух пересекающихся плоскостях {ПО} , в которых

ле­

жат дислокации, участвующие в реакции.

 

 

По реакции типа

 

 

 

 

 

 

а/2 [ 111] _ IJ+ а/2 [ПГ] _

-

а [0101-

 

1

\і0 1 )і

1

\і01)

 

1

(101)

 

дислокация

о<100>

возникает

в

главной плоскости

скольжения.

Эта реакция

энергетически

выгодна

при

любых ориентациях исходных и конечных дислокаций. Дислокации этого типа наблюдают часто в шксагональ-

ных сетках,

состоящих

из

отрезков а /2 < Ш >

и

а < 1 0 0 > . Распад

узлов

таких

сеток может играть

су­

щественную

роль

в сопротивлении пластическому

те­

чению.

 

 

 

 

 

В любой из плоскостей {110} дислокация а <1(Л > может возникать с выигрышем энергии по реакции меж­

ду дислокациями а /2 < 1 1 1

>

с винтовой ориентацией и

смешанными дислокациями

а/2 < 1 1 1 > , лежащими в

плоскостях •{ НО }• , по типу

 

 

а/2 [111]

-Ьа/2І1

іТ] -

- а [ 1 0 0 ] _ ,

J(S)

1

 

\0П >

(011)

где (S) означает винтовую дислокацию.

Такие реакции также приводят к образованию дисло­ кационных сеток.

Энергетически выгодны и реакции, приводящие к возникновению дислокаций а < 1 0 0 > , плоскости сколь­

16


жения которых отличаются от плоскостей скольжения исходных дислокаций:

а/2 [ 111] _ + а/2[1І1]

(110)

-> а[100]_ .

(101)

1

'(0 1 1 )

Плоскость скольжения результирующей дислокации здесь является плоскостью поперечного скольжения обеих исходных дислокаций. Дислокации, возникающие при такой реакции, являются барьером для скольжения дислокаций а/2 < 111 > . В то же время скопления таких

дислокаций в пересекающихся плоскостях 'j 110^ могут вызвать напряжения, достаточные для скольжения ди­ слокации а<100> .П ри этом в зависимости от распре­

деления локальных напряжений в плоскостях jl 10 }, где лежат дислокации а < 100>, протекает пластическое

течение либо возникают трещины.

В последнем случае

дислокации

а<100> м огут образовывать трещины

по

механизму,

который аналогичен

предложенному

Кот­

треллом для возникновения трещин ів плоскостях {100}. Дислокации типаа< 100>, лежащие как в плоскостях

{100|, так и в )110}, могут с выигрышем энергии

расщепляться в плоскостях {ПО} или |Ю 0| Ѵв зависи­ мости от кристаллографии реакции с образованием пары частичных дислокаций а/2 < 100>. Например, распад

может происходить в плоскости {і00[:

а [100]

а/2 [100] _ +

а/2 [100]

 

1

(001)

( 001)

(001)

 

Возникающая

пара

частичных

дислокаций

а/2 < 100>

оказывается

более

эффективным барьером

пластичес­

кому течению, чем полная дислокация а < 100>. Чтобы такое течение могло идти, необходима последовательная рекомбинация двух частичных дислокаций а /2 < 1 0 0 > в полную а<сЮ 0> и затем в две дислокации а /2 < Ш > . Такая рекомбинация не может произойти под действием

напряжений,

вызываемых скоплениями дислокаций

а /2 < 1 1 1 > .

Для ее осуществления необходимы либо тер­

мическая флуктуация, либо внешние напряжения.

Рас­

щепленная дислокация а< 100> может 'служить

также

эффективным источником возникновения трещины.

Если пара частичных дислокаций а/2 < 100>,

лежа­

щих в плоскости {іЮ|, ориентирована параллельно на­ правлению < 111 > , то под действием-дщешнего напряже-

I Л гу5л::ч;;-.-^ ІТ


пня одна из дислокации а/2 _100> может в свою оче­ редь расщепиться иа сидячую а/6 :.21Г и двойникующую частичную дислокацию а /6 < 111 >(sy Двойникующая дислокация может образовать двойник в одной из плоскостей -J 112 J- в зависимости от величины локаль­ ного сдвигового напряжения и от типа возникающего дефекта упаковки.

Суммарная реакция для этого случая

а[100](оТі) - а/2[100](оТі) +

а/2 [100](оП) - а / 2 [100](оТі) -|-

+

а/6[2П]

_

+

а/6 [111] .

 

(Oil)

1

L J(S)

Дислокации типа а < 110> возникают в результате

реакций между

взаимно

отталкивающимися дислока­

циями типа а/2<111>. Такие реакции могут проходить при очень высоких концентрациях напряжений в соот­

ветствующих плоскостях скольжения {110[ или при больших скоростях деформаций. Необходимый уровень концентрации напряжений может быть достигнут в вер­ шине пересекающихся скоплений дислокаций. Дислока­ ции типа а < 1 І0 > такж е встречаются в гексагональных дислокационных сетках. Дислокация а < 110> может расщепляться на пары дислокаций а/2< 110>, лежащие

в плоскостях {1І0[ или {100[. Расщепленные дислока­ ции оказывают очень сильное сопротивление пластичес­ кому течению и являются потенциальными зародышами разрушения. Если одна из исходных отталкивающихся

дислокаций

а/2 < 111 >

винтовая, то при последующем

расщеплении вместо пары

дислокаций а/2 <110> обра­

зуются две

дислокации:

двойникующая

частичная

а /3 < 1 1 1 >

и сидячая

а /3 < 2 2

1 > .

Частичная двойни­

кующая дислокация, лежащая в плоскости •{ 112 J-, об­

разует очень мелкие

двойники

с

большим

сдвигом.

Продукты этих реакций являются эффективными барье­ рами для пластического течения в плоскостях -| ПО }• , центрами разрушения и двойникования.

РАСЩЕПЛЕНИЕ ВИНТОВЫХ ДИСЛОКАЦИЙ

В пластической деформации металлов с о. ц. к. ре­ шеткой очень важную роль играет расщепление винто­ вых дислокаций. Впервые на это было указано Хиршем более 10 лет назад [6].

18


Винтовая дислокация а/2<111> может расщеп­ ляться в плоскостях •[ ПО } или ■{112}-. Подробно все возможные типы расщепления рассмотрены в работе [4].

Энергетически выгодным устойчивым расщеплением винтовой дислокации в одной из плоскостей {ПО} является расщепление типа

а/2 [111] —о/8 [1101 1 а/4 [112] + а/8 [ПО].

Расщепление, геометрия которого показана на рис. 4 [4], называют расщеплением типа А. Эта дислокацион­ ная'конфигурация является скользящей.

и і

л

 

А

а/2 [ІИ]

 

а /2 [ Ш ]

Ь Л

 

 

 

 

 

 

 

Р2

Pj

b,J

. * И

/ ( 1 0 1 )

м

Ч *

 

 

 

1

V

h

вг

 

 

 

а/г[т]

к

Ч

 

 

 

(ту

j

 

 

 

 

чщ

 

 

V

 

 

 

 

 

 

 

'(110)

 

 

Н О Т) - р

 

 

Рис.

4.

Расщепление

винтовых

дислокаций

на

плоскостях

 

 

 

I

110 [• в о. ц. к. решетке:

 

 

 

а — скользящая типа

А;

б, в — сидячие типа В

[4 ] ;

Л ,

—дислока­

ции

а/8

ІИО] (Ь,,

М ;

Pj — а/4

[П2]

( b ,) \D i,

 

D а,

D s — дислокации

 

 

а/8 < 1

К »

((>,, b o , г>3) ; Щ

- а / 4 <

Ш

>

(6 < )

 

Наряду с этим винтовая дислокация с вектором сдвига а /2 < Н 1 > может расщепляться в трех Пересе’ кающихся плоскостях ■{110 J- по реакции

а/2 [111] -а /8 [110] + а/8 [1011 + а/8 [011] + а/4 [111].

Такое расщепление называют расщеплением типа В, или «звездой» (іпо терминологии, предложенной А. Н. Ор­ ловым [5, с. 5—25]). Здесь дислокация расщепляется на четыре частичные дислокации, соединенные дефектами

упаковки в трех пересекающихся плоскостях {110}.

Как видно из рис. 4, дислокации

Di — a/8 < 1 1 0 > ,

D2— a/8 < 1 0 1 > и

D3— a /8 < 0 ll>

лежат

соответ­

ственно в плоскостях

(ПО), (101)

и (ОП),

Частич-

.19


пая дислокация D4—а/4<111> совпадает с линией пе­

ресечения этих трех плоскостей типа {іЮ}. Для дисло­ кации а/2 [111] возможен второй вариант симметрично­ го расщепления, при котором частичные дислокации

располагаются в трех плоскостях типа {і10}>

симмет­

ричных плоскостям первого варианта,

как это хорошо

видно из этого же рисунка. Таким образом,

при рас­

щеплении по типу В возможны два

варианта В і и В2,

причем оба варианта расщепления равноправны, так как положения частичных дислокаций а/8 < 110>, симмет­ ричные относительно линии пересечения плоскостей

{110} , эквивалентны. Расчеты показывают, что рас­ щепление типа В энергетически .более выгодно, чем А, т. е. расщепление типа В более устойчиво. Дислокацион­

ная конфигурация, отвечающая расщеплению В,

явля­

ется сидячей.

 

 

 

винтовой

Достаточно устойчивым расщеплением

дислокации а/2 <111 >

в одной

из

плоскостей

{П2[

является расщепление по реакции

 

 

 

 

а/2 < 111 > - а/6 < 111 > +

а/3 < 111 > .

 

Конфигурация, отвечающая такому расщеплению,

называемому расщеплением типа А', является

сколь­

зящей. Однако энергетически более выгодно

расщепле­

ние винтовой дислокации а/2 < 111 > в двух

плоскостях

{112} в соответствии с реакцией

 

 

 

 

а/2< 111 > ->■а/6< 111 > + а/6< 111 >

+ а /6 < 1 1 1 > .

Такое расщепление

называют

расщеплением

типа

В', или «крышей» (по

терминологии А. Н. Орлова). При

этом винтовая дислокация расщепляется на три частич­ ные дислокации а /6 < 1 Н > , соединенные дефектами

упаковки в двух пересекающихся плоскостях {112}. Например, частичная дислокация D \ лежит в плоскости

(121), D'з — в плоскости (1І2), а D'2 совпадает с линией пересечения этих плоскостей. Возможны_три варианта

расщепления типа В' в плоскостях (121), (211), и

(112): В'іВ'г и В'з, так как положения частичных дисло­ каций а/6 <111 > , симметричные относительно линии

пересечения плоскостей {П2}, неэквивалентны. Им соответствует разные дефекты упаковки, энергия ОДНО’

20