Файл: Пакулов, Н. И. Мажоритарный принцип построения надежных узлов и устройств ЦВМ.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 24.10.2024

Просмотров: 83

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Влияние резистивного делителя на условий потенциального согласования

Резистивный делитель R1R4 образует мажоритарный вход эле­ мента (рис. 1.1). Напряжения на входах делителя принимают два значения: низкое («вх н) и высокое (нВх в). С помощью различных сочетаний входных напряжений при правильном выборе величин со­ противлений делителя можно обеспечить выполнение мажоритарной логики. Так как все входы мажоритарного элемента равноценны, то выбирают

R t = R2=R3=R.

(1.49)

Если число входов, на которые поступают высокие значения входных напряжений вх в) элемента, составляют меньшинство, то значение Hoi не должно входить в область переключения, т. е. «ei должно быть меньше «0и—Amdi/2. Если же на большем числе входов эле­ мента напряжения имеют высокие уровни, то «61 должно быть боль­ ше Uon+A«6i/2. Запас, с которым удовлетворяются эти требования, будет характеризовать помехоустойчивость элемента.

При наличии трех входов напряжение «ei должно принимать

четыре

значения: «гио— если

на всех входах низкие уровни

напря­

жений;

« о н —если только на

одном входе высокий уровень;

«612 —

если только на двух входах

высокие уровни и «013— если

на всех

трех входах высокие уровни напряжения.

 

Если не учитывать ток базы 77, то, как

видно из

рис.

1.1,

 

 

 

(1-30)

 

Uoio—[3R J(R -\-ЗЯь) ] Ujsx и,

 

 

«611 =

[/?*/(/?+ 3/?*)](2и„х „+ «ВХ в),

(1-51)

 

«612=

[Rif (7?+ 3Ri) ] («вх 11+ 2Мцх п) ,

(1-52)

 

И(И8= [37?4/(/?+3/?4)]Ивх В.

 

(1.53)

В

выражениях (1.50) — (1.53) величина

«бю является

наименьшей, а величина «бш— наибольшей

gio= « gih;

«613 = «61 в), ПОЭТОМУ «613— «610= «61 маис-

 

 

Потребовав выполнения равенств

 

 

 

 

Мб10 — UonМб1 макс/2,

 

(1.54)

 

 

Мб13 = Моп + Мб1 макс/2,

 

(1.55)

из выражений (1.50) — (1.53)

получим

 

 

 

 

Иб11==иои

«61 макс/6,

 

(1.56)

 

 

«оп + Мб1 макс/6.

 

(1.57)

Из соотношений (1.54) — (1-57) видны однозначные требования к расположению на оси напряжений «gi ха­ рактеристик передачи (рис. 1.10) для четырех значений:

Мбю, МбИ, Мб12 И «613-

27


Из соотношений (1.50) — (1.53) определим

требова­

ния к входным уровням напряжений:

 

Ивх н= ( 1+ V 3‘-^ /^ 4) Мб1 н,

(1.58)

И в х в = ( 1+ 7 з-Я/Л*)Иб1в.

(1.59)

Из этих соотношений видно, что входные напряжения должны быть смещены относительно uei, причем смеще­ ние для различных уровней различно. С увеличением R4 пределы изменения входных напряжений стремятся к пределам изменения «61.

Рис. 1.10. Вид характеристик передачи по напряжению. Точками показаны значения напряжения «oi при различных сочетаниях уров­ ней входных напряжений.

Так как размах выходного напряжения незначитель­ ный (1.43), а положение точек «бп и «012 близко к обла­ сти переключения (рис. 1.10), то представляется целе­ сообразным для увеличения помехоустойчивости исклю­ чить R4 из схемы \R4 = 00), при этом получим схему, приведенную на рис. 1.11. На этом рисунке обозначения согласуются с рис. 1.3, но резисторы на входе элемента обозначены одним символом, что указывает на равен­ ство -их сопротивлений. Эта схема имеет очевидные пре­ имущества перед схемой, представленной на рис. 1.3. Во-первых, здесь меньше входной ток, т. е. больше ко­ эффициент разветвления по выходу, что обусловлено от­ сутствием во входных цепях составляющих токов через общий резистор. Эту особенность можно использовать и для улучшения переходных характеристик элементов за счет уменьшения R. Во-вторых, различие между ывх и «61 меньше, что облегчает управление элементом и улуч­ шает возможности потенциального согласования. Поэто­ му в дальнейшем основное внимание уделяется элементу

28

ПТРЛ без общего резистора. Учет этого резистора не вызывает затруднений и при необходимости может быть осуществлен читателем самостоятельно.

Ток базы / б транзистора

77 существует лишь в слу­

чае, если большинство или

все входные напряжения

принимают верхние значения, т. е. при значениях Мбь равных Мб12 или Mr,1з (для трехвходового элемента). На рис. 1.6 напряжение М612 принято равным 0,2 В, а иш — равным 0,6 В, при этом ток базы itn («012) = 128 мкА,

Рис. 1.11. Принципиальная схема МЭ типа ПТРЛ без общего рези­ стора во входной'цепи.

a lei(«б1з) = 133 мкА, что соответствует разнице токов всего на 4%. Поэтому во всем диапазоне напряжений Нб1 от Мб12 до Мб13 можно пользоваться средним значени­ ем тока /б, при этом ошибка в определении входного тока не превышает единиц процентов.

Как видно из рис. 1.11, с учетом тока базы / б

 

«610= « В Х H i

(1.60)

«611=== Vs(2«вх н+ «вх в)»

(1.61)

«612==Vs(«вх H“h2&вхв) —Vs^

(1.62)

«613= « В Х В

(1.63)

Из выражений 1.60 и 1.63 находим

 

Мб13 Ибю —Мб1макс= WBXв—"UBx н—

 

УзЛ)7?—UBx макс—Уз/б^?,

(1.64)

откуда видно, что

 

Мвх макс—Ч(Нмакс4"Уз/ бR,

(1.65)

ГДе Мб1 макс — ^бэ-

29



При симметричном расположений «бм и й ш , т. е. прй

«610— Поп «61 макс/2,

(1 .6 6 )

 

НогаТ" «61 макс/2,

(1.67)

из соотношений (1.60) и (1.66)

определяем

 

«вх м = «вых ы — Поп

«б 1 макс/2,

( 1.68)

а из соотношений (1.63)

и (1.67) —

 

Них в= : Иных в =

Иоп+ «61 макс/2 + ^ h h i R -

( 1.69)

Выражение для Нби находим из соотношения

(1.61):

МбИ= Won— «61 макс/6 + Vs)7б^?,

( 1.70)

а для Нб12■— из соотношения (1.62):

 

Иб12~ Won4"«Gl макс/6 + 2/9/ бЯ

(1.71)

с учетом (1.68) и (1.69).

Из полученных выражений видно, что размах вход­ ного напряжения должен быть больше размаха «gi на величину 1/31сЯ; значение «он приблизилось к границе области переключения но сравнению с рис. 1.10 на ве­ личину 7й/бR, а значение «612— отдалилось на величину 2/э/бЯ. Так как граничные значения исло и шиз остались прежними, то условия предотвращения насыщения тран­ зистора 77 сохраняются с прежними запасами.

Для выполнения условий (1.66) и (1.67) уровни входных на­ пряжений должны располагаться несимметрично относительно опор­ ного напряжения иоп за счет подъема верхнего уровня. Асимметрию входных уровней можно получить, одновременно увеличивая Ек и

.размах выходных напряжений (а/0Ди) или увеличивая размах вы­ ходных напряжений и снижая уровни иоп. При этом размах вы­ ходных, напряжений (а/оЯк) и напряжение Ек необходимо увеличить на величину 4shR, а при неизменном Ек размах увеличить, а иоа уменьшить на ту же величину. В первом случае нижние уровни выходных напряжений остаются -неизменными, а верхние (1.34) под­ нимаются да величину lh h R . Во втором случае нижние уровни вы­ ходных напряжений и уровень опорного напряжения опускаются, а верхние уровни остаются неизменными.

Таким образом, в схеме, представленной на рис. 1.11, можно выполнить условия потенциального согласования элементов без применения дополнительных элементов смещения напряжения при большем размахе выходных и входных напряжений. Размах этих напряжений опре-

30


деляется соотношением

Ии в- Ии н = Ип и Ип ц = Них в"—Нвх и

= а/ц/?к — Ибэ+

(1.72)

а напряжение питания — соотношением

 

Ец— Uou+ 3/гИбэ+ 7з/бЯ.

(1.73)

Помехоустойчивость

Помехоустойчивость устройства характеризует его возможности сохранять работоспособность при воздей­ ствии на различные цепи помех, создаваемых внутренни­ ми и внешними источниками.

Для повышения помехоустойчивости в ЦВМ прини­ мается ряд мер: тщательное экранирование и развязка цепей, в которых изменения токов и напряжений про­ исходят с высокими скоростями и в больших пределах, снижение индуктивного и омического сопротивлений за­ земления и цепей питания. Однако эти меры не позво­ ляют полностью избавиться от влияния помех в вычис­ лительной машине, поэтому в каждом элементе прихо­ дится обеспечивать определенный запас помехоустойчи­ вости.

Запас помехоустойчивости [5] логического элемента определяется характеристикой передачи. Так как в ли­ тературе еще нет единой терминологии и окончательно установившихся определений, то необходимо разъяснить смысл понятий, характеризующих помехоустойчивость. Характеристики передачи по напряжению прямого и ин­ версного выходов, используемые для пояснений, приве­ дены на рис. 1.12. Запас по­ мехоустойчивости элементов типа ПТРЛ будем опреде­ лять как разность между входным напряжением, соот­ ветствующим Порогу (Поп) >и

Рис. 1.12. Характеристики переда­ чи переключателя тока по напря­ жению, используемые для иллю­ страции положения точек, соот­ ветствующих /Си= 1 и пороговому значению входного напряжения.

3J

входным напряжением, соответствующим нижнему («вхн) или верхнему (иВхв) значению напряжения [2]. Для сложных цепей, в которых логические элементы охвачены внешней обратной связью (типа триггерных схем), необходимо, чтобы напряжение помехи не превы­ шало уровня, при котором коэффициент передачи кас­ када по напряжению (Ки) равен единице [5]. На рис. 1.12 показаны четыре точки, где Ки — 1. Из этого рисун­ ка видно, что запасы помехоустойчивости элемента типа ПТРЛ по нижнему и верхнему уровням входных напря­ жений одинаковы. Полагая в соответствии с принятым определением пороговое напряжение

Ujjop—^ОП

и обращаясь к аналитическим соотношениям (1.66) и (1.67), замечаем, что запас помехоустойчивости («по) относительно базы Т1 равен

«пО^^Won «610= «613—«оп= V2«61макс-

(1.74)

Если только одно из входных напряжений соответст­ вует верхнему уровню, то запас помехоустойчивости оп­ ределяется по формуле

«п1 —«оп «бн —1/б«б1 макс

(1.75)

а если два входных напряжения соответствуют высоким уровням, то —по формуле

«пг==«б12«оп==Ve«6l макс"Ь2/эЯЯ.

0-76)

Для того чтобысравнить запаспомехоустойчивости с необходимым для управления элементами размахом входных и выходных напряжений, пользуются отношени­ ем зацаса помехоустойчивости к размаху входного на­ пряжения; это отношение называется помехоустойчиво­ стью [2, 5] *.

Обозначим помехоустойчивость символом Я и для

случаев, рассмотренных при выводе выражений

(1.74),

(1.75) и (1.76), получим

 

Я о^/г,

(1.77)

Я1«гЯ2~1/б.

(1-78)

* В некоторых работах эта величина называется коэффициентом помехоустойчивости,

32