Файл: Пакулов, Н. И. Мажоритарный принцип построения надежных узлов и устройств ЦВМ.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 24.10.2024
Просмотров: 83
Скачиваний: 0
Влияние резистивного делителя на условий потенциального согласования
Резистивный делитель R1—R4 образует мажоритарный вход эле мента (рис. 1.1). Напряжения на входах делителя принимают два значения: низкое («вх н) и высокое (нВх в). С помощью различных сочетаний входных напряжений при правильном выборе величин со противлений делителя можно обеспечить выполнение мажоритарной логики. Так как все входы мажоритарного элемента равноценны, то выбирают
R t = R2=R3=R. |
(1.49) |
Если число входов, на которые поступают высокие значения входных напряжений (ивх в) элемента, составляют меньшинство, то значение Hoi не должно входить в область переключения, т. е. «ei должно быть меньше «0и—Amdi/2. Если же на большем числе входов эле мента напряжения имеют высокие уровни, то «61 должно быть боль ше Uon+A«6i/2. Запас, с которым удовлетворяются эти требования, будет характеризовать помехоустойчивость элемента.
При наличии трех входов напряжение «ei должно принимать
четыре |
значения: «гио— если |
на всех входах низкие уровни |
напря |
жений; |
« о н —если только на |
одном входе высокий уровень; |
«612 — |
если только на двух входах |
высокие уровни и «013— если |
на всех |
|
трех входах высокие уровни напряжения. |
|
Если не учитывать ток базы 77, то, как |
видно из |
||||
рис. |
1.1, |
|
|
|
(1-30) |
|
Uoio—[3R J(R -\-ЗЯь) ] Ujsx и, |
|
|||
|
«611 = |
[/?*/(/?+ 3/?*)](2и„х „+ «ВХ в), |
(1-51) |
||
|
«612= |
[Rif (7?+ 3Ri) ] («вх 11+ 2Мцх п) , |
(1-52) |
||
|
И(И8= [37?4/(/?+3/?4)]Ивх В. |
|
(1.53) |
||
В |
выражениях (1.50) — (1.53) величина |
«бю является |
|||
наименьшей, а величина «бш— наибольшей |
(«gio= « gih; |
||||
«613 = «61 в), ПОЭТОМУ «613— «610= «61 маис- |
|
|
|||
Потребовав выполнения равенств |
|
|
|||
|
|
Мб10 — Uon—Мб1 макс/2, |
|
(1.54) |
|
|
|
Мб13 = Моп + Мб1 макс/2, |
|
(1.55) |
|
из выражений (1.50) — (1.53) |
получим |
|
|
||
|
|
Иб11==иои |
«61 макс/6, |
|
(1.56) |
|
|
«оп + Мб1 макс/6. |
|
(1.57) |
Из соотношений (1.54) — (1-57) видны однозначные требования к расположению на оси напряжений «gi ха рактеристик передачи (рис. 1.10) для четырех значений:
Мбю, МбИ, Мб12 И «613-
27
Из соотношений (1.50) — (1.53) определим |
требова |
ния к входным уровням напряжений: |
|
Ивх н= ( 1+ V 3‘-^ /^ 4) Мб1 н, |
(1.58) |
И в х в = ( 1+ 7 з-Я/Л*)Иб1в. |
(1.59) |
Из этих соотношений видно, что входные напряжения должны быть смещены относительно uei, причем смеще ние для различных уровней различно. С увеличением R4 пределы изменения входных напряжений стремятся к пределам изменения «61.
Рис. 1.10. Вид характеристик передачи по напряжению. Точками показаны значения напряжения «oi при различных сочетаниях уров ней входных напряжений.
Так как размах выходного напряжения незначитель ный (1.43), а положение точек «бп и «012 близко к обла сти переключения (рис. 1.10), то представляется целе сообразным для увеличения помехоустойчивости исклю чить R4 из схемы \R4 = 00), при этом получим схему, приведенную на рис. 1.11. На этом рисунке обозначения согласуются с рис. 1.3, но резисторы на входе элемента обозначены одним символом, что указывает на равен ство -их сопротивлений. Эта схема имеет очевидные пре имущества перед схемой, представленной на рис. 1.3. Во-первых, здесь меньше входной ток, т. е. больше ко эффициент разветвления по выходу, что обусловлено от сутствием во входных цепях составляющих токов через общий резистор. Эту особенность можно использовать и для улучшения переходных характеристик элементов за счет уменьшения R. Во-вторых, различие между ывх и «61 меньше, что облегчает управление элементом и улуч шает возможности потенциального согласования. Поэто му в дальнейшем основное внимание уделяется элементу
28
ПТРЛ без общего резистора. Учет этого резистора не вызывает затруднений и при необходимости может быть осуществлен читателем самостоятельно.
Ток базы / б транзистора |
77 существует лишь в слу |
чае, если большинство или |
все входные напряжения |
принимают верхние значения, т. е. при значениях Мбь равных Мб12 или Mr,1з (для трехвходового элемента). На рис. 1.6 напряжение М612 принято равным 0,2 В, а иш — равным 0,6 В, при этом ток базы itn («012) = 128 мкА,
Рис. 1.11. Принципиальная схема МЭ типа ПТРЛ без общего рези стора во входной'цепи.
a lei(«б1з) = 133 мкА, что соответствует разнице токов всего на 4%. Поэтому во всем диапазоне напряжений Нб1 от Мб12 до Мб13 можно пользоваться средним значени ем тока /б, при этом ошибка в определении входного тока не превышает единиц процентов.
Как видно из рис. 1.11, с учетом тока базы / б |
|
«610= « В Х H i |
(1.60) |
«611=== Vs(2«вх н+ «вх в)» |
(1.61) |
«612==Vs(«вх H“h2&вхв) —Vs^ |
(1.62) |
«613= « В Х В |
(1.63) |
Из выражений 1.60 и 1.63 находим |
|
Мб13 Ибю —Мб1макс= WBXв—"UBx н— |
|
УзЛ)7?—UBx макс—Уз/б^?, |
(1.64) |
откуда видно, что |
|
Мвх макс—Ч(Нмакс4"Уз/ бR, |
(1.65) |
ГДе Мб1 макс — ^бэ-
29
При симметричном расположений «бм и й ш , т. е. прй
«610— Поп «61 макс/2, |
(1 .6 6 ) |
|
НогаТ" «61 макс/2, |
(1.67) |
|
из соотношений (1.60) и (1.66) |
определяем |
|
|
«вх м = «вых ы — Поп |
«б 1 макс/2, |
( 1.68) |
|
а из соотношений (1.63) |
и (1.67) — |
|
|
Них в= : Иных в = |
Иоп+ «61 макс/2 + ^ h h i R - |
( 1.69) |
|
Выражение для Нби находим из соотношения |
(1.61): |
||
МбИ= Won— «61 макс/6 + Vs)7б^?, |
( 1.70) |
||
а для Нб12■— из соотношения (1.62): |
|
||
Иб12~ Won4"«Gl макс/6 + 2/9/ бЯ |
(1.71) |
с учетом (1.68) и (1.69).
Из полученных выражений видно, что размах вход ного напряжения должен быть больше размаха «gi на величину 1/31сЯ; значение «он приблизилось к границе области переключения но сравнению с рис. 1.10 на ве личину 7й/бR, а значение «612— отдалилось на величину 2/э/бЯ. Так как граничные значения исло и шиз остались прежними, то условия предотвращения насыщения тран зистора 77 сохраняются с прежними запасами.
Для выполнения условий (1.66) и (1.67) уровни входных на пряжений должны располагаться несимметрично относительно опор ного напряжения иоп за счет подъема верхнего уровня. Асимметрию входных уровней можно получить, одновременно увеличивая Ек и
.размах выходных напряжений (а/0Ди) или увеличивая размах вы ходных напряжений и снижая уровни иоп. При этом размах вы ходных, напряжений (а/оЯк) и напряжение Ек необходимо увеличить на величину 4shR, а при неизменном Ек размах увеличить, а иоа уменьшить на ту же величину. В первом случае нижние уровни выходных напряжений остаются -неизменными, а верхние (1.34) под нимаются да величину lh h R . Во втором случае нижние уровни вы ходных напряжений и уровень опорного напряжения опускаются, а верхние уровни остаются неизменными.
Таким образом, в схеме, представленной на рис. 1.11, можно выполнить условия потенциального согласования элементов без применения дополнительных элементов смещения напряжения при большем размахе выходных и входных напряжений. Размах этих напряжений опре-
30
деляется соотношением
Ии в- Ии н = Ип и Ип ц = Них в"—Нвх и
= а/ц/?к — Ибэ+ |
(1.72) |
а напряжение питания — соотношением |
|
Ец— Uou+ 3/гИбэ+ 7з/бЯ. |
(1.73) |
Помехоустойчивость
Помехоустойчивость устройства характеризует его возможности сохранять работоспособность при воздей ствии на различные цепи помех, создаваемых внутренни ми и внешними источниками.
Для повышения помехоустойчивости в ЦВМ прини мается ряд мер: тщательное экранирование и развязка цепей, в которых изменения токов и напряжений про исходят с высокими скоростями и в больших пределах, снижение индуктивного и омического сопротивлений за земления и цепей питания. Однако эти меры не позво ляют полностью избавиться от влияния помех в вычис лительной машине, поэтому в каждом элементе прихо дится обеспечивать определенный запас помехоустойчи вости.
Запас помехоустойчивости [5] логического элемента определяется характеристикой передачи. Так как в ли тературе еще нет единой терминологии и окончательно установившихся определений, то необходимо разъяснить смысл понятий, характеризующих помехоустойчивость. Характеристики передачи по напряжению прямого и ин версного выходов, используемые для пояснений, приве дены на рис. 1.12. Запас по мехоустойчивости элементов типа ПТРЛ будем опреде лять как разность между входным напряжением, соот ветствующим Порогу (Поп) >и
Рис. 1.12. Характеристики переда чи переключателя тока по напря жению, используемые для иллю страции положения точек, соот ветствующих /Си= 1 и пороговому значению входного напряжения.
3J
входным напряжением, соответствующим нижнему («вхн) или верхнему (иВхв) значению напряжения [2]. Для сложных цепей, в которых логические элементы охвачены внешней обратной связью (типа триггерных схем), необходимо, чтобы напряжение помехи не превы шало уровня, при котором коэффициент передачи кас када по напряжению (Ки) равен единице [5]. На рис. 1.12 показаны четыре точки, где Ки — 1. Из этого рисун ка видно, что запасы помехоустойчивости элемента типа ПТРЛ по нижнему и верхнему уровням входных напря жений одинаковы. Полагая в соответствии с принятым определением пороговое напряжение
Ujjop—^ОП
и обращаясь к аналитическим соотношениям (1.66) и (1.67), замечаем, что запас помехоустойчивости («по) относительно базы Т1 равен
«пО^^Won «610= «613—«оп= V2«61макс- |
(1.74) |
Если только одно из входных напряжений соответст вует верхнему уровню, то запас помехоустойчивости оп ределяется по формуле
«п1 —«оп «бн —1/б«б1 макс |
(1.75) |
а если два входных напряжения соответствуют высоким уровням, то —по формуле
«пг==«б12«оп==Ve«6l макс"Ь2/эЯЯ. |
0-76) |
Для того чтобысравнить запаспомехоустойчивости с необходимым для управления элементами размахом входных и выходных напряжений, пользуются отношени ем зацаса помехоустойчивости к размаху входного на пряжения; это отношение называется помехоустойчиво стью [2, 5] *.
Обозначим помехоустойчивость символом Я и для
случаев, рассмотренных при выводе выражений |
(1.74), |
(1.75) и (1.76), получим |
|
Я о^/г, |
(1.77) |
Я1«гЯ2~1/б. |
(1-78) |
* В некоторых работах эта величина называется коэффициентом помехоустойчивости,
32