Файл: Белопольский, И. И. Стабилизаторы низких и милливольтовых напряжений.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 29.10.2024

Просмотров: 67

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

При правильном выборе величины сопротивления ре­ зистора Яз избыточная мощность, выделяющаяся в про­ цессе изменения напряжения питающей сети и тока на­ грузки, распределяется между транзисторами Гь Т2 и резистором Яз таким образом, что на резисторе Яз вы­ деляется до 70% мощности, а остальные 30% перерас­ пределяются между транзисторами Ті и Т2.

На рис. 56 представлена схема стабилизатора напря­ жения, питающегося от сети трехфазного тока. Эту схе­ му следует предпочесть однофазной схеме (рис. 55), так как напряжение питания регулирующего элемента, яв­ ляющееся выходным напряжением трехфазного мосто­ вого выпрямителя, не проходит через нуль и область, близкую к нулю, что исключает выход регулирующего элемента из рабочего режима и улучшает его регули­ рующие свойства. Кроме того, эти схемы позволяют равномерно нагружать все фазы питающего напряжения.

13. А Н А Л И З РАБОТЫ И РАСЧЕТ ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМ ЕНТА

Как уже отмечалось, применение в качестве измеритель­ ных элементов стабилизаторов низких и милливольтовых напряжений релаксацион­

ных генераторов,

выпол­

L

Я

ненных

 

на

 

туннельном

 

 

 

 

диоде и индуктивности, по­

 

 

зволяет исключить многие

 

 

недостатки, присущие ста­

 

 

билизаторам

 

данного

 

 

класса,

у которых источ­

 

 

ником эталонного

напря­

 

 

жения являются кремние­

 

 

вые стабилизаторы.

 

 

 

Рис. 57. Схема замещения ре­

 

 

лаксационного

генератора.

 

 

 

а — упрощенная;

б — полная;

L

 

 

индуктивность

 

дросселя;

R L —

 

 

активное

сопротивление

дросселя;

 

 

R — добавочное

 

сопротивление;

 

 

Ln — индуктивность

выводов

тун­

 

 

нельного днода;

Яп — активное

со­

 

 

противление

выводов туннельного

 

 

диода;

— дифференциальное со­

 

 

противление

туннельного

диода;

 

 

Сд — емкость

р-п

перехода

тун­

 

 

нельного

днода;

и — напряжение

 

 

питания генератора,

109


Благодаря наличию на вольт-амперной характеристи­ ке туннельного диода участка отрицательной проводи­ мости диод этого типа может быть использован для по­ строения схем генераторов релаксационных колебаний. Такие генераторы могут работать на частотах от не­ скольких герц до нескольких мегагерц.

Простейшая схема замещения релаксационного гене­ ратора показана на рис. 57,а, а его полная схема заме­

щения — на

рис. 57,6.

Принцип

действия релаксационного генератора ха­

рактеризуется графиками, приведенными на рис. 58. График рис. 58показывает, как перемещается ра­

бочая точка генератора по вольт-амперной характери­ стике туннельного диода; график рис. 58,6 характеризует временную зависимость напряжения на туннельном дио­ де на каждом участке его

 

вольт-амперной характе­

 

ристики,

а

трафик

на

 

рис. 58,в — временную за­

 

висимость тока, протека­

 

ющего

через

туннельный

 

диод. Для удобства даль­

 

нейшего

рассмотрения

 

масштаб

времени участ­

 

ков II, IV рис. 58,6, в уве­

 

личен

примерно

в

1000

 

раз.

 

 

 

 

 

 

 

Форма напряжения иа

 

выходе

генератора пока­

 

зана на рис. 59.

 

пи­

 

После

включения

 

тающего напряжения ток,

 

протекающий через

тун­

 

нельный

диод,

начинает

 

возрастать..

Напряжение

 

на

туннельном

диоде

 

также возрастает. Воз­

 

растание

тока

и напря­

Рис. 58. Графики работы релакса­

жения происходит в соот­

ционного генератора, выполненно­

ветствии

с

(вольт-ампер-

го на туннельном диоде и индук­

ной характеристикой тун­

тивности.

а — траектория рабочей точки; 6 — из­

нельного

диода

на

уча­

риод; в — изменение выходного тока

стке

I

 

(рис. 58,а).

На

менение выходного напряжения за пе­

этом

 

участке

диффе-

за период.

 

но


рейциальное

сопротивление туннельного

диода /?д

(рис. 57,6)

мало и значительная часть тока

протекает

через это сопротивление, минуя емкость Сд, включен­ ную параллельно сопротивлению. После прохождения границы этого участка при дальнейшем увеличении на­ пряжения на туннельном диоде падающий участок II его вольт-амперной характеристики обусловливает рез­ кое снижение протекающего через диод тока. В это вре­ мя дифференциальное сопротивлениетуннельного диода становится отрицательным, поэтому величина тока, про­ текающего через это сопротивление, резко уменьшается, а ток, протекающий через емкость Сд, возрастает. По­ скольку ток в цепи в индуктивностью не может умень­ шиться скачком, то емкость Сд будет заряжаться в те­ чение определенного промежутка времени. Так как ток заряда емкости значителен, то напряжение на диоде быстро возрастает (см. участок II на рис. 58,6). Рабочая точка проходит через впадину и перемещается на высо-

Рпс. 59. Форма импульсов на

Рис. 60. Упрощенная схема заме­

выходе релаксационного гене­

щения

релаксационного генерато­

ратора.

ра для

/ участка кривой рис. 58.

 

 

ковольную ветвь вольт-амперной характеристики в точку в (рис. 58,а), которой соответствует положительная про­

водимость туннельного диода.

После того как рабочая точка диода переместилась в точку в, напряжение, питающее генератор, оказывает­ ся меньше напряжения, соответствующего этой точке, и поэтому энергия, запасенная в индуктивности, будет рассеиваться в сопротивлении цепи. Ток, протекающий через диод, и напряжение на диоде начинают соответ­ ственно уменьшаться (см. участки II на рис. 58,6, е).

ill

Н ач и н ая

с

точки г

(рис.

5 8 ,« ),

ток д и о д а

д о л ж е н

резко

в озр аст ать ,

о д н а к о

ток

в и н дук ти в н ости

не

м о ж е т

у в е ­

личиться

ск ач к ом , п о эт о м у

ем к ость д и о д а

Сд р а з р я ж а ­

ется на

д и ф ф е р е н ц и а л ь н о е

со п р о т и в л ен и е

д и о д а

R r и

о б ес п е ч и в а е т только

н ек о т о р о е

ув ел и ч ен и е

т о к а

в

с о о т ­

ветствии

с в о л ь т -а м п ер н о й

х а р а к т ер и ст и к о й в

о б л а с т и

о т р и ц а т ел ь н о й п р о в о д и м о ст и *.

 

 

 

 

 

После прохождения точки д (рис. 58,«) сопротивле­ ние диода становится положительным. Энергия, запа­ сенная в емкости, рассеивается в резисторах и поэтому ток и напряжение достигают значений, соответствую­ щих точке а. Однако напряжение питания генератора вновь выводит рабочую точку на участок / (рис. 58,а), после чего описанный выше цикл повторяется снова.

Приведем теперь расчет релаксационного генерато­ ра на , туннельном диоде и индуктивности, покажем условия возникновения генерации [Л. 19, 20] и рассмот­ рим его работу непосредственно в режиме измеритель­ ного элемента как составной части стабилизатора низ­ ких и миляивольтовых напряжений.

Для первого возрастающего участка вольт-амперной характеристики туннельного диода (рис. 58,а) построим упрощенную схему замещения (рис. 60). При этом пре­ небрегаем значениями Сд, Rl, Ra, La, поскольку они малы и при выводе расчетных соотношений существен­ ной роли не играют.

Запишем уравнение контура в операторном виде

(Lp + Rll)i(p) = - f + / А

(74)

где Rti — R + Rnü h — начальный ток туннельного диода; RKi — дифференциальное сопротивление диода на / уча­ стке (рис. 58).

Применяя преобразование Лапласа к выражению

(74), можно записать:

а

1^ =

( a- R(A

+ 7 Г ^ г

(/5)

 

р [ р + - г )

\ р + ~ т )

 

При решении этого уравнения воспользуемся разло­ жением Хевисайда. Учтем также, что после первого

* Увеличение тока в области отрицательной проводимости очень незначительно и в дальнейшем при выводе расчетных соотношений мы будем пренебрегать, полагая ток в точке а равным /2 — току впа­ дины вольт-амперной характеристики туннельного диода.

112


цикла ток Iо становится равным току k. Тогда после нахождения оригинала уравнения (75) получим:

Напряжение на выходе равно

произведению

тока

/(/) на динамическое сопротивление, т. е.

 

 

к

: J L ) е

L 4 - J L

R.Ді-

(76)

 

 

 

'Rn)

Длительность участка I (рис. 58,а) может быть определена, если подставить u{t)=ui и решить уравне­ ние (76) относительно 7Ѵ В результате решения по­ лучим:

Tt

и i 2R ti

(77)

 

 

R

Поскольку вольт-амперная характеристика на участ­ ке / близка к линейной, то с некоторым приближением можно считать:

Яд.

и*.

 

(78)

ч

 

 

 

С учетом (78) уравнение

(77) примет вид:

 

Т1= - 1па ~ '.2§-н-

(79)

R ti

и

^iRti

 

где

 

 

 

Rtl = R

+

“± .

 

 

 

h

 

Участки II и IV на рис. 58,а являются неустойчивы­ ми участками (режим переключения).

Согласно {Л- 20] время переключения при возбужде­ нии генератора постоянным током может быть записано в виде

Эта величина очень мала и составляет приблизи­ тельно 1,5 нсек. Небольшой отрицательный выброс

8—360

ИЗ


Рис. 61. Упрощенная схема заме­ щения релаксационного генерато­ ра для II участка кривой рис. 68.

импульса в конце Н и IV участков можно отнести за счет последовательной ■резонансной схемы, со­ стоящей из индуктивности и емкости туннельного ди­ ода. На участке III (рис. 58,а) рабочая точка пере­ мещается вдоль характе­ ристики от точки в к точ­ ке г. Определение вели­ чины дифференциального сопротивления уеложня-

ется зд,есь тем, что прямая, используемая для аппро­ ксимации кривой, не может быть проведена через на­ чало координат. Эту трудность можно преодолеть, если провести прямую, имеющую тот же наклон, что и сред­ ний наклон кривой, и продолжить ее до пересечения с осью напряжения. Характеристика в этой области мо­ жет быть приближенно представлена сопротивлением, равным обратной величине наклона прямой, которое соединено последовательно с источником эквивалентно­ го напряжения, равного напряжению из и включенному встречно по отношению к напряжению питания генера­ тора.

Упрощенная схема замещения для этого участка по­ казана на рис. 61. Здесь, как и в схеме замещения уча­ стка /, значениями Сд, Rl, Rb и LB можно пренебречь.

Если прямая проходит через точки в н г (рис. 58,а),, то сопротивление туннельного диода в этой области мо­ жет быть представлено как

Ядз = г Е т L (8°)

L\ 12

и требуемое выражение для напряжения Из может быть записано в следующем виде:

«з = ы,-----h~V ~ lu = - ЯдЛ■

(81)

Это выражение выводится с помощью уравнения прямой, характеризующей дифференциальное сопротив­ ление туннельного диода на участке III и проходящей через точки в и г. При выводе выражения используется наклон прямой и точка и3, в которой прямая в, г пере-

114

секается с осью напряжения. В начале участка III на­ чальные условия преобразования Лапласа IqL запишут­ ся как iiL, поскольку/о=г’і.

Тогда

( І р + ^ 3) г'(р) = ^

+ іЛ

(82)

где

 

(83)

Rt3—R~b~'Ri&-

 

Решая уравнение (82) с помощью преобразования Лапласа, получаем:

и — Из

При решении (84) для определения оригинала вос­ пользуемся разложением Хевисайда.

Тогда

 

 

 

 

 

 

р т

 

 

 

 

 

и3и

 

f3

и3— и

 

 

i{t) =

 

е

L

(85)

 

 

Rn

,

 

Rt3 '

Напряжение на выходе имеет вид:

 

 

 

 

u{t) =i(t)R K3 + u3.

 

 

С учетом (85)

имеем:

«пт и,— и

 

 

u(t) =

. , ичи ,

Ядз + из-

(86)

гі Ч---- Ъ---' е

 

 

Ru

 

 

 

 

 

 

 

 

Подставляя и2 вместо u(t)

в уравнение (86) и решая

его относительно Т3,

получаем:

 

 

 

 

Т

— — \

h + и3— а

 

(87)

 

'*

'

 

 

 

 

3

Rn П«2—«3 , «3 —И

 

 

где

 

 

 

Яд

 

я*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Из (79) и (86) видно, что период повторения им­ пульсов зависит от величины напряжения и. Таким образом, с изменением напряжения меняется и период

8 е

115