Файл: Багинский, Б. А. Импульсная техника на четырехслойных приборах учеб. пособие.pdf

§ 6, 'I'V'..

л;-

•ч:::8я<ѵгоркые нулйптбрвторы

Генераторе йипуяьсиэі

ш

■ ;?№.ö з? качестве

активных агівйситов

только тиристоры, проотв» Че :

. кокотор---; существенные ко^шжздзі :

о.граниченпув окваяноагьв ааяисймооуь лиру»w e e ™

ивпуииса и иаузн os

релаксационный генератор ка тиристор

. «гг-кзйоторним каскадом ~ тирис­

торно-транзисторных мультивибраторах

( i 'ü ') [ ? j f При яаом^ко ряду свойств

ТТй имеют преимущество по сравксг-

-

ввести ® »

транзисто^и • иулотк-

Бзбратораѵйі Особенностью «трухи;--

'ГТ1 гахяатоя

отсутствие положитель­

ной обратной связи аюзду обои:

зкадама» Тиристорный генератор обра­

I » М ультивибраторы , попользую >ѵ.

йеуегойЧйвкД режим •

работы ігприсгорэ

Па рис. 42 изображена наиболее простая из таких'схем._

^ Сопротивление Я. выбирается таким, чтобы нагру-

------j—с

всякая прямая пересекала характеристику двнио-

g

тора только в. вдаоВ точно пщ участка-, отрицатель-

Öу ноге тгіффаровдаааіьиого сопротивления. Ери вклю-

/р|-~»'яз®и иі-лзакя ß .’транзистор отпирается, при

'■У Т

стоп он Еаоьг.с-т. базовый Током , 'зфотекаюЕки в

основном через

Ri ,

а танкамерез конденсатор.

С .

Хрияі'.рувсаій концепсазор С заряжается по;,

Рцг.*)2.

«еш5

~ £ - £?і —ßt

С « переход -зшгттер- ^ ''

-база -

+ £

. ..

Когда

Vc(t}- UpytK даниотор включается, трапзистор кзперается иапрк-

женаем

Uq в таидашзатор перезаряжается по цепи ~£~Rs ~~C-R£ - Л ~ ^ £

ключает даниотор

( %

) а процесс повторяется» Сопротивление

Ri

• устроияет

положитепьныэ выбросы на коллекторе при запирании трио­

да

(после амиттерного рассасывания) и выбирается из условия

Is * l* * (і+ ■§;) ;

(?-?“)

где

Ік.н

J L

; Js =

W vjW _ £

коллекторный ток; запирающий

Rü

Re

ток базы;

■ ■

-

66 -

•

импульсов при этой прѵшѳрцо равна напряжению источника питания

с .

Более высокую скаавизсть генерируемых ишіульсов обеспечивает схема

рис»

43;

-£ Для данного мультивибратора предельная

скважность ограничена только величиной

емкости

Сі

» Процессы в схеме при фор­

мировании импульса аналогичны рассмот­

ренным выше. Длительность не паузы tn

определяется.величиной суммарной емкос­

ти Сі * Сг

. Цепи разряда емкостей раз­

вязаны открытым даниоторои. Сопротивле­

ние

X

ограничивает разрядный ток емкос­

ти

Сі

« на уровне, допустимом для ди-

ниотора'. Временные диаграммы рис» 43-6

иллюстрируют случай, когда величина дли­

тельное™ шшудьса меньше времени вклю-

<•

чанного состояния дикистора, что харак­

терно при.работе схемы с большой скваж­

t E

ностью,

т«е» с.большим значением

Сt '*

1.....

\ р В

схеме

і;«

рис а 44 к база триода

прикла­

Нс

6)

давастся разность напрягший

и l h l}

что позволяет исключить сопротивление

Рис. 43.

R z ‘

?

которое

ограничивает величину с,/ с г

и,

Рис. 4*..

как следствие, снвавкость* При значении

7. j близкой к ого шнкнальаой величине»

максимальная скважность получае­

тся бояьва, чем в ТТН на рис. 42, а 10-50 раз и составляет несколько

тысяч1; Соотношение (2-74) записывается в виде

Ui

Е J

г f j

,

Bz

- 56

-

Из сравнения (2-77) и (2-78) следует, что при расчете схемы на мак­

симальную скважность условие (2-78) выполняется автоматическій

Время tu

определяется по формуле

(2-75)

при

CyRs (г.к. 7 s.<Rf)

При этом влияние цепи

бу -Z

может

быть приближенно

учтено уменьшением

величины Е

в формуле (2-75) на

і

где К

~ коэффициент,

де­

лающий правую часть неравенства (2-77) равной его левой частя.

Длительность

t n

рассчитывается по формуле

(2-76) при

- (ct +-c2)Rt .

Рассмотренные схемы имеют принципиальные недостатки,

обусловленные

выбором рабочей точки дцнистора на участке отрицательного дифферен­

циального сопротивления, когда сопротивление

ж ёстко

связано о па­

раметрами дикистора

и соизмеримо

с сопротивлением в

закрыт пи с о сто я ­

н и и . Таким образом длительность паузы

t n

зависит

от

параметров,

а

диапазон его регулирования определяется изменением

Ri

, Время t u

зависит только от

параметра

U/ujck

.

Однако схему

на рис.

43 можно -

видоизменить так

(рис. 45),

чтобы время t u

зависело

не от

t/пуск

,

заны метода синхронизации времени

t-n

виешними импульсами.

-Д Для стабилизации t u

.используется

диод

Д* и делитель, в данном случае

на

сопротивлениях

R3 , Re, . Необхо­

димо,

чтобы:

т а) w

- h f â i r h ;

б) омкость Сг заряжалась до Ыд.

менее, чем за T u j

Рис. 45

в) R{HRi

определялось,,

как

Ri в

предыдущих схемах (рис. 42).

э

В этом

случае

при расчете

t u

в формуле

(2-75)

вместо

1/пуск

постав­

ляется

Ѵд ,

Время

t u

рассчитывается по формуле (2-76) для двух

этапов

заряда

Су

:

от 0

до

Ид

через

Ri ИRi ЧR*

и от

t/ь

до

Н лукчерез

R i

0

При работе в

режиме

синхронизации

отрицательные

импульсы поступают

непосредственно на

X

, а при синхронизации по­

ложительными импульсами включаются дополнительно две диода

Di аіѴ

Диод Di

служит для устранения влияния на

t u параметров синхроим­

пульса’,

Если вместо

/?-> используется

стабилитрон, то D ,’

не приме­

няется.