Файл: Багинский, Б. А. Импульсная техника на четырехслойных приборах учеб. пособие.pdf

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 30.10.2024

Просмотров: 99

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

- 57 - 2« Мультивибраторы, использующие динисториый

релаксатор с индуктивностью

ТТМ.такого типа строятся аналогично,схемам,.рассмотревшим в п. I , однако они лишена недостатков последних. На рис, 46 изображена схема ТТО. с индуктивностью, аналогичная схеме на рис. 43 (для примера вместо ДТ использован ТТ, напряівдние включения которого определяется стабили­

троном Ст ) .

•

Наличие индуктивности в сочетании с малым

 

 

дифференциальным сопротивлением

открытого

 

 

ТТ приводит к колебательному разряду емкос­

 

 

ти С при включении ТТ и к его последующему

U

| V

выключению в связи с измѳнаіием направле-

 

у

ния тока. Нагрузочная прямая

ыохет пересе­

 

 

кать не только участок отрицательного диф­

 

 

ференциального сопротивления,.но и восхо-

 

'Гдящуи ветвь характеристики ТТ.

Зто оботоп-

 

 

тѳльство позволяет регулировать величину

в О

 

R, и,

следовательно, Тп в широких пре­

Рис. к&.

 

делах:

какеккадьноо значение. Рі

выбирает­

ся исходя из допустимой погрешности длительности паузы с учетом измене­

ния сопротивления

7/

соглаоно (2-76). После выключения ТТ но конден­

саторе

С* сохраняется пояснительное напряжение

Uc, £ Untre*

Величина Щ -

зависит от элементов схемы.

Для того, чтобы исключить

влияние

и*, ,

на

tn

и t u

, а такге применять^с

UoSpnaxc * Ііпуче,

необходимо ограничить

 

положительное напряжение на ТТ на небольшом

фиксированном уровне»

С

этой целью параллельно конденсатору С/ под­

ключай диод D

'«

Диод

D

, кроме того,

устраняет появление положи­

тельного потенциала на катоде тиристора относительно управляющего

электрода»

 

 

 

 

 

 

 

Возможность выключения ТТ обусловлена соотношением

 

 

 

 

 

 

^ Uo'troSp

г

(г-79)

где Ug

- прямее падение ка диоде J 9 \

 

 

Пост- остаточное напряжение на ТТ;

 

 

ts»ttreSf> - время восстановления обратного сопротивления ТТ;

V

- постоянная времени перезаряда

емкости

С,. .

Пренебрегая зарядом емкости Сг за вромя £#•« оВР , следует принять минимальное значение Т :

/?, (Рб +/?г)

- 5 8 -

йндуктивность включено последовательно с ТТ для исключения возможнос­

ти ее влияния при данном значении

L

на заряд

Cj и, в конечной

итого, на амплитуду

тоіса колебательного

контура'»

Величина и габариты

L могут выбираться

небольшими в

связи с

малым дифференциальным со­

противлением открытого ТТ (доли ома). Если в схеме на рис. 46 подклю­

чить, емкость Сг

к другому концу индуктивности, то со п р о ти вл ен и е .

можно исключить и

получить тта, аналогичный изображенному на рас. 44»

Применение TT,co стабилитроном в цепи управляющего электрода соз­ дает некоторые особенности-, С одной стороны, напряжниѳ включения оп­

ределяется напряжением стабилизации

Сг

и согласно формулам (2-75),

(2-76), стабилизируются значения tu

и

t n . С другой стороны, общий

ток включения возрастает на величину тока управления» При этом у не­

которых приборов отмечается гистерезис характеристики

(когда Іл*е>

> lâw* )• Очевидно,-выполнение на

таких приборах ТТМ

по п. I нѳвоэ-

ыонно и они строятся,

в основном, на даілсторах. В схеме на рис. 46

максимальное значение

сопротивления

Ri

ограничивается суммарной.ве­

личиной токов включения и управления при

U = Iter для данного ТТ»

Схемы ТТМ с индуктивностью могут строиться на даийсторах и сопротивле­

ние Ri

увеличивается". При этом, стабилизация tu в схеме рис»

46 осу­

ществляется аналогично схеме рис. 45, а при синхронизации

tn

диод!?/

(рис. 45)

может принципиально выполнять функции диода D

\

 

Рассмотренные схемы ТТМ о индуктивностью обладают рядом достоинств*

Но индуктивность является нестандартна элементом и ее наличие

состав­

ляет определенный недостаток.3

3, Мультивибратор о обратной связью между транзисторным каскадом и дипветором

В схеме на рис, 47, а также, как в ТТМ с индуктивностью, нагру­ зочная прямая R\ может пересекать характеристику данистора на восхо­ дящей ветви» Для выключения данистора служит конденсатор С±- , Прин­ ципиальным отличием этой схемы от рассмотренных являетоя то, что тран­

зисторный каскад не только формирует .импульс

(благодаря прямой связи

с данистором через конденсатор

Сг ) ,

но.и

выключает данистор

благода­

ря обратной связи через конденсатор

Сі , В

 

основе работы схемы лежит

такое соотношение между постоянными

С /’Яз

 

и

Ct ( £г + R s)

, при

котором после включения данистора напряженке

Чс, . успевает изменить

знак раньше, чем под действием

напряжения

tJcx

отпирается переход

эмиттер-база триода и он переходит в насыщенный режим. После насыще­

ния триода положительным напряжением Uc,

запирается даод Di

, ди»

нистор обесточивается и выключается. Напряжение

на

"внденсаторѳ

Ci ,

который затем перезаряжается через резистор

Rt

,

достигает потенций-

ла отпирания диода Л і

- 59

-

 

 

 

w

и Q .заряжаются

сов­

и далее обе емкости-

 

местно до напряжения

И пуск

 

„

 

 

 

 

Временная диаграмма работа схемы и форма, выходных импульсов изоб­

ражены на рис.

Длительность й t

составляет

время,

в течение

 

 

которого коллекторный ток'возрастает на ве­

 

личину

■§-

в процессе

выключения

динисто-

 

ра»

 

w .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Отметим,

что увеличение

емкости

 

кро­

 

не повышения сквзкноотв улучшает форму им­

 

пульса, поскольку вследствие уменьшения It*

 

участок

 

й і

располагается ближе к. нулево­

 

му уровню, т .ѳ ,

к зершіше импульса.

Для по­

 

лучения максимальной скважности в уменьшения

 

времени

Л *

.

необходимо

 

увеличивать сопро­

 

тивление

R i

, Это увеличение ограничивает­

 

ся влиянием

7 і

 

на время

І п .

При

исполь­

 

зовании двнисторов Д228А

скважность может

 

►составлять около 80-« Для увеличения скважнос­

 

ти можно подключать цепь

C%-Z

(показана

 

£пунктиром}» При этом, скважность достигает

 

«■’нескольких сотен. Длительность импульса опре­

 

деляется формулой (2-75), а длительность

 

пауаы - формулой (2-76) при

t n

=

(С, +

 

+ Сг + Сз)&і

•

Стабилизация

t u

 

может

_

осуществляться применением ТТ со

схабилитро-

Рис №.

ном» Лй0° по методу, рассмотренному на

рис.

45. Во всех рассмотренных схемах ТШ процѳоо формирования импульса про­ текает аналогично и не отличается от соответствующего процесса в тран­ зисторном мультивибраторе с коллекторно-базовыми связями. При этом

основным фактором температурных изменений времени t u

является пада­

ние напряжения на сопротивлении P ß

от неуправляемого

базового тока

Іч о .о

Использование в ТТМ глубокого

насыщения триода

( т .е . уменьшение

R s )

в сочетании о фиксацией напряжения заряда конденсатора Сг »

участвующего в формировании импульса, повышает температурную стабиль­ ность.времени t u по сравнению со схемами транзисторных мультивибра­ торов, в которых время^-задающий. конденсатор подключается к базе трио­ да, а степень насыщения триода ограничена. При использовании в ТТМ германиевых триодов и применение рассмотренных методов фиксации напря­ жения заряда конденсатора Сг нестабильность t u в диапазоне положи­ тельных рабочих температур составляет около 2$.

- 60 -

Зависимость длительности паузы" от температуры согласно формуле

(2-76) определяется

изменением напряжения

ІТпусх

и

сопротивления

Z*.

Уменьшение температурной нестабильности получается при применении

ти­

ристоров со стабилитрона«, когда

Ѵп^сх ъ U a ,

а

значение

R i монет

быть выбрано значительно меньше

7j

[ч]

 

 

 

 

 

 

 

 

 

§

7.

Автогенераторы

на запираемых тиристорах

 

 

 

Использование ЗТ в сочетании с дидистораии дает возыокность пост­

роить простые и надокине схемы автогенераторов с

выходной .мощностью,

намного превышающей

 

Р-8ых

транзисторных устройств.

Одна из таких

схем представлено

на рис. 48

[в] .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

<-*2

После подачи напряжения питания начинается

 

 

 

 

 

 

 

заряд конденсаторов

С/

и Сг

от источника

 

 

 

 

 

 

 

£ о полярностью, указанной на рисунке.

 

 

 

 

 

 

 

Элементы схемы выбраны таким образом,.что

 

 

 

 

 

 

 

конденсатор

Сі

 

быстрее

зарянаетоя до

 

 

 

 

 

 

 

 

Ifcj *

ÜSrnt&i

,

чем

Сг до ТАбмщ (Ѳ л ^Р н ).

 

 

 

 

 

 

 

Ирй '

V t j

■=

ИінпРі B i включается,

и конден­

 

 

 

 

 

 

 

сатор

Сі -разряааяоь но цепи управляющего

 

 

 

 

 

 

 

электрода,

включает.

Т і

■„ При этом, практи­

 

 

 

 

 

 

 

чески все

напряжение

 

питания прикладывается

 

Рие $8.

 

 

 

 

к

нагрузке

Rn

» Конденсатор

Сг заряжает­

ся через

резистор

/Ра

до. напряжения включения данистора £>г

, послед- .

ний включается и

 

Ті

рио„. 48 получает

отрицательный шгаульо управления,

возникающий вследствие разряда конденсатора

Сг

через токоограничивающий

резистор

Rt,

а

Ті

 

эакрываегся,в процессы повторяются» На .сопротивле­

нии нагрузки выделяется прямоугольный импульс\ с амплитудой, равной

напряжению питания

 

£

 

и длительностью,

определяемой временем включен­

ного состояния

Ti.

і

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Данная схема может быть значительно,

упрощена при применении сиы- ..

матричного данистора, совмещающего функций приборов З і

в В г

(рис.49).

При подаче напряжения питания конденсатор

С

 

заряжается, до напря­

жения включения симметричного.данистора з

Примой направлении.

Послед­

ний включается,

включая

Ті

К сопротивлению нагрузки прикладывается

напряжение источника питания, и емкость

С

заряжается

через резистор

/?г.в направлении противоположном прежнему (полярность указана в скобках)л . ;

Смотрите также файлы