Файл: Багинский, Б. А. Импульсная техника на четырехслойных приборах учеб. пособие.pdf

СЗПЗЛ ПС ТОКу ЯрПІ:Г;ПКІѴ.Ѵ'"

. .:С{?/ФДйМл. ЗСІПМО'.’І.'СОТЬ

К (-^-,у!Ѵ‘!ІСН'Г". ПО'Ч’—

ЛО-ш/р к sZn от сшотс;

!'■-

:\ Г1;.

В реальной г,-п-р-п

структур V -:ѵ аф іеШ ск .^ ш о сі .к;д, представленный

■.ф

на рис.З. Залисиноеть кЬэ^кірі0ні^гіорсг^<га

о?сос:"-ди?а?СФвуютах токов

можно пояснить

следующим о0разіЛі.''Пра 'маілих ‘прямых ’іапр'пкошіпх,

при­

кладываемых к

р-п-р-П структуре чорбу прибор'

протекает н'обольыей ток

..

I

, определяемый фслс-ваоы

током^оСратігосмощсштго коллекторного пере-

і

хода

Пг Ік. На уіштторнси

переходе^, небольшое прямое нанряьхкпо

обуславлив-^..... гілыіі

ектрфусксн!!;::! д-.роШШ ток, проходящий н оѴ.оу и ,.

KomioiiipuLyiJ!

пор'длповееніл: д;;рок г базе

сравнительно небольшая.

'ч

физики полупг,оводі!!.:;'Гизвестно, что при пали:: кош;о:!\'.і"цпп;:

неос­

новных носи :елс:. в О'.....

• .р«.нр:н;діііѵ пнтсноазкіЩ ирсцсис рекоЛ.бшгицнн

вследствие того, что :

. .л.. ..і зоне лиоюте:., так ііснывас.'кіо,

"ло—

.ушки" - с. - ооднии

;. .

,

примерно,

в ссро/лие 3-'.!i;;j..ioimc» тепл, по—

..aiiBU’.v ;я -а счет принесет

и дефектов

структуры ггонскрнет: ляг. "У твут-

ки" облегчают, і;, оледозатсльео, активизируют процесс реноыбиноірш. !£ро-

ме ТОГО, НЭ ППОЦОиС рОПОі.іОІШОНДІЛ СуКі.ОСХВСіШО

:ІЛ:)ШіЦ (JciL'i;

(ЧО:'-

шире о*аза, -сн

шггенеллшн;

лроцеис рсномот.нсилл:, т*:с. пос;;с?слп

кукио

■'.:ь.:е ус :

; äb

се

проодолоаио, т .с . вероятность встм,-ч:і

с носи-

телоы заряда нротпьблслохіюго знака увеличивается), Ширина о'авй^Ик'.ме-

нениям ширины зштрзхіцого слон коллекторного перехода,которая зависит

от величины лрйленешюго ёбраттюге напряжении

(чем больше UeSP ,

тем уке

база,

тем меньше рсконбинециоичая составляющая). С изменением ширины Са­

зы при прочих разных условиях меняется градиент кокцетрации дырок а

электронов вдоль базы и,

следовательно, величина напряженности внутрен-

Очевидно,

что при малых прямых напряжениях .на

структуре

пргОора

мала плечность

ошіттерного тока, следовательно, мала

концентрация игрок

эти условия приводят н тому, что преобладает ровшбкиацзошфя составляющая

дырочною тока эішттсра Ipfi-Xp) , а транзитная составляющая

почти

раина нули. Следовательно,

коэффициент передачи ^ * 0 .

При :-тнх условиях

такие лаСп'-ьО . С увеличением пряного напряжения на приборе растет

х:ит-

терныл ток Iр и In . Вследствие

этого растет концентрация дырок ъ базе л,

ц электронов в базе р4,.цоауики

заполняйте:; ц мало влияют

в далгнойием

на процессы» Канрюлзнност’ь

внутреннего поля баз возрастает, саяи баны

становятся ужо. Зто ведет

к увеличению коэффициентов передачи*^ и Хп

(в црѳдела' они стремятся к

£)

я, следовательно, к росту

транзитных

сос­

моментом

включения внутренней

полокитѳльной обратной связи, происходит

открывание

прибора и I = Івкл,

К

этому моменту выражение £І~7) имеет

экстремум,

“I и j

~

О •

Отсюда ток кшшчонкя будет

равен:

•

г

і~ Х р ( іік * ) ~

сС»(T gtt)

( і ' > г )

1екл =

etJpffkaj

_

cUn Шк»}

'

с / І

.

d

l

ключается

в следующем.

На участке АО рис„і,а практически -все напряжение,подаваемое на при­

бор приложено к коллекторному переходу Пг

в обратно;,: направлении.

При увеличении этого напряжения в области перехода начинается процесс

понизан;'.;;. лед хольтцинерной характеристик;;

при атом может быть описан

с помощью пслуэмнііріічесісой йорыухи [ і]

.1

М ~

i ~ T * - F '

^

■

С '11)

где

-I l u # J

U

J -

коэздлцае-дг удариоя • о келпаьййц

- лодуль с£;*ѵ;лого иы.'у,..-ьв*.:'и

и

Um -

накряноіше лавинного пробоя,' нуа

котором Л««*®

. Глквйзтель

м - 3

-г £.

жения М.Фогда ток

перехода

П2 можно записать

в

следующем виде:

Iп е

—

М ( с ( р - І р

* J .n 'h i t-I k )

(1-15)

Поскольку токи через все три перехода одинаковы и равны внеш­

нему току L

, легко

находим:

j .

___М -Ік

(1- 15)

I - М-d

тока от обоих эмит­

3flecbof=(^n +d(p - суммарный коэффициент передачи

теров к коллекторному переходу«

Решая совместно

(1-13) и

(1-15)

получим:

•

J _

« Л Т + /Г

( і - і б )

U =

U„ І / і ------- у

Выражение под корнем будет действительным-до

тех пор п о к а /х 1 »

При некотором токе

I

напряжение на коллекторном переходе стано­

вится разным нуле.

При дальнейшем увеличении

d.

формула

(1-16)

становится

недействительна,

т«к.

Коллекторный

прреход оказывается

ределить координату точки А, т .е .

момент включения динисторов,ла­

винныя пробой в которых является

определяющим фактором.

В

точке А сопротивление

прибора равно нулю поэтому, дифферен­

цируя

уравнение (1-16.) по' /

и приравнивая к нулю найдем:

приближений и из него определяется

ток включения ( Ів к л ).После

этого^иа £1-16) легко найти U вкл.

Обычно Ѵ т иі— U м „

Рис.^і.

.

Рис,-5.

Построение

воль темперной

характеристик!) выполнено на рис. Ь.В

, качество исходных величин на

рис, 5 , а нанесены кривые

зависимости

Ы-р

и

/.,•

от

I

(определяемые

обычно

опытным путем) . Солее

н.. ;окко ана.'ешіл кооТ>Ьициенти

/ .п по сравнению

с

d р

объясняются

меньшей толщиной базы , р&

по

сравнению

с

базой

/7,

(см. рис.

2,4.

lie отому

оаву

77,

принято называть „толстой **,а

базу

рг -"тонкой".В

толотий базе число актов рекомбинации больше,чем в тонкой,чеы и

объясняется меньшее

значение

J. р .

Суммируя ординаты кривых

J-p

и

сСп

и вычитая

сумму из

еди-

: ни цы (которой

на рис. 5 ,а

осотаетстиует

прямая,?

7" ) , находим зиаче-

1 ,кие величины,заключенной в скобки в выражении ^

1 -1 2 ).скаченном

змтбіч величины

соответствуют

ординаты

заштрихованных

площадок

на

р.рис. ѵ ,а , Д'нозая ордината этих

псощадок ;ш

соответствующие им

(на

ciâjCH асоцясс'значения

то-иі

/

.находим согласно

(1 -12)

собственный

. сйок і.олдекторного перехода

Jx

в

''ункдш;

от

1

(кривая

/ *

на

pije, 1),С'),Сірнцательнд>е значения,

ссогазтстпувт

ихалдению

с

ба-

*у -yß,

ввс-ктрсп.-.оа

состаэллхпьсх

.оостве.чпо °с

тока

коллекторного

перехода

Іѵ п

,а

в газу

р2

—дырочной

есстааля»ѵ„е?-. »того тока.