Файл: Багинский, Б. А. Импульсная техника на четырехслойных приборах учеб. пособие.pdf

Перенося графически отрицателькие значения тока

І и

на обрат-

;

ную ветвь

вольтамперноИ

характеристики коллекторного

перехода П г

~ Іи

= Jf-t-Jи) »нанесенную под осью абцииес

на рис.

5, в, находим

те значения -

Uu

, которые отвечают изменяющемуся

току ~ Іи

,

о

процессе нарастания абсолютного значения тока

І и

рабочая

точка

перемещается

иправо по отрицательной ветви вольтамперноМ ха-

)>актеристики центрального перехода ,а при уменьшении

тока

до нуля-

'

влево по отрицательной ветви этой характер:стики.Отрицательному

максимуму

І и

отвечает

максимальное напряжение на

коллекторном

пе-j-

реходе

-

U и тал .

І и

, когда </p+J.n>i

■

После перехода

через

нулевое значение тока

,

полярность

напряжения на

коллекторном переходе

Сіц изменяется. Пере­

ходе и бистрш-і рост составляющих собственного коллекторного тока,

j

также изменяющих свое

направление.

■

Открытому состоянию коллекторного перехода отвечает ветвь +■Іи

|

на рис. 5 ,6 й прямая ветвь вольтамперноИ характеристики OQ.

на

p ic .

1

5 , в.

По отрицательному участку кривой на рис.' 5 ,в построена

на

рис.

!

15,г

выступающая часть вольтамперноИ характеристики ОАВД динистора,

:

содержащая участки предоткрнтйя (ветвь

ÖA) и Неполного

открытия

■

(ветвь A 3),а по положительному участку

кривой рис,5 ,в построена

на

рис.

5 , г ветвь ДЕ, определяющая Напряжение на динисторе

без

учета

1

прямых падений напряжения на эмиттеріаіх

р-П-переходах

(Пі и і Тз ).

Сумме эг.мттерных падений напряжения отвечает.кривая

Ö BF рис.

5, г,

Т, к.

падение напряжения на центральном

переходе

Hz

противоположно

по полярности падениям напряжения на переходах

/7/

я Из

,то

выпитая

из абсцисс кривой OBF

абсциссы кривой ДЕ , находим кривую ВС,опре­

нисторе.

И і

При подаче обратного напряжения на.динистор перехода

и Яз

смещаются в обратном направлении,поэтому ток будет мал,а

сам

прибор

в этом случае обладает очень большим сопротивлением.

Ток

включения

І у

Входя

в биэу Р?

вводит в нее дырки.Поэто­

му- в

базе

рг

появляется

избыточный положительный заряд,что

увели­

чивает прямое смещение на переходе

Пз .увеличивает дырочную

состав

ляющуа тока

эмиттера

tig

,а.следовательно,и транзитную

составляю­

щую через

базу р& .Восксльку

управляющий

ток

входит в

базу

рг

,

то созданный км коллекторный ток транзистора

Пг -р г -г>,

, который

и

является

упомянутой выше транзитной составляющей,равен

ß ‘I y n

В

новых

условиях

с учетом дополнительно го

токи электронов усло­

вие нейтральности

базы

n t запишется:

I (1~<Ар ~<£") -

І к 't - ß 'I y n

( і ~ І 9 )

С учетом

размножения

выражение

1-ІУ

запишется:

ния,как это показано на

рис-

6 ,6 .Из рис,

6,6 видно,что с увеличени­

ем

управляющего тока

V sm

постоянно

уменьшается,также уменьшает­

ся

И Ііикл -

управления,можно получить вольтамперчув ха­

При увеличении тока

называется током спрямления /у мр .

>

2 -5 , Параметры тиристоров.

Параметры тиристоров разделяются,как и у других электронных при­

боров, на статические и динамические.Статические параметры

характеры*

Согласно рис. 6 ,6

имеем:

,

Нем - максимально возможное прямое напряжение мезду анодом и

катодом;

U m

- максимально

возможный прямой ток через закрытый тиристор;

Івыиа - минимальный

прямой ток через открытый тиристор;

Іуг

- прямой ток,

протекающий через закрытый тиристор при за ­

соответствующее протеканию, заданного ток а анода;

Ѵобр.проѣ. максимально возможное

обратное напряжение , менду анодом

и катодом,при котором

d U e /d la

ß

;

Iyr.o&p -

обратный ток,соответствующий заданному обратному напря­

жению между анодом и катодом;

,

/Раос -

дифференциальное сопротивление

открытого тиристора.Это

сопротивление может быть

определено из соотношения:

Uocm (То) —

(Ja + R hoc ‘іо

( t “2 2 )

двух слагаемых , из

котор. '

••дно неизменно, а

другое зависит

от то ­

ка,является

вполне

обоснованным, т .к ,

падения

напряжения на

не ре­

ходах и базовых областях,которые насыщены,слабо зависит от тока,

другая часть

Uaea

(зй счет

активною

сопротивления эмиттеров,по­

Ісп£.ст. - прямой ток управления ,

при протекании которого напря­

жение

включения

V Sun разно

заданному

достаточно

малому значению,

например,

1Jnf.пин И

Uenper - напряжение между управляющим электродом и катодом ,гз-

ыеренное

при

протекании тока

Іспо ст .

Ізапст

- обратный ток управления,при

протекании

которого ток

і&лючения

ііш л

равен

заданному

току

анода.

С

учетом

тока

управления

по

базе

р,

іь рижские

1-12 запишется

в виде:

-

І о (1 — d p ~ I n )

~

I й ~оС п ' І у п

( l - Z 3)

Из

определения

Iзапет

вытекает,что

при lyn -lsa n cr

ток через

коллекторный

переход должен

быть равен

нулю,» тогда:

Г

у

( с £ р + с ( п + d )

_

І О

( 1 - М

l e a n e r — J a

—

-

-

c*- ft

и Jan сг

где

Взсп ст

_ статический коэффициент запирания.

tlsao er

- напряжение между

управляющим электродом и катодоіи,

измеренное

при

протеканіе:

тока

І 30п ст

тое состояние,Между этой величиной и

статическим значением l-hna

но существует корреляционного соответствия.

Ыппч

и основном зави­

сит от длительности фронта импульса,

емкости участка

анод-катод зак­

рытого ди нисто ра и внутреннегфопротивления

генеш тори импульсов.

При крутой фронте пускового напряжения

(

О Появляется

больной ток заряда ёмкости дннистора

І с ,

который в

сумме с Івып

Зі определяет

точку включения А,как ото показано на |>ие.А’, і; силу

ограниченной

подвижности носителем зарядов ^лулютремитея к кснеч-

кощу значению

Ihxnunam w