Файл: Чесноков, Б. В. Относительный возраст минеральных индивидов и агрегатов.pdf

в разных условиях, всегда обладают различными признаками, характеризующими условия их образования и развития.

Часто ошибочные заключения даются на основании изучения плоских срезов (шлифы, пластины, пришлифованные образцы и т. и.). Случайный плоский срез, как известно, нередко дает совершенно неправильное представление о форме изучаемого тела.

Кроме морфологических признаков для установления воз­ растных соотношений минералов должны привлекаться и дан­ ные, полученные при применении других методов изучения (хи­ мического и изотопного состава минералов, их физических свойств и т. д.).

Контроль определений должен проводиться на основе комп­ лексного применения морфологических признаков, сравнения с надежными данными, полученными с использованием других методов, моделирования, использования общетеоретических дан­ ных из геологических и смежных наук, а также непосредствен­ ного наблюдения динамики природного процесса.

Особое внимание следует уделять поискам и разработке но­ вых признаков возрастных соотношений минералов самого раз­ ного происхождения.

ОДНОВРЕМЕННЫЙ РОСТ МИНЕРАЛОВ

Соотношения одновременного роста более типичны для про­ цессов образования индивидов одного минерального вида, на­ пример при образовании друз кристаллов кварца. В соотноше­ ниях частично одновременного роста чаще всего находятся раз­ ные минералы.

Одновременный рост кристаллов или иных минеральных тел, соприкасающихся друг с другом, обычно называют совместным.

Главным морфологическим признаком, по которому устанав­ ливается факт совместного роста кристаллов, являются индук­ ционные формы, представляющие собой своеобразные дефекты внешней морфологии индивидов. Эти дефекты возникают при влиянии (индукции), которое оказывают друг на друга совмест­ но растущие кристаллы.

ИНДУКЦИОННЫЕ ФОРМЫ НА КРИСТАЛЛАХ И ИХ НОМЕНКЛАТУРА

Индукционные формы легче всего обнаружить на кристал­ лах из обычных друз, например на кристаллах горного хрусталя.' Если осторожно отделить кристаллы друг' от друга, можно уви­ деть строение поверхностей их соприкосновения. Эти поверхно­ сти представлены искривленными участками сложной._-фюрАш—н- покрыты многочисленными штрихами. Как будаг показашубмичная

ЧИТА ДЬЬОГОJ&ATIj

же, индукционные поверхности образуются не только при росте кристаллов в друзах, но и при других разнообразных условиях совместного роста кристаллов одного и нескольких минераль­ ных видов. Установить индукционные формы в плоских срезах (шлифах, полировках и т. п.) обычно не представляется воз­ можным.

Кристаллографическая индукция установлена А. Е. Ферсма­ ном [63], который позднее так характеризовал это явление: «разграничение двух одновременно кристаллизующихся веществ определяется цилиндрически искривленной поверхностью, об­ разуемой ритмическим перемещением ребра между двумя воз­

ребра, проектирующиеся на горизонтальный диаметр проекции, а грани а' и а'" — на вертикальный диаметр. Индукционные ребра, генерируемые базопинакоидом с, будут иметь проекции

18

I

друг с другом при совместном росте (т. е. числу ребер сраста­ ния). Если огранение кристалла в течение роста меняется, то и число псевдограней на нем будет другим: одни псевдограни мо­ гут исчезать, а другие — появляться.

Одна грань кристалла может образовывать сколько угодно псевдограней, в частности, если она растет совместно с боль­ шим количеством меньших кристаллов (см. рис. 2, представим, что грань кристалла А, растет совместно с множеством кристал­ лов типа Б). Количественное изучение индукционной штриховки можно выполнить следующим образом.

Индукционная штриховка представляет собой чередование «гребней» и «впадин» (см. рис. 2 и рис. 4).

Пусть а — длина какого-либо интервала профиля псевдогра­ ни (мм), п — число гребней в интервале, а — средний угол при вершине гребней на данном интервале (измеряется на гониомет­ ре и берется, естественно, с определенной погрешностью). Тог­ да основные характеристики штриховки определяются так:

число граней в интервале 2-п,

ширина гребня (мм) /= — ,

п

комбинационной или двойниковой).

Частота индукционной штриховки на неизмененной псевдо­ грани очень высока — до 1000 и более граней (или ребер) на миллиметр профиля псевдограни. Резкость индукционной штри­ ховки показывает, насколько отклоняются индукционные грани от усредненной поверхности псевдограии.

Псевдограни без индукционной штриховки наблюдались в

.некоторых закономерных сростках кристаллов [67]. Но и в та- :ких случаях гладкими бывают только некоторые псевдограни.

•Псевдограни без штриховки нетипичны. Даже в параллельных сростках кристаллов одного вещества имеется четкая индукци­

онная штриховка.

П с е в д о р е б р а в виде ломаных линий отделяют псевдо­ грани друг от друга; при этом далеко не все индукционные реб­

20