Файл: Чесноков, Б. В. Относительный возраст минеральных индивидов и агрегатов.pdf

ра соседних псевдограней сходятся к одной точке псевдоребра (рис. 5). Из всех индукционных форм псевдоребра обладают на­ ибольшим морфологическим непостоянством, но пока они мало изучены.

И н д у к ц и о н н ы е г р а н и ц ы — это области контакта кри­ сталлов по индукционным поверхностям. В эти области, кроме псевдограней, псевдоребер и ребер срастания, входят и части пространства между указанными формами соседних кристаллов.

В благоприятных случаях псевдограни кристаллов плотно примыкают одна к другой и находятся в таких же отношениях, как медаль к своему отпечатку [42]. Такие фигуры называются антисимметричными [89], они состоят из совместимо анти­ равных частей (рис. 6).

й2 —выходы ребер срастания

Если меньший кристалл при совместном росте соприкасает­ ся только с одной гранью большого кристалла (см. рис. 2). то ребра срастания образуют замкнутый контур, лежащий в плос­

Внутри сростка иероглиф образуется каждой замкнутой систе­ мой индукционных ребер, параллельных грани большого кри­ сталла. Анализ формы иероглифа (например, у ихтиоглиптов. кварца в письменном граните) позволяет определить характерограничения меньшего кристалла на всех стадиях его роста [63,. 65, 3].

Кристаллы в искусственных сростках различных солей, вы­ ращенных в растворах, также граничат друг с другом по индук­ ционным поверхностям (квасцы, медный купорос и т. д.). Это относится и к кристаллам органических веществ, например са­ хара.

Отличий в строении индукционных форм у минералов и ис-

21

кусственных кристаллов не найдено. Индукционные формы на кристаллах образуются тогда, когда скорость роста каждой из пересекающихся друг с другом гранен не равна нулю.

МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ ИНДУКЦИОННЫХ ФОРМ НА КРИСТАЛЛАХ

Индукционные формы кристаллов отличаются прежде всего ритмичностью скульптуры псевдограней, выражающейся в чере­ довании гребней и впадин. Причину ритмичности следует искать в особенностях механизма роста граней кристаллов.

Н е з а к о н о м е р н ы е с р о с т к и к р и с т а л л о в . Много­ численные наблюдения над природными и синтетическими кри­ сталлами подтверждают теорию роста граней путем тангенци­ ального разрастания плоских или спиральных слоев.

С целью установления связи особенностей послойного роста граней с деталями индукционных форм нами был поставлен ряд опытов по выращиванию кристаллов и сростков алюмока­ лиевых квасцов (из водного раствора).

При слабых пересыщениях, создаваемых медленным испаре­ нием раствора при 18°С, наблюдался рост граней {111} спи­

пространяясь тангенциально, достигали ребер срастания. В об­ ласти ребер срастания, таким образом, встречались слои, рас­ пространяющиеся по граням соседних кристаллов.

Аналогичная картина наблюдалась и на гранях кристаллов минералов. Во всех многочисленных сростках кристаллов из разнообразных месторождений слои роста не зарождались в об­ ласти ребер срастания. Как и в случае с квасцами, в области ребер срастания встречались слои, распространявшиеся по гра­ ням соседних кристаллов.

Отсутствие зарождения новых слоев роста в зоне ребер срас­ тания в закономерных сростках кристаллов объясняется следу-

22

гощими причинами. Область ребра срастания, как правило, на­ ходится во входящем углу, образованном гранями соседних кри­

цах слоев возникли индукцион-

.ные грани аб, относящиеся к первому типу. Такие грани обла­ дают, как отмечалось выше, сложными кристаллографическими

•символами. Грани аб — своеобразные поверхности столкнове­ ния слоев 1 и 2.

После слоев 1 и 2 к ребру срастания подошел слой 3 и то­ рец его примкнул к свободной поверхности слоя 2, представлен­ ной обычной поверхностью грани (с простым символом) кри­ сталла Б. Индукционная грань бв для кристалла Б является гранью второго типа (простой символ), а для кристалла А — гранью третьего типа (грань — отпечаток, со сложным симво­ лом) .

Индукционные грани вг для обоих кристаллов являются снова гранями первого типа.

Индукционная грань гд для кристалла А — грань второго типа, а для кристалла Б — третьего.

Слои 7 и 8 достигнут ребра срастания одновременно и снова образуют индукционные грани первого типа.

Исходя из предложенной модели механизма образования индукционных граней можно определить ширину 5 индукцион­ ной грани аб (рис. 9)

К

* Для составления ее использована схема, ранее предложенная В. Г.

Лазаренковым [33].

23

где л — толщина одного из тангенциальных слоев роста; а — угол между плоскостью слоя и индукционной гранью.

Такие индукционные грани, ширина которых соизмерима с толщиной слоев роста (до 0,001 мм и менее), наблюдались нами в большом количестве как на кристаллах минералов, так и на выращенных из раствора кристаллах солей. Эти наблюдения по-

псевдограни. Если а<45°, то на псевдограни данного кристалла многочисленны индукционные грани с теми же символами, что и

по мере приближения к ребру срастания угол а меняется от малых значений до 45° и более, индукционные грани с символом растущей грани кристалла, обильные в начале интервала, ис­ чезают в его конце.

24

Чем больше отличается угол а от 45°, тем менее совершенна; штриховка на псевдогранях: индукционные ребра искривляют­ ся, параллельность их нарушается.

При постоянной скорости роста граней кристаллов угол а не изменяется. Это же будет наблюдаться и в случае, когда ско­ рости роста граней будут меняться синхронно, а соотношение скоростей роста при этом сохранится прежним.

На морфологию псевдограней весьма существенно влияет гидродинамическое состояние питающего раствора [76], что бы­ ло установлено при выращивании сростков кристаллов квасцов.

На рис. 11 схематически показаны индукционные границы,, степень сложности которых можно определить по формуле

25