Файл: Китайгородский А.И. Введение в физику учеб. пособие для студентов высш. техн. учеб. заведений.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.04.2024

Просмотров: 335

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

распределен непрерывно в некотором объеме, то сила, действующая на тело, может быть представлена интегралом: F= ^Epdv, а если заряды распределены по поверхности, то интегралом по поверхности:

Однако необходимо предупредить об одной особенности такого непосредственного подсчета сил: необходимо подставлять в форму­ лы то значение напряженности, которое было бы в отсутствие заря­ да, на который действует сила. В тех формулах, в которых сила вы­

ражается суммой, в напряженность Е(

не входит действие заряда

<7,- самого на себя, т. е. при подсчете £ х

не рассматривается поле, со­

здаваемое qlt и т. д. То же справедливо и для интегральных формул:

под напряженностью поля, входящей под знак интеграла,

надо по­

нимать напряженность, создаваемую всем распределением

электри­

ческого заряда, за исключением того количества электричества, которое находится в рассматриваемой точке.

Поясним это на примере силы, действующей на заряженную ме­ таллическую поверхность. Как нам известно, на поверхности ме­ талла, граничащего с диэлектриком, напряженность электрического поля со стороны диэлектрика равна в системе СГС 4ло7е, а со сто­ роны металла равна нулю. Напряженность поля терпит разрыв на этой поверхности. Желая определить силу, действующую на эле­ мент поверхности, мы должны умножить количество электричества odS на ту напряженность, которая была бы в этом месте при уда­ лении рассматриваемого элемента заряженной поверхности. По­ этому было бы неверным умножить a dS как на значение поля со стороны диэлектрика 4яа/е, так и на значение поля со стороны ме­ талла, т. е. нуль. Как показывает строгое рассмотрение, поле, ко­ торое было бы в этом месте после удаления рассматриваемого эле­ мента, равно арифметическому среднему из двух значений, 0 и 4яст/е, т. е. равно 2яа/е. Таким образом, формула силы, действую­ щей на элемент площади заряженной поверхности проводящего тела, имеет вид

а для всего тела

причем интегрирование должно быть распространено по всей по­

верхности с учетом возможных

изменений плотности заряда

и ди­

электрического коэффициента

вдоль поверхности металла.

 

В случае однородного поля (в идеале — бесконечный 'плоский

конденсатор) силу F, действующую на площадь пластины 5,

можно

с достаточно хорошей точностью подсчитать по формуле

 

F =

2ло2

S (СГС).

е

 


Величину этой силы можно измерить при помощи так называемых весов Томсона, схема действия которых показана на рис. 94. При разности потенциалов на обкладке конденсатора, равной 600 В, пластинка с площадью 50 см2, находящаяся на расстоянии 5 мм от другой пластинки, притягивается к ней с силой, которая будет рассчитана в двух используемых нами системах единиц.

 

Система СГС

 

 

 

Система СИ

r _ eS

 

 

 

r

- m < > S - 5 - 10-3 __

С - 4 л ¥ - 8

С М '

 

C

Т~-

Збп 'o"~RF3~

q = CU = 8-2=\6 ед. СГС,

 

= 8,9-Ю-1 '2 Ф,

 

? = С(/ = 8,9 - Ю - и - 600 =

 

 

 

 

 

= 5,3-10-» Кл,

о = 0,32

ед. СГС,

 

 

0 = 1 , О 6 1 О - 6 Кл/м2 ,

2ла2

2-3,14 0,32*

 

 

о 2

(1,0610~в )г -5 • 10"» _

г — ~

^

і

Xs

 

г — ??— ^ "

2-1

 

 

1

'

 

2єе„

 

 

 

 

 

 

Збп

Х50 = 32 дин.

 

 

=32.10-? Н

Таким образом, чтобы уравновесить силы электростатического притяжения, на противоположную чашку весов надо положить груз, равный 32 дин = 32-10~5 Н.

Еще труднее оценка силы, действующей на тело с объемным рас­

пределением электричества: в выражении

pEdv напряженность Е

 

есть

напряженность поля, со­

 

зданного

 

всеми

зарядами,

 

кроме

pdv.

 

 

 

Если

заряженное тело на­

 

ходится

в

диэлектрической

 

среде, то подсчет силы ослож­

 

няется

еще

и тем обстоятель­

 

ством, что при мысленном уда-

+

лении заряда приходится мы­

 

сленно удалить и соответству-

Рис. 94.

ющую часть диэлектрика, что

 

сказывается

на

изменении

поляризованного состояния

(см. ниже).

 

 

 

 

 

Если мы желаем избежать трудностей, связанных с «вычитанием» действия заряда самого на себя, то мы должны прибегать к вычисле­ нию силы при помощи выражения для энергии. Убыль энергии равна работе; зная величину перемещения, можно найти значение силы.

Как правило,

применяется именно такой способ оценки силы.

Расчет этим способом силы, действующей

на пластину плоского

конденсатора,

F ~ 2 я о г 5, может послужить

яркой иллюстрацией

сказанного. Рассматривая притяжение пластин конденсатора (от­ ключенного от источника напряжения), мы можем сразу же запиписать изменение энергии при сближении пластин на величину А:

С А

Е £ 2

2лет* 0 .

SA • - у - ~

 

SA,

 

8

'

откуда искомая сила

2до* S.


§ 93. Дипольный момент системы зарядов

Вернемся к электрическим системам, которые можно представить как системы точечных зарядов. Положим, что на протяжении инте­ ресующей нас системы зарядов электрическое поле однородно. Тогда формула силы, действующей на систему, имеет вид

где Q — полный заряд системы. Если тело электрически нейтраль­ но, как, скажем, атом или молекула, то сила, действующая на такое тело, содержащее равные количества положительных и отрицатель­ ных частиц, будет равна нулю. Значит ли это, что электрически ней­

тральное тело не обладает взаимодействием с электрическим

полем?

Нетрудно

видеть, что нет. В однородном

 

 

^

поле силы, действующие на заряды си­

 

 

 

стемы, параллельны друг другу. Мы мо­

 

 

 

жем отдельно сложить силы, действую­

 

 

 

щие на положительные заряды, и

 

 

*~

отдельно силы, которые приложены к

 

 

 

отрицательным

зарядам.

Как

хорошо

 

 

 

известно, равнодействующая

параллель­

 

 

 

ных сил приложена в центре «тяжести»

 

 

 

тела. Слово «тяжесть» взято

в

кавычки,

 

 

 

так как сейчас

речь

идет

об

электриче­

 

 

 

ском

центре тяжести.

В

результате все

 

 

*~

силы,

действующие на заряды системы,

Р и с - 9 5 -

 

находящейся в однородном поле, све­

 

 

 

дутся

к двум

антипараллельным силам,

приложенным

в центрах

тяжести

положительных

и

отрицательных зарядов

(рис. 95).

Если

система

электрически

нейтральна,

то обе силы будут

одина­

ковы; полная сила будет равна нулю, но на тело будет действовать пара сил с моментом M=qEls'm<x.

Момент сил может подействовать на систему зарядов только в том случае, если центры «тяжести» положительных и отрицатель­ ных зарядов сдвинуты друг по отношению к другу.

Вектор р= ql, равный по величине произведению положитель­ ного заряда системы на расстояние между центрами тяжести, носит название дипольного момента системы. Дипольный момент считают направленным от отрицательного центра к положительному. Ди­ польный момент системы определяет ее поведение в однородном, поле. Система, предоставленная сама себе, поворачивается в одно­ родном электрическом поле так, чтобы ее дипольный момент совпал с направлением электрического поля (sin а = 0 ) .

В однородном поле все действия на нейтральную систему элек­ трических зарядов сводятся к моменту силы М=рЕ sin а, где р — дипольный момент системы, равный произведению количества элек­ тричества одного знака на плечо диполя. Таким образом, нет нужды


рассматривать в однородном поле сложное расположение какойлибо системы зарядов; ее надо заменить соответствующим диполем.

Если система находится в неоднородном поле, то дипольный мо­ мент уже не будет исчерпывающим образом описывать ее свойства. Это видно из рис. 96. Четыре заряда, расположенных по углам квад­ рата, образуют электрически нейтральную систему с дипольным

Рис. 96.

моментом, равным нулю (центры тяжести отрицательного и поло­ жительного зарядов совпадают). В однородном поле на такую сис­ тему не действуют ни силы, ни момент силы. В неоднородных полях, разумеется, этот квадрат может и перемещаться поступательно и поворачиваться, так как силы, действующие на заряды, вообще говоря, различны. По аналогии с диполем такой системе дано наз­ вание квадруполь. На том же рисунке изображена еще одна нейтраль­ ная система с нулевым дипольным моментом — октуполь.

Значительный интерес для учения о строении вещества, которым мы будем заниматься много позднее, представляет рассмотрение взаимодействий простейших электрических систем. Рассмотрим некоторые из них.

Заряд — заряд. Взаимодействие двух точечных зарядов проис­

ходит по закону Кулона F =

.

Заряд— диполь. Предоставленный сам себе диполь стремится повернуться так, чтобы установиться вдоль силовых линий. После

Рис. 97.

того как такой поворот произошел, диполь остается неподвижным в однородном поле, а в неоднородном будет втягиваться, как это видно из рис. 97, в область более сильного поля. В случае, если неодно-

родное поле есть поле точечного заряда, диполь будет притягиваться к этому заряду. Сила притяжения равна

Если плечо диполя мало, то, приводя к общему знаменателю, мы получим, пренебрегая величиной I і по сравнению с rl, а ве­ личиной rl по сравнению с г2, следующую интересную формулу:

Обратим

внимание

на

то,

 

что

сила взаимодействия заряда и ди­

поля

убывает с расстоянием быстрее, чем кулоновская сила, а имен­

но, она обратно пропорци-

 

 

 

^

 

ональна кубу

расстояния.

 

 

 

 

 

П р и м е р .

Расстояние меж-

 

й \

 

 

 

ду атомами

Н

и

СІ в

молекуле

 

 

 

 

НС1 равно 1,28 А, дипольный

 

 

 

Є

 

момент молекулы р—6-10~18

ед.

 

 

 

 

СГС.

Тогда

электрон,

находя­

 

 

 

 

щийся на расстоянии г—10 А от

 

 

 

 

 

молекулы, притягивается к

ней

 

 

 

 

 

с силой ~6- Ю - 6

дин.

 

 

 

45 ф=

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диполь—диполь. Здесь

 

 

 

 

 

полезно решить две

задачи

 

 

 

Рис. 98.

для

взаимных

расположе­

 

 

 

 

 

ний

диполей,

показанных

 

на

рис.

98. Точные

формулы взаимо­

действия

имеют вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 а2

 

2

 

 

 

 

 

 

 

F = -р

r2 + l2 д л я Р а с п о л о ж е н и я

а >

 

 

 

 

Р

2р*_

Зг2

 

— 12

для

расположения б.

 

 

 

 

 

г2

2—12)2

 

 

 

Если плечо диполя мало, то формулы можно заменить следующими приближенными выражениями:

F = для расположения а,

F = — - для расположения б.

Силы взаимодействия убывают обратно пропорционально четвертой степени расстояния.

П р и м е р . Две молекулы НО, расстояние между которыми 10 А,

притя­

гиваются с силой F~lQ~e дин в случае a, F~2- 10 - в дин в случае б.

 

8 А. И. Китайгородский

225


Заряд — квадруполь. Расчет ведется для ориентировки, пока­ занной на рис. 99. Сила взаимодействия может быть записана в виде

Приближенная формула для малого квадруполя: F = ?М£_. Сила убывает обратно пропорционально четвертой степени расстояния.

Рис. 99.

§ 94'. Поляризация изотропного диэлектрика

Как известно, заполнение однородным диэлектриком пространст­ ва, в котором существует электрическое поле, созданное некоторой системой зарядов, приводит к уменьшению в є раз напряженности поля и значения электрического потенциала. Напротив, электриче­ ское смещение (и индукция) остается неизменным. В е раз меняется емкость конденсатора. Это обстоятельство всегда используется при практических измерениях диэлектрической проницаемости. Отно­ шение емкости конденсатора, между обкладками которого нахо­ дится диэлектрик, к емкости того же конденсатора без диэлектрика можно рассматривать как определение диэлектрической проницае­ мости.

Мы пойдем сейчас несколько дальше и спросим себя о причинах подобного влияния диэлектрика на электрическое поле. Следующий опыт натолкнет нас на путь объяснения диэлектрических явлений.

Рассмотрим плоский конденсатор, подключенный к источнику на­ пряжения. Плотность электрических зарядов на обкладках кон­ денсатора, а следовательно, и число линий D на единицу площади однозначно определятся напряженностью электрического поля: ог=£/(4я). Заполним этот конденсатор однородным диэлектриком. Теперь связь между напряженностью электрического поля и плот-

ностью

заряда на

обкладках

конденсатора выразится равенством

о = є £ / ( 4 л ) — поток силовых линий (т. е. линий D) возрастет. В про­

водимом

подобным

способом

опыте напряженность электрического

поля, равная частному от деления разности потенциалов на расстоя­ ние между обкладками, измениться не может. Следовательно, ме­ няется плотность зарядов на обкладках конденсатора, а именно, она возрастает в є раз. Это возрастание можно обнаружить экспе­ риментально: в процессе заполнения конденсатора диэлектриком источник напряжения будет пополнять заряд конденсатора. Изме­ ряя этот электрический ток и время его протекания, можно убедиться в том, что на единицу площади конденсатора будет послано допол­ нительное количество электричества, равное

е Е

Е

є— 1 £.

При удалении диэлектрика этот дополнительный заряд возвраща­ ется обратно, а дополнительное число силовых линий пропадает. Чтобы объяснить дополнительное притяжение зарядов к пластинам конденсатора, мы вынуждены допустить образование на поверхно­ стях диэлектрика, примыкающих к обкладкам конденсатора, заря­

дов обратного знака с плотностью о =

Е.

Поверхностную зарядку диэлектрика можно объяснить тем, что диэлектрик состоит из связанных попарно положительных и отрица­ тельных зарядов, не способных перемещаться по телу, но могущих сдвигаться друг по отношению к другу с образованием дипольного

±1L J + J

ш Ы Ы

И Ш Ы Ы Ы Ы Ы Ы Ы Ы Ы Ы Ы

Рис. 100.

момента в каждой единице объема диэлектрика. Превращение элек­ трически нейтральной системы зарядов в систему, обладающую ди­

польным моментом, носит название поляризации, а вектор

диполь­

ного момента единицы объема диэлектрика носит название

вектора

поляризации Р.

 

Поляризация диэлектрика не приводит к созданию объемных за­ рядов — числа положительных и отрицательных зарядов в единице объема после смещения останутся равными друг другу. Однако по­ ляризация приводит к созданию заряда на поверхности диэлектри­ ка, как это очевидно из элементарной схемы (рис. 100). Плотность

8*

227