Файл: Техника высоких напряжений учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.04.2024

Просмотров: 325

Скачиваний: 3

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

иия

[см. (6.13)]

(7.24)

 

Ѵэ = coetg6=e*/: tg 6/1,8- Ю12,

где

е*= е/е0 —относительная диэлектрическая проницаемость.

 

 

Разделив (7.23) на dz, получим

 

 

k(daT/dz*) + yaE* = 0.

(7.25)

Так как теплоотдача системы в окружающую среду происходит через внешние поверхности электродов, то вся система симметрична относительно плоскости z = 0, где температура всегда максимальна

dT

1КС), и, следовательно, ^ = 0. Непрерывность потока

( ^ г = 0 — Т'макс/

тепла на поверхности электрод—диэлектрик дает первое граничное условие:

h

d T

 

dT_

(7.26)

к

dz

/ 2

dz

 

т— z = d

 

z = d / i ,

где — коэффициент теплопроводности

электрода.

Второе граничное условие получается из непрерывности теплового потока на внешней поверхности электрода:

= Ц Т , - Т 0),

(7.27)

\z = ( d / 2 ) + ö

где Т 2—температура наружной поверхности электрода; Т 0—темпе­ ратура окружающей среды; X— коэффициент теплоотдачи с внешней поверхности электрода в окружающую среду; 8Э—толщина электрода.

Кроме того, в электроде практически не происходит выделения тепла, поэтому градиент температуры в нем можно принять постоян­ ным; при этом температура в некоторой точке электрода с коорди­ натой z

 

Т = т' - Ът

г { г ~ т ) -

(7-28)

где

Т-і — температура на

внутренней поверхности

электрода.

 

Из (7.27) и (7.28) имеем:

 

 

 

 

rp

k jT I -f-6Э\ Т 0

\

 

 

 

А, + М8

 

(7.29)

 

Т = Тг- Ь- ^ ^ ( Т , - Т

0),

 

 

где

Ь = Ы /[2(^ +Х6Э)].

 

 

если для зависимости уэ

 

Решение задачи несколько облегчается,

от температуры воспользоваться приближенным выражением, ана­

логичным (6.9),

(7.30)

у э = у эо ехр (а (Т— Т0)].

При интегрировании уравнения (7.25) можно

предположить, что

з диэлектрике при его разогреве напряженность поля не зависит от координаты г. Это допущение можно считать справедливым для пере­ менного напряжения, для которого, пренебрегая током проводимости, имеем

е E —D = const,

134


а величина е для большинства технических диэлектриков слабо за­ висит от температуры при низких частотах.

В результате решения уравнения (7.25) получается зависимость между напряженностью и максимальной температурой в середине слоя диэлектрика (рис. 7.15). Наибольшая возможная по этой зависи­ мости напряженность является напряженностью теплового пробоя, так как незначительное повышение температуры приводит за счет нарастающего выделения тепла к ее неограниченному росту. Эта на-

гемпературой 7’макс

в диэлектрике

Рис. 7.16. Графики функций <р(с) и

(с) к

(Го — температура

окружающей

расчету теплового пробоя

 

среды)

 

 

пряженность и соответственно напряжение теплового пробоя могут быть выражены формулами:

 

с =

£пР

 

£/Пр= К"8й/оуэ0ф(с),

(7.31)

 

 

= \ Ѵ ^ І а у ъ^(,с),

 

 

где

 

k1%d/[2k{k1-\-'kb3)].

Обычно kj:^>X83, и в этом случае

выра­

жение для с может быть упрощено: сж М /2k.

 

 

Входящая в формулы (7.31) функция ср(с) задается графически,

так как

ее вычисление достаточно громоздко. На рис. 7.16 приведен

график ф(с) в диапазоне значений параметра с, представляющем практический интерес.

Для малых с < 0,5

 

ф ( с ) « К с/[(2 + с) е].

(7.32)

При больших толщинах изоляции d и соответственно больших значениях с функция ф(с) стремится к пределу lim ф (с) = 0,662.

 

 

С - * С

Р

 

В этом случае имеем предельное напряжение теплового пробоя

и пѵмакс= 0,662 VWwTo,

'

 

(7.33)

а напряженность теплового пробоя изменяется

обратно

пропорцио­

нально d.

 

 

 

 

Если учесть связь между уэ

и tg 6 по (7.24), то для переменного

напряжения получаем

 

 

 

 

Дпр= 7,8-10° Vk/(az*ftg 60)

ф (с) в тл/сек-град-см).

(7.34)

135


При постоянном напряжении должно выполняться условие у£ = = / = const. Проводимость у зависит от температуры Т и соответст­ венно от координаты г, следовательно, напряженность, поля Е из­ меняется по толщине диэлектрика, причем слон диэлектрика, бли­ жайшие к электродам, нагружаются сильнее, чем центральные. В этом случае напряженность и напряжения теплового пробоя определяются формулами, аналогичными (7.31), в которых изменяется только функция ф(с):

£ np = (l/d )l/’8^/av0cp1(c);

(7.35)

^лР = К8Л/аТоФі(с).

(7.36)

Зависимость срі (с) приведена на рис. 7.16. При d->-оо (с->-оо) ве­ личина ф1(оо)->1,0. Повышение пробивных напряжений для посто­ янного напряжения при тех же d и уэ объясняется уменьшением на­ пряженности в центральной части диэлектрика, т. е. в области наи­ больших температур и развития теплового пробоя.

При малых толщинах диэлектрика (kd<^:4k) на основании (7.31) и (7.32) имеем

Unv = ]/2М/ауэ0е = А Yd,

(7.37)

т. е. пробивное напряжение пропорционально Yd, а пробивная на­

пряженность обратно пропорциональна Yd.

Термическое разрушение диэлектрика может происходить и без неограниченного роста температуры. В стационарном состоянии, когда количество тепла, выделяемого в диэлектрике за счет потерь, равно количеству отводимого через электроды тепла, установившаяся температура в диэлектрике может оказаться слишком высокой. Раз­ рушение в этом случае может наступить в результате оплавления, обугливания и тому подобных процессов, вызванных диэлектрическим нагревом. Это явление называют тепловым пробоем второго рода.

§ 7.5. РАЗРЯД ВДОЛЬ ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОЙ ИЗОЛЯЦИИ В ЖИДКОМ ДИЭЛЕКТРИКЕ

Основные характерные закономерности развития разряда по по­ верхности твердой изоляции одинаковы при жидкой и газообразной (воздушной) среде, окружающей твердый диэлектрик. Абсолютные ве­ личины разрядных напряженностей, как правило, значительно больше в случае жидкой среды, что связано с большей прочностью жид­ кости по сравнению с газом. При больших расстояниях соотношение меняется (рис. 7.17). Это объясняется тем, что при больших напряже­ ниях полному разряду предшествуют скользящие разряды, перекры­ вающие часть расстояния между электродами. В газе канал такого разряда быстро распадается, в жидкости же он сохраняется дольше. В ряде случаев он может сохраняться до момента начала следующего скользящего разряда (в течение того же импульса или того же полупериода напряжения), что облегчает продвижение нового разряда на большую длину в сторону противоположного электрода.

136


Опп I Х0

Величины напряжений скользящего разряда могут быть рассчи­ таны по (2.29). Эмпирические формулы имеют аналогичную структуру. Например, зависимость напряжения появления скользящих разрядов по поверхности Uai от толщины ди­

электрика d в масле

 

 

= 39 d°-

(7.38) JO

 

1

 

 

 

 

где

Uск— в га;

d— в см.

пробоя ^0

'

г

 

Зависимость

напряжения

 

 

по

поверхности от расстояния между

 

 

электродами при небольших размерах W

 

 

имеет вид

 

О

 

 

 

U

= Л /0’5

4

1,СМ

 

 

 

 

 

 

 

Рис. 7.18. Зависимость напряже­

 

 

 

ния U„р от длины уступа

I при

 

 

 

различных толщинах d, мкм, бу­

 

 

 

мажного

диэлектрика в

мине­

 

 

 

/ —9 x1 2 0 ;

ральном масле:

 

 

 

 

2— 10x50; 3—5 x 5 0 ; 4—.

 

 

 

 

—8 Х 12-

 

1,см

Рис. 7.17.

Разрядные

напряже­

Рис. 7.19. Напряжение разряда

ния по поверхности картона в

Unр по поверхности в масле в за­

зависимости от длины:

висимости

от длины

I масляной,

І — о масле,

импульс

0,5/5 мксек,

части для

изоляции

с конденса­

50%-ные значения; 2—в масле, 60 гц;

торными обкладками:

3 —в воздухе,

импульс

0,5/5 мксек,

/ — закрытые края

изоляций обкла­

50%-ные

значения;

4 — в воздухе,

док; 2 — открытые

края обкладок

импульс 1/50 и//ссе/с,

50%-ные значе­

ния; 5— в воздухе,

60 гц

 

 

 

 

где А — постоянная, зависящая от природы и толщины диэлектрика. Например, при е1 = 4е0 и при толщине диэлектрика 1 мм, по опыт­ ным данным,

£/пр=13,5/«*»,

(7.39)

где ТУ —в кв; I— в см.

На рис. 7.18 приведены зависимости разрядных напряжений по поверхности от расстояния при различных толщинах диэлектрика для системы электродов по рис. 2.£5 при наличии нижнего электрода.

137


Рис. 7.20. Эквивалентная схема при рас­ смотрении частичных разрядов в диэлек­ трике:
Св — емкость элемента диэлектрика, участ­ вующего в частичном разряде (емкость включе­
ния); Сд — емкость диэлектрика, расположен­ ного последовательно с включением; Са —ем­ кость остальной части диэлектрика

Для повышения разрядных напряжений применяются промежу­ точные конденсаторные обкладки, задающие принудительное распре­ деление напряжения по поверхности изоляции (см. § 15.4). Выполне­ ние изоляции с открытыми краями обкладок значительно повышает разрядное напряжение в масле (рис. 7.19).

§7.6. ЧАСТИЧНЫЕ РАЗРЯДЫ В ИЗОЛЯЦИИ

а.Основные характеристики частичных разрядов

Понятие «частичные разряды» (ч. р.) в изоляции охватывает мест­ ные разряды на поверхности или внутри изоляции в виде короны, сколь­ зящих разрядов или частичных пробоев отдельных элементов изоля­ ции. Характеристики частичных разрядов в настоящее время явля­ ются определяющими для выбо­ ра допустимых рабочих и испы­ тательных напряженностей боль­ шинства конструкций внутрен­ ней изоляции при переменном напряжении. Методика измере­ ний ч. р. рассмотрена в § 17.6.

Каждый из единичных раз­ рядов сопровождается нейтрали­ зацией некоторого заряда q в толще диэлектрика. Возникно­ вение частичного разряда при­ водит к изменению напряже­ ния на внешних электродах

всего образца емкостью Сх на некоторую величину AUx=q44 ѴСх. Соотношения между q и q4, р определяются соотношениями между ем­ костью элемента диэлектрика С„, участвующего в частичном разряде, и емкостью элемента диэлектрика Сд, включенного последовательно с

первым.

схема диэлектрика может быть представлена тремя

Эквивалентная

емкостями (рис.

7.20), причем Сл-=Са+ [С вСд/(Сп+ С д)]. Изменение

напряжения на электродах на величину ДUx заканчивается одновре­ менно с погасанием частичного разряда, замыкавшего С„. В резуль­ тате из емкости Са ушел заряд на подзарядку последовательно соеди­

ненных емкостей Св и Сд. Используя

условия равенства

этих заря­

дов, имеем

 

 

q4p = AUxCx = AUB^

^ = q ^ c ; -

(7.40)

Величина q4_р называется кажущимся зарядом ч. р. Нейтрализа­ ция заряда q и связанное с этим изменение напряжения на образце приводят к появлению высокочастотных колебаний в схеме, в которую включен образец. Регистрация этих высокочастотных колебаний специальными усилительными устройствами позволяет исследовать частичные разряды в изоляции (см. § 17.6).

138