ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.04.2024
Просмотров: 324
Скачиваний: 3
ние завершается пробоем диэлектрика даже в том случае, если ин тервал энергии от U^Kp до Wlt будет очень мал.
Поэтому условия, при которых возникает такое нестационарное состояние, или условия пробоя твердого диэлектрика в этом случае имеют вид:
|
|
№кр= Г н, |
А = В. |
|
|
(7.19) |
|
Так |
как величина |
энергии, |
приобретаемой |
электроном |
в поле |
||
в единицу времени, по теории |
Хиппеля — Каллена |
больше, |
чем по |
||||
теории |
Фрелиха, т. е. |
> |
В\Ѵк, |
то пробивные |
напряженности, |
||
определяемые по теории Фрелиха, получаются |
ниже, чем по теории |
||||||
Хиппеля — Каллена. |
|
|
|
|
|
|
г. Квантовомеханнческая теория пробоя твердых диэлектриков вследствие электростатической ионизации
В теории электростатической ионизации рассматривается возмож ность существенного увеличения электронной проводимости твердых диэлектриков вследствие перехода электронов в зону проводимости за •счет туннельного эффекта как из нормальной зоны, так и из катода.
Наличие электрического поля приводит к деформации зон и к со ответствующему изменению формы потенциального барьера. Так как ширина барьера d=W 6 qeE обратно пропорциональна напряженности поля, то с ростом Е вероятность прохода электронов сквозь потенциаль ный барьер растет. При достаточно сильном поле ток в твердом диэлектрике, как следует из (1.22), возрастает на много порядков, что может привести к образованию канала высокой проводимости и на рушению тепловой стабильности диэлектрика.
д. Квантовомеханическая теория ударной ионизации
Рассмотрим электрон, движущийся в зоне проводимости при нали чии электрического поля (рис. 7.13, а). После каждого свободного пробега (длина /), испытывая столкновения с частицами решетки, эле ктрон теряетчасть энергии ДЦ7ст. Если в точке Хі произошло неупругое столкновение, в результате которого электрон зоны проводимости передал другому электрону, находящемуся в нормальной зоне на уровне В ', энергию, достаточную для перехода в зону проводимости {BC=B'C = AW^z Wb+WJ, то последний попадает из нормальной зоны в зону проводимости. Если электрон зоны проводимости нахо дился при этом в верхней части этой зоны и кроме того глубина зоны проводимости больше ширины запрещенного участка W7np^ W 6-j-W1, то первый электрон также останется в зоне проводимости. Продолже ние этого процесса приводит к лавинообразному нарастанию электро-
5 Зак. 557 |
№ |
нов в зоне проводимости, увеличению электронной проводимости ди электрика и его пробою.
Однако этот механизм возможен лишь в том случае, если электрон при своем движении в зоне проводимости и частичных потерях энергии при взаимодействии с решеткой может попасть в верхнюю часть зоны проводимости. Это возможно лишь при достаточно большом наклоне зон, т. е. при достаточно большой напряженности электрического поля.
Аналогичный процесс возможен вследствие перемещения электро нов в нормальной зоне. Так как этот процесс возможен лишь при на личии свободных мест в нормальной зоне («дырок»), то в данном слу чае следует рассматривать перемещение дырки (рис. 7.13, б), которая
Е Е
Рис. 7.13. Схема ударной ионизации при помощи электрона (а) и дырки (б)
движется от анода к катоду. Потеря энергии электроном соответст вует подъему дырки на более высокие энергетические уровни. При своем движении (при достаточно большом наклоне зон) дырка может
попасть в нижнюю часть нормальной зоны. Далее, |
при взаимодейст |
||
вии в точке х2 (см. рис. 7.13, б) |
двух |
электронов |
нормальной зоны |
один передает другому энергию |
|
Wa+ W 6, достаточную для пе |
рехода на локальный уровень, перемещаясь сам в нижнюю часть нор мальной зоны. Такой случай возможен, если ширина нормальной зоны больше ширины запрещенного участка: W2-f-Wб,
е. Энергетический анализ электрической прочности
Существующие квантовомеханические теории пробоя твердых ди электриков позволяют производить численные расчеты электрической прочности лишь для диэлектриков простейшей структуры. Произвести подобные расчеты для большинства технических диэлектриков пока не представляется возможным как благодаря сложности расчетов, так и вследствие отсутствия необходимых для подобных расчетов исход ных данных.
130-
Ю. Н. Вершининым разработан метод количественного энергети ческого анализа импульсной электрической прочности твердых диэлек триков. Этот метод основан на следующих представлениях о физичесашх процессах, протекающих в разрядном промежутке. Процесс электрического пробоя начинается с эмиссии первичных носителей заряда из металлического электрода в диэлектрик (автоэлектронная эмиссия с учетом тепловых электронов — термоавтоэлектронная эмис сия). При отрицательной полярности острия происходит эмиссия электронов в зону проводимости, а при положительной полярности — дырок в нормальную зону. Механизм электронно-дырочной проводиімости приводит к возникновению на расстоянии в несколько сот микрон <от острия объемного заряда и, как следствие этого, области локального сильного поля с напряженностью, намного превышающей среднюю напряженность в разрядном промежутке.
Область локального сильного поля характеризуется сильным искривлением энергетических зон, в результате чего создаются усло вия для туннельных переходов в направлении к острию основных носителей заряда: электронов — к положительному острию и дырок — к отрицательному. Взаимодействие в процессе ударной ионизации электронов и дырок проводимости с электронами, участвующими в •образовании химических связей, приводит к нарушению соответст вующих связей и переходу твердого вещества диэлектрика в состояние частично ионизированной газовой плазмы в направлении движения потока носителей заряда. Образуется начальный участок первичного канала пробоя, потенциал электрода выносится в его головную часть, и далее процесс идет непрерывно до тех пор, пока этот канал не пере сечет весь разрядный промежуток.
При анализе возможности образования газовой плазмы рассмат ривается термодинамический баланс энергии в диэлектрике. Внутрен няя часть потока носителей заряда может быть рассмотрена как бы находящейся внутри внешней области, выполняющей роль оболочки, препятствующей обмену энергией между внутренней областью и ве ществом диэлектрика вне ее. Такая адиабатическая модель позволяет считать, что кинетическая энергия носителей заряда затрачивается только на изменение внутренней энергии диэлектрика в этой области. При этом для каждого диэлектрика имеет место такое минимальное значение необходимого изменения внутренней энергии единицы объема диэлектрика А с, при котором возникает начальный участок канала неполного пробоя. Таким образом, величина А с может рассматриваться как энергетический критерий пробоя диэлектрика.
Импульсная электрическая прочность (в кв) твердых диэлектриков
Unv = knkpk{%, d)Al'\ |
(7.20) |
где /еп —коэффициент, учитывающий форму поля и полярность им пульса; kn— 1 для электродов (+ ) острие— плоскость; Ап= 1,52 для' электродов (—) острие— плоскость: kn= 1,82 для электродов шар — плоскость; kP= 0,75+0,ЪР— коэффициент, учитывающий вероятность пробоя в пределах Р (U ^ f/np) = 0,14-0,9; k(x, d) = 3,55d0,36äT~0,ii— коэффициент, зависящий от толщины диэлектрика d (в см) и времени
5* |
131 |
воздействия напряжения т (в мксек); Ас— удельная энергетическая характеристика диэлектрика (в ккал/см3); Ас является индивидуаль ным признаком твердого диэлектрика, и ее величина рассчитывается с учетом физических свойств и особенностей молекулярного строения диэлектрика. Она численно равна изменению внутренней энергии единицы объема твердого диэлектрика при его переходе в процессе
формирования канала пробоя из твердого состояния |
в состояние |
частично ионизированной газовой плазмы. |
|
В наиболее общем виде удельная энергетическая характеристика |
|
вычисляется по формуле |
|
Лс=(1,08уд/М) (AHa + nW |
(7.21) |
где Ас— в ккал/см3; 1,08 —коэффициент, учитывающий |
силы оттал |
кивания в плотной газовой плазме; уа— плотность диэлектрика, г/см3;
М — молекулярный |
(формульный) |
вес; |
АНя—суммарная |
энергия |
||||
связей атомов |
в молекуле, ккал/моль; п —число атомов, |
обладающих |
||||||
минимальной |
энергией |
ионизации |
И7ИМШІ. |
|
|
|||
|
Величина |
Д #а |
слагается из энергии |
решетки (для |
кристаллов), |
|||
энергии сублимации и энергии диссоциации в зависимости |
от строе |
|||||||
ния |
диэлектрика. |
Так, |
например, |
для |
органических |
диэлектриков |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
(7.22) |
где |
D,-—энергия диссоциации связей, |
ккал/моль; т;— число диссо |
||||||
циированных |
связей с энергией Dt. Значения АЯа, D, |
Wn являются |
физическими константами, которые приведены в соответствующих справочниках.
При расчете Ас диссоциация связей учитывается начиная с ми нимальных значений D и производится до тех пор, пока сохраняется условие £> ,< № пмин.
В качестве примера рассмотрим расчет электрической прочности полиэтилена толщиной rf = 0,01 см в слабонеоднородном поле при времени воздействия напряжения 1 мксек. Переход полиэтилена из твердого состояния в состояние частично ионизированной газовой плазмы может быть представлен в следующем виде:
I |
Н |
I |
L. Н |
_ |
|
В образовавшейся |
при |
этом газовой плазме в основном будут |
ионизированы атомы углерода, обладающие по сравнению с атомами |
водорода существенно меньшей энергией ионизации: соответственно
W ис=260 ккал/моль |
и Ц7иН = 312,2 ккал/моль. Энергия диссоциации |
связей равна: для |
связи СН—Н D j= 128 ккал/моль; для связи |
С—Н D2 = 81 ккал/моль, для связи С—С D3 = 80,5 ккал/моль. Учитывая, что молекулярный вес рассматриваемой группы, вхо
дящей в состав молекулы полиэтилена, равен 28 г/моль, а удельная
№
плотность полиэтилена уд = 0,95 г[см3, в соответствии с формулой (7.22) имеем
Ае= (1,08-0,95/28) (2 • 128 + 2• 81 + 2 • 80,5 + 2 ■260) = 40,5 ккал/см*.
При этом 50%-ное импульсное пробивное напряжение полиэти лена в слабонеоднородном поле при d = 0,01 см и т = 1 мксек в со ответствии с (7.20)
Unv = 1,82 -1,0 • 3,55 • 0,01 °’308 -1,0- (40,5)1’1 = 70 кв,
а пробивная напряженность
£пр = — = ö7öT= 7-10® кв/см.
Соответствующие эксперименты дают для указанных толщин по лиэтилена £ пр = (6 ч - 7) ІО3 ке/слг, что достаточно хорошо соответст вует полученным расчетным данным.
§ 7. 4. ТЕПЛОВОЙ ПРОБОЙ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
Приложенное напряжение вызывает потери энергии в диэлектрике; при постоянном напряжении потери определяются проводимостью
диэлектрика у, |
а при |
переменном напряжении |
тангенсом угла |
|
диэлектрических |
потерь |
tg б. Так как с |
z |
|
ростом температуры величина у, а в об |
|
|||
ласти повышенных температур и величи |
|
|||
на tg б растут, то |
при некотором напря |
|
||
жении возможно возникновение неустой |
|
|||
чивого теплового состояния диэлектрика; |
|
|||
возрастание у или tg б с ростом темпе |
|
|||
ратуры в свою очередь вызывают увели |
|
|||
чение выделяющихся в диэлектрике по |
|
|||
терь и вследствие этого |
рост темпера |
|
||
туры. Это приводит к неограниченному |
|
|||
росту |
температуры и заканчивается теп |
|
||
ловым |
разрушением диэлектрика. |
|
Рассмотрим слой однородного диэлектрика толщиной d, находя щийся между бесконечными плоскими электродами (рис. 7.14). Со ставим дифференциальное уравнение, соответствующее равновесному состоянию системы. В рассматриваемом случае из соображений симмет рии будет иметь место плоскопараллельное тепловое поле с градиентом
температуры только по оси Z. Поток тепла, входящий за |
1 |
сек в парал |
лельный электродам слой диэлектрика толщиной dz |
и |
площадью |
1 см", будет отличаться от потока, выходящего из слоя, на |
количество |
тепла, выделяющегося ежесекундно в этом слое вследствие диэлектри ческих потерь:
/ dT |
|
+ k f |
= У3E*dz, |
(7.23) |
-/гт~ |
||||
dz |
г -bdz |
dz |
|
|
где k — коэффициент теплопроводности диэлектрика; уэ—эквивалент ная проводимость диэлектрика, 1/(ож-сж); для переменного напряже-
133