Файл: Проворов К.Л. Радиогеодезия учеб. пособие.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.04.2024

Просмотров: 193

Скачиваний: 0

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

образин типов источников света механизм возбуждения электро­ магнитного излучения в них имеет много общего.

Как известно, электроны в атомах, не взаимодействующих с дру­ гими атомами, находятся в некоторых строго определенных (раз­ решенных) энергетических состояниях, т. е. могут обладать только определенными значениями энергии. Набор разрешенных энерге­ тических состояний электронов в атомах данного элемента называют его энергетическим спектром и изображают в виде диаграммы

£

!

а

 

 

/.'проводимости/,woo, —

 

 

/s,, л;,

/, //

 

 

z^mzz

Запрещенная зона

 

г*

 

7УГГТТТ7ТТТ7/

 

 

ZI=Ë=Ë=~.

/Валентная

 

•Ец

зона

^

 

•Ez

 

 

 

 

 

•Ei

 

 

 

Р и с . 119

 

 

(рис. 119, а), на

которой

эти состояния

показываются

линиями

Êj, Е2, . . .,Е„.

Электрон,

перешедший на

уровень Е„,

называют

свободным; для

него будут

разрешенными

любые значения энергии

Еп.

На каждом из разрешенных уровней в атоме одновременно может находиться только строго ограниченное число электронов, причем электроны стремятся занять уровни с наименьшей энергией. Состоя­ ние, при котором заняты все нижние уровни и нет ни одного элек­ трона на верхних уровнях, соответствует наименьшей энергии атома и называется основным состоянием. Для атома, находящегося в основ­ ном состоянии, переход внешнего электрона с одного разрешенного уровня на более высокий может произойти только при сообщении извне энергии АЕ, равной разности энергий этих уровней. При этом атом (и электрон) перейдет в возбужденное состояние, продолжитель­ ность которого будет равна в среднем 10~8 с. Для некоторых уровней, называемых метастабильными, это время на несколько порядков больше.

15 Заказ 129

225


Обратный переход атома в основное (у электрона — на низший из разрешенных для него уровней) может произойти спонтанно (са­ мопроизвольно) или же вынужденно — под воздействием электро­ магнитного излучения частоты ѵ, определяемой из выражения (25) АЕ = hv. Переходы могут быть безызлучательными, когда энергия АЕ отдается или приобретается за счет взаимодействия атомов (на­ пример, при соударениях), и излучательными, сопровождающимися

излучением или поглощением

кванта электромагнитной

энергии

АЕ. Излучательные переходы

с метастабильных уровней не

проис­

ходят.

 

 

Таким образом, в одноатомных газах и парах металлов, нахо­ дящихся под небольшим давлением (для них характерен энер­ гетический спектр вида 119, а), под воздействием источника энер­ гии часть атомов переходит в возбужденное состояние и некоторые электроны окажутся на уровнях, с которых разрешен излучательный переход. Атомы с такими электронами будут возвращаться в основное состояние, излучая кванты энергии. При постоянных условиях таких атомов в среднем будет столько же, сколько и воз­ бужденных, т. е. установится динамическое равновесие. Некоторые атомы переходят сначала на более низкий возбужденный уровень, а затем происходит переход в основное состояние. При этом излу­ чается два кванта энергии. Характер спектра излучения в общем будет линейчатым, так как в атоме имеется конечный набор уровней и ча­ стота излучения строго определена соотношением (25).

Спектр излучения молекулярного газа состоит из относительно широких полос (полосатый спектр) вследствие того, что энергети­ ческий спектр молекулы (см. рис. 119, б) состоит из нескольких атомарных спектров и, кроме того, имеет дополнительные энерге­ тические уровни, характеризующие колебание и вращение моле­ кулы (на рис. 119, б показаны укороченными линиями). Энергети­ ческие уровни в молекулах расположены близко и местами слива­ ются, образуя полосы.

В твердых телах в результате сильного взаимодействия атомов энергетические уровни отдельных атомов «расщепляются» на близ­ кие подуровни, образующие энергетические зоны (на рис. 119, в заштрихованы). Практически расщепление наблюдается только у

верхних уровней, заполненных валентными электронами, а

также

у возбужденных уровней. В отличие от металлов, у которых

валент­

ный уровень (уровень с валентными электронами в невозбужден­ ном состоянии) при расщеплении перекрывается с ближайшим воз­ бужденным уровнем, у диэлектриков и полупроводников между этими уровнями имеется запрещенная зона (см. рис. 119, в), более широкая у диэлектриков, чем у полупроводников. В твердых телах электроны в невозбужденном состоянии могут занимать любые сво­ бодные подуровни в пределах валентной зоны, а в возбужденном состоянии —любые свободные подуровни первой возбужденной зоны, у полупроводников называемой зоной проводимости. Так как элек­ трону разрешены те же обратные переходы, в процессе которых из-

226


накаливания в дневных условиях во много раз меньше дальности действия ночью.

Из дуговых источников света

наибольшее распространение полу­

чили ртутные лампы

высокого

и сверхвысокого

давления.

На

рис. 120, б показана

ртутная лампа ДРПИОО-2,

представляющая

собой толстостенную колбу из плавленого кварца диаметром ~12

мм.

Внутри колбы имеются два молибденовых электрода, зазор между заостренными концами которых составляет —0,5 мм. Во внутреннюю полость колбы при изготовлении лампы вносится небольшое количе­

ство ртути, создающее внутри нее вследствие

испарения

ртути при

работе лампы давление паров

 

 

 

 

более 10 ат. Лампа работает при

 

j —

\^-+\

1

постоянном напряжении, потре-

а

 

 

 

 

в

Рис. 121

Рис.

122

1000 меганит. Спектр излучения

в видимой

его части изоб­

ражен на рис. 121 (кривая 2). Появление сплошного фона в спектре ртутной лампы объясняется расщеплением энергетических уровней молекул вследствие довольно сильного взаимодействия между ними при давлении, которое устанавливается в колбе. Недо­ статком лампы являются большая потребляемая мощность при относительно низком коэффициенте полезного действия и малый срок службы (—100 ч).

В светодальномере СВВ-1 в качестве источника света приме­

няется

аргоно-циркониевая лампа ДАЦ-50 (см. рис. 120, в). Лампа

питается от источника постоянного напряжения, потребляя

ток

5—б А.

Телом

свечения является полость («кратер») диаметром

около

2 мм в

торце катода, заполненная окисью циркония.

Для

зажигания лампы на ее электроды на короткое время подается вы­

сокое

напряжение, достаточное для

пробоя газового промежутка.

Через

непродолжительное время

после

возникновения

разряда

в результате ионной бомбардировки

катод

разогревается

до темпе-

228


ратуры, при которой окись циркония излучает характерный для металлов непрерывный спектр, показанный на рис. 121 (кривая 3). Яркость лампы ДАЦ-50 достигает 30—50 меганит. Срок службы ее несколько больше, чем у лампы ДРШ 100-2.

Электролюминесцентные светодиоды, как и другие

полупровод­

никовые

диоды, состоят

(рис. 122, а) из двух

полупроводниковых

участков

с разным типом

проводимости — электронной

(«-область)

и дырочной (р-область),

на границе между

которыми

существует

тонкий (толщиной в единицы или десятки микрометров) слой, назы­ ваемый р — «-переходом, р — «-переход отличается очень высокой концентрацией связанных с узлами кристаллической решетки элек­ тронов е~ со стороны /^-области и дырок е + со стороны гг-области. Если к светодиоду приложить «прямое» напряжение (плюс к р-обла- сти и минус к «-области), то через р — «-переход начнет протекать «прямой» ток, обусловленный перемещением электронов из «-области в р-область и дырок в обратно*! направлении. Электроны и дырки проводимости в р — «-переходе будут рекомбинировать. А так как электроны проводимости являются возбужденными электронами, а дырки по существу, являются вакантными местами в невозбужден­

ной

валентной зоне, то рекомбинация означает переход электрона

из

возбужденного состояния в невозбужденное. В светодиодах

этот переход является излучательным и потому процесс рекомбинации электронов и дырок в р — «-переходе светодиода сопровождается излучением электромагнитной энергии; при этом частота электро­ магнитных колебаний определяется выражением (25). Телом свече­ ния в светодиоде является р — «-переход (рис. 122, б).

При изменении тока через р — « переход светодиода изменяется интенсивность процесса рекомбинации, а следовательно, и интен­ сивность свечения. Таким способом в светодиодах осуществляется амплитудная модуляция, частота которой может достигать сотен мегагерц.

В большинстве случаев светодиоды изготавливаются из арсенида галлия, для которого средняя длина волны излучения в зависимости от состава примеси лежит в пределах 0,8—0,9 мкм, т. е. в ближней

инфракрасной области. Спектральная

характеристика

светодиода

из арсенида галлия, как и у всякого

твердого тела,

непрерывна

(см. рис. 122, в) и зависит от внешних факторов, в том числе от темпе­ ратуры и проходящего через него тока. Светодиоды отличаются ма­

лыми размерами. Мощность излучешія светодиодов

невелика —

при комнатной температуре она не превосходит единиц

милливатт,

поэтому в настоящее время светодиоды находят применение исклю­ чительно в малых светодальномерах. Применение криогенных (охла­ ждающих) устройств улучшает энергетические характеристики све­ тодиодов, но одновременно4 увеличивает габариты и вес прибора.

Лампы накаливания, дуговые источники света и электролюмине­ сцентные диоды дают излучения неполяризованяых колебаний широ­ кого спектра. В противоположность этому излучение оптических кван­ товых генераторов (ОКГ) отличается высокой монохроматичностью,

229