Файл: Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства учебник.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.04.2024

Просмотров: 290

Скачиваний: 4

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Согласно ф-ле (1.7)

в частном случае, при Е' = Е",

іф — CoRou ln 2 «s 0,7CQROU.

Параллельный-диодный ограничитель по сравнению с после­ довательным обычно обеспечивает худшую четкость ограничения. Действительно, в параллельной схеме четкость ограничения опре­ деляется отношением Rnp/Ro, в последовательной — отношением Roop/R', неравенство Roöp'^ R практически оказывается более сильным, чем неравенство /?пр <С R0. Другим недостатком схемы

t

Е'

Рис. 3.6

параллельного диодного ограничителя является необходимость иметь малое внутреннее сопротивление источника напряжения Е. Кроме того, в параллельной схеме при запертом диоде вход и выход разделены большим сопротивлением Ro и для выделения сигнала в нагрузке без существенного ослабления необходимо, чтобы входное сопротивление нагрузки /?п значительно превосхо­ дило сопротивление Ro, что не всегда имеет место. С другой сто­ роны, последовательная схема обладает тем недостатком, что на высоких частотах и при крутых перепадах напряжения проходная емкость диода создает в режиме ограничения (при запертом дио­ де) паразитную связь между входом и выходом.

Д в у с т о р о н н и е д и о д н ы е о г р а н и ч и т е л и. Двусто­ ронний диодный ограничитель можно получить путем соединения односторонних ограничителей. Для этого могут использоваться

209


схемы как с последовательным, так и с параллельным ограниче­ ниями.

На рис. 3.7 приведены схемы двустороннего последователь­ ного ограничителя и соответствующая временная диаграмма. При

а)

а ,

йг

отсутствии внешнего сигна-

ла диод Д2 открыт

2

 

 

-W-

И —

{Е > Е і).

 

Верхний

уровень

ограниче­

 

 

 

ния

определяется

величи­

 

Ч

J8 oix

ной Е2,

а нижний — величи­

 

 

ной

U1,

равной

потенциалу

 

 

 

катода,

при

котором отпи­

 

X —

Л .-

рается

диод

 

Д і: /7і я»

 

~

F

^ 2

1

р

R I

 

 

 

 

 

 

 

 

~

 

Ri + Rz

+

 

Ri + Ri

 

 

 

При

uBX< U 1 диод Д 1 за­

 

 

 

крыт, Dz открыт и «пых ~ Ui.

 

 

 

При

UI < UDX< E 2

оба

ди­

 

 

 

ода

ОТКРЫТЫ

И

Иных ~

Ивх-

 

 

 

При

 

 

за­

 

 

 

 

 

«вх > Е2 диод Дг

 

 

 

перт ИИных

Е2.

 

 

 

 

 

 

В схеме рис. 3.7б опорные

 

 

 

напряжения

создаются

об­

 

 

 

щим

источником

смещения

 

 

 

Е;

пересчет схемы

рис.

3.7 в

 

 

 

в

схему

рис.

3.7 а

произво­

 

 

 

дится по формулам:

 

 

 

 

R i =

R U \ R V ,

/?2 =

/?2 II R h

 

 

 

 

 

 

 

R",

 

E-,

 

 

 

 

 

 

 

R \ + R (

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ei =

 

т /

Е.

 

 

 

 

 

 

 

Rz+Ri

 

 

 

 

 

 

Схема двустороннего па­

 

 

 

раллельного

ограничителя

 

 

 

и

соответствующие

диа­

 

 

 

граммы

приведены на

рис.

 

 

 

3.8.

 

 

 

 

 

 

3.1.3. УСИЛИТЕЛИ-ОГРАНИЧИТЕЛИ

Транзисторный ключ ОЭ (рис. 2.12), рассмотренный в гл. 2, является примером усилителя-ограничителя, имеющего два по­ рога ограничения: первый порог определяется уровнем входного напряжения ивх(1 ), при котором транзистор заперт, а второй — уровнем ивх(1 ), при котором транзистор насыщен.

210


Рис. 3.8

В режимах отсечки и насыщения коэффициент передачи равен

нулю

(7<огр

Ä* 0),

выходное напряжение практически

не

зависит

от входного

и равно: и1<3 — Ек IKORK P Z EK в режиме

отсечки и

«кн ~ 0

в режиме

насыщения. Вследствие инерционности

транзи­

стора длительность выходного импульса больше длительности входного. Для уменьшения степени насыщения или предотвраще­ ния насыщения включенного транзистора используется входная

цепь с

ускоряющей

емкостью

(см. параграф 2.2.3) или не­

линейная

отрицательная

об­

ратная

связь

(см.

параграф

2.3.4).

 

 

 

 

 

в

Усилитель-ограничитель

режиме двустороннего ограни­

чения

часто

применяется

для

формирования из синусоидаль­

ного напряжения импульсов с

крутыми

фронтами,

при этом

рабочая

точка

(при

«DX=

0)

выбирается

вблизи

уровня

ик= Е к/2.

В

таком случае

ог­

раничителем

 

пропускаются -Ег

наиболее крутые участки сину­ соиды и при большом коэффи­ циенте усиления выходные им­ пульсы обладают короткими фронтами.

В качестве усилителя-огра­ ничителя широко применяется ключ ОЭ с трансформаторным

выходом, рассмотренный в гл. 2. Основные расчетные соотноше­ ния для усилителей-ограничителей такие же, как в соответствую­ щих схемах ключей; они приведены в гл. 2.

Усилители-ограничители на многоэлектродных лампах не от­ личаются по схеме от рассмотренных в гл. 2 ламповых ключей. Ограничение получают за счет отсечки анодного тока (при на­ пряжении на сетке лампы, меньшем потенциала Egо запирания лампы), а также за счет появления сеточных токов (сеточное огра­ ничение) или за счет верхнего изгиба анодно-сеточной характе-' ристики, обусловленного переходом лампы в область критиче­ ского режима (анодное ограничение).

3.1.4. ПРИМЕНЕНИЕ ОГРАНИЧИТЕЛЕЙ

Ограничители являются основными элементами многих им­ пульсных устройств; они применяются для:

— формирования импульсов стандартной амплитуды путем ог­ раничения входной последовательности импульсов некоторым за­ данным уровнем (рис. 3.9);

211


восстановления формы импульса, вершина которого иска­ жена помехой (рис. 3.10);

фиксации уровня импульса, для сокращения длительности фронтов (см., например, разд. 5.4);

селекции импульсов по амплитуде и полярности (см. гл. 10);

— фиксации уровня перепадов

напряжения

на выходе различ­

ных быстродействующих устройств

(например,

диодная фиксация

коллекторного напряжения в ключах, триггерах, мультивибрато­ рах и т. д.);

восстановления постоянной составляющей и фиксации раз­ личных уровней сигналов (см. ниже);

формирования импульсов из синусоидального напряжения

(рис. 3.11).

Если

подать синусоидальное напряжение UBX —

= L/msinco^

на вход

двустороннего ограничителя с уровнями ог­

212

раничения

+ £ и —Е,

то на выходе

получим

напряжение трапе-

цеидальной

формы с

длительностью

фронта

/ ф .

В соответствии

с рис. 3.11

 

со<ф

С

Г = 2 я / со,

можно положнть.

E = Umsm . Если

s in со/ф/2 Ä /

ш /ф /2 и Е za Umсо^ф/2,

откуда

 

 

 

 

 

 

Т

Е

 

 

 

 

 

 

л

U m

 

 

Следовательно, длительность фронта выходного напряжения тем меньше, чем меньше отношение E/Um. Путем многократного ограничения и последующего усиления можно получить прямо­ угольное напряжение с весьма крутыми фронтами.

Если входное синусоидальное напряжение генерируется высо­ костабильным генератором, то период следования п временное положение фронтов выходного напряжения также высокостабиль­ ны. Поэтому указанный метод формирования прямоугольного на­ пряжения широко применяется для получения (путем последую­ щего дифференцирования этого напряжения) масштабных мар­ керных меток времени в различных индикаторных устройствах.

3.1.5. ДИНАМИЧЕСКОЕ СМЕЩЕНИЕ. ФИКСАТОРЫ УРОВНЯ

Передача переменного напряжения от одного каскада к дру­ гому часто осуществляется через разделительные /?С-цепи, рабо­ та которых рассмотрена в гл. 1. Там было показано, что при передаче периодического напряжения разделительный конденса­ тор заряжается в стационарном режиме до уровня, определяе­ мого постоянной составляющей передаваемого напряжения. Если,, например, передаваемое напряжение симметрично, т. е. его по­ стоянная составляющая равна нулю, то и среднее за период зна­ чение напряжения на конденсаторе также равно нулю. При этом предполагалось, что заряд конденсатора в течение одной части периода и его разряд в течение другой части происходят с одной и той же постоянной времени. Другими словами, предполагалось,, что сопротивления цепей заряда и разряда конденсатора одина­ ковы.

Если периодическое напряжение передается через разделитель­ ный конденсатор на ограничитель (рис. 3.12а), то сопротивления цепей заряда и разряда оказываются неодинаковыми. При этом разделительный конденсатор будет заряжен до некоторого по­ стоянного напряжения даже при отсутствии постоянной состав­ ляющей передаваемого напряжения и напряжение на конденса­ торе явится дополнительным напряжением смещения, которое сов­ местно с напряжением внешнего источника смещения определяет порог и уровень ограничения. Это дополнительное смещение бу­ дем называть динамическим смещением, в отличие от статиче­ ского смещения, определяемого внешним источником.

213.


Установим связь между параметрами ограничителя и уровнем заряда разделительного конденсатора. Пусть, например, на вход схемы рис. 3.12а подано периодическое напряжение uBX(t), форма которого показана на рис. 3.12 6. Когда диод открыт, конденса­ тор Ср заряжается, причем сопротивление зарядной цепи

R ' = R \ \ R P = R R p / ( R + R P ).

В течение той части периода, когда диод заперт, конденса­ тор разряжается, причем со­ противление разрядной цепи

R " = Я р .

В стационарном режиме приращение напряжения

 

Дис

 

на

конденсаторе

во

 

время

заряда равно

убыли

 

напряжения Дво время

 

разряда.

Если

обозначить

 

через Uо средний уровень

 

напряжения

на конденсато­

 

ре

в

стационарном

режиме

 

(рис.

3.12 6),

то

в

течение

 

каждого периода

конденса­

 

тор

заряжается от момента

 

t\ до момента t2, а разря­

 

жается — от t2до із■Во вре­

 

мя

заряда

через

конденса­

 

тор

Ср идет

ток

і'і я« (ÜBX

 

Uo)/R' и напряжение на

 

конденсаторе

возрастает

на

 

величину

 

 

 

 

 

t-i

{ (ц.х — £/„) dt =

 

 

 

äuc = i : \ ^ dt

 

 

 

и

 

 

 

 

 

 

 

 

и

 

 

 

 

 

 

 

 

где S i = I (иах — U0) dt

площадь, показанная

на

рис. 3.12 6

#■ наклонной штриховкой.

Разрядный ток і2 « («„х— U0 )/R", убыль напряжения на кон­ денсаторе

где S2— площадь, показанная на рис. 3.12 6 горизонтальной штри­ ховкой.

214