Файл: Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства учебник.pdf
ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 09.04.2024
Просмотров: 295
Скачиваний: 4
Выбор параметров можно произвести, например, в следующем порядке. По допустимой длительности фронта /ф после выбора транзистора (т. е. величины
т а) и величин /д и |
Ек |
определяют |
из ф-лы (3.15) |
величину R K\ по заданной |
длительности /и пых |
из |
ф-лы (3.14) |
вычисляют С, |
предварительно выбрав R, |
например: R = R K. Как |
было указано |
в разд. 1.3, емкость С должна быть боль |
||
ше суммарной паразитной емкости |
Со, шунтирующей R (которую здесь для |
простоты не ввели в рассмотрение). Поэтому полученное из ф-лы (3.14) значе ние следует сравнить с С0 и при С ^ С0 увеличить С и соответственно изме нить R и RK.
Схема формирователя с укорачивающим трансформатором на выходе аналогична схеме ключа с трансформаторным выходом (рис. 2.29), рассмотренной в параграфе 2.3.2. Роль укорачивающей индуктивности играет индуктивность намагничивания L. Если вы брать параметры Rm L, Со так, чтобы обеспечить критический апе риодический режим, то на выходе (см. параграф 2.3.2) получим им
пульс с длительностью, примерно равной 2л У LCo 3L/R'm, и ам плитудой Um вых = UmKn, где п = w2/wi — коэффициент трансфор мации, UmK — амплитуда импульса на коллекторной обмотке.
Выбор параметров приведен в разд. 2.3.2.
3.2.3. УСИЛИТЕЛИ-ФОРМИРОВАТЕЛИ С УКОРАЧИВАЮЩЕЙ ЦЕПЬЮ НА ВХОДЕ
Схема формирователя с RC — цепью и соответствующие времен ные диаграммы приведены на рис. 3.16. В схеме формируется им пульс, имеющий короткие фронты и, благодаря использованию ре жима насыщения транзистора, плоскую вершину; последнее от личает этот импульс от импульса, формируемого в схеме с уко рачивающей цепью на выходе.
Рассматриваемая схема благодаря возможности формирова ния импульсов с фиксированными амплитудой и длительностью широко применяется для получения тактовых импульсов (анало гичное применение имеет схема с входным укорачивающим транс форматором, рассматриваемая ниже).
Принцип работы формирователя. заключается в следующем. В исходном состоянии транзистор заперт. При подаче отпираю щего перепада UmBX входного напряжения иах транзистор отпи рается, ток базы і'б после начального скачка убывает вследствие заряда конденсатора С. Предполагается, что отпирающий ток
базы — сильный сигнал и |
коллекторный ток возрастает |
практи |
||||
чески по линейному закону; |
за |
время |
коллекторный ток дости |
|||
гает |
уровня |
/ ки« EK/RK |
и |
напряжение ии достигает |
уровня |
|
Щ<п ~ |
0. |
оказывается |
в |
режиме |
насыщения-—формируется |
|
Транзистор |
плоская вершина. По мере спада тока базы в ией происходит
рассасывание избыточного заряда; в момент |
ig = |
Іцп, но из-за |
инерционности транзистор еще насыщен, и |
только |
в момент tn |
220
транзистор выходит из насыщения н в дальнейшем благодаря смещению запирается (входное напряжение теперь уравновеши вается напряжением на конденсаторе). Д ля‘быстрого восстанов ления схемы после окончания входного импульса в схему вклю чается диод Д, через который быстро разряжается конденсатор С.
Рис. 3.16
Найдем основные |
количественные |
соотношения. |
Полагая, что |
||
во время короткого фронта 4 ток базы остается |
постоянным и |
||||
равным |
Ібпі, можно |
записать |
(см. |
параграф 2.2.2) ^ ^ ^ 3-7^ , |
|
где таэ = |
|
U |
«_ Е" |
|
m |
тa + CKRK, I б,» = - |
^ 0 |
; Rai — входное сопротивле |
ние транзистора в активном режиме; Ск — емкость коллекторного перехода.
Ток базы і 'б ( 0 согласно эквивалентной схеме рис. 3 .1 6 6 и с учетом ф-лы (1.5) изменяется по экспоненциальному закону:
_<_
М 0 = /б + ( / б т - / б ) е "С ,
221
где
7° = _ (Ra + Ѵ х ) ’ т с « С (Яг + /?вх)-
Зная ток базы и переходную характеристику транзистора (см. параграф 2.2.2), можно при помощи интеграла Дюамеля (или другим способом) определить закон изменения заряда Q(t) в базе и затем найти длительность вершины импульса (т. е. практи-
Рис. 3.17
чески длительность ія выходного импульса) путем разрешения отно сительно tu уравнения
Q (*„) = о. |
(3.16) |
Уравнение (3.16) — трансцендентное и решается графически.
Для грубой оценки длительности tn можно не учитывать инер ционность транзистора и предположить, что избыточный заряд после включения транзистора весьма быстро достигает макси
мального уровня |
(т. е. |
что |
ta{^> Зти, где тн |
постоянная |
времени |
|
накопления: тн ^ |
Tß « |
ß t „ ) , |
и, кроме того, |
предположить, |
что |
|
процесс рассасывания идет от момента to |
до момента |
t\ |
« |
|||
когда ТОК Іо (ta) « |
/бп = |
/кв/ß . |
|
|
|
|
При этих предположениях согласно ф-ле (1.7) |
|
|
||||
|
|
|
КбІ + 7бт |
|
(3.17) |
|
|
tи — Тс |
|
К І + Аби
Формула (3.17) позволяет выбрать величину постоянной вре мени тс укорачивающей цепи при заданном значении так как Яг задано и RBX определяется по характеристикам выбранного транзистора, то находим С — тс/(/?гҢЯВх).
222
Пример схемы формирователя с укорачивающим трансформато ром на входе и соответствующие временные диаграммы приведены на рис. 3.17. Принцип работы этой схемы не' отличается от ранее рассмотренной. И здесь в исходном состоянии транзистор заперт. При подаче отпирающего перепада напряжения транзистор отпи рается и ток базы после начального скачка (см. параграф 2.3.2), равного
у |
nUm вх Е б |
16m — |
n*Rr + RBX ' |
падает по экспоненциальному закону |
с |
постоянной |
времени |
|
|||||
|
|
|
L |
|
|
|
|
(3.18) |
|
|
|
* г |
+Квх/п? |
’ |
|
||||
|
|
|
|
|
|||||
где L — индуктивность |
намагничивания, |
практически равная |
ин |
||||||
дуктивности первичной |
обмотки |
L\\ |
RBX— входное |
сопротивление |
|||||
транзистора в активном режиме п = |
w2 /wi. |
|
|
|
|||||
Длительность фронта $ |
и |
длительность вершины |
импульса |
||||||
(практически длительность |
импульса |
ta) определяются |
так |
же, |
|||||
как и в предыдущем случае: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Aj> |
Таэ7кн//бп |
|
|
|
|
|
||
|
tu ~ |
ІП |
К |
1+'б,п |
|
(3.19) |
|||
|
I ^б |
+^бн |
|
||||||
|
|
|
|
причем здесь |/б| = Еб/Якх.
Выбор параметров может быть произведен в следующем порядке. Вначале из ф-лы (3.19) определяется TJ,, затем из (3.18) вычисляется L. Коэффициент трансформации п, как и в параграфе 2.3.2, выбирается, например, из условия
согласования .нагрузки (п = Y^Rax/Rr) или из условия получения на ней необхо димого перепада напряжения.
3.3. УСИЛИТЕЛИ-ФОРМИРОВАТЕЛИ РАСШИРЕННЫХ ИМПУЛЬСОВ
Иногда требуется увеличить длительность относительно корот ких импульсов, т. е. расширить их. Такую задачу можно решить при помощи рассматриваемых в последующих главах генераторов импульсов: мультивибраторов, фантастронных генераторов, бло- кинг-генераторов. Однако в ряде случаев для расширения им пульсов используется RC- или RL-цеаъ (в последнем случае — обычно импульсный трансформатор) в сочетании с усилителем.
Как следует из рассмотрения этих цепей в гл. 1, если входной сигнал — прямоугольный импульс, то при достаточно больших значениях постоянной времени т — RC (или т = L/R) выходной сигнал (т. е. напряжение на емкости С в /?С-цепи или на сопро тивлении R в RL-цетт) имеет форму треугольного импульса,
223
фронт которого практически равен длительности входного им пульса, а длительность
причем X |
*Нпых « |
Зт, |
(3 . 2 0 ) |
/„ пх- |
расширенных импульсов |
приве |
|
Пример |
схемы формирователя |
ден на рис. 3.J8; роль «расширяющей» емкости играют емкости нагрузки С „ и коллекторного перехода С , ( ; емкость Сі — раздели тельная.
В исходном состоянии транзистор заперт и нпь,х = 0- При воз действии отпирающего импульса с длительностью ЛІПХ напряжение на выходе и „ ы х возрастает по мере заряда емкости С „ ; в момент ^и~Лівх транзистор вновь запирается и напряжение на выходе
вследствие разряда «расширяющей» емкости падает по экспо ненциальному закону с постоянной времени порядка
|
|
т с = ( с „ + |
с к ) ( / г и і і / г к ) . |
( 3 . 2 1 ) |
|
Если задана |
требуемая длительность |
то |
из ф-лы (3.21) |
||
определяют |
тс = |
£Ипых/3 и затем после |
выбора |
транзистора и |
|
из ф-лы |
(3.26) определяют Си |
(Rn задано). |
|
Для расширения импульсов .можно использовать также эф фект насыщения транзистора. Длительность выходного импульса больше длительности входного (без учета фронтов) на время рас сасывания tv избыточного заряда, накопленного в базе во время действия входного кратковременного импульса. Чем больше сте пень насыщения, тем больше расширение импульса. Для увели чения ір усилители-расширители работают обычно при нулевом смещении.
3.4.ФОРМИРОВАТЕЛИ ИМПУЛЬСОВ
СКОНТУРАМИ УДАРНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ
Рассмотренный в разд. 1.5 колебательный контур ударного воз буждения применяется во многих устройствах формирования или генерирования импульсов, В некоторых из них такой контур воз-
224