Файл: Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства учебник.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.04.2024

Просмотров: 295

Скачиваний: 4

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Выбор параметров можно произвести, например, в следующем порядке. По допустимой длительности фронта /ф после выбора транзистора (т. е. величины

т а) и величин /д и

Ек

определяют

из ф-лы (3.15)

величину R K\ по заданной

длительности /и пых

из

ф-лы (3.14)

вычисляют С,

предварительно выбрав R,

например: R = R K. Как

было указано

в разд. 1.3, емкость С должна быть боль­

ше суммарной паразитной емкости

Со, шунтирующей R (которую здесь для

простоты не ввели в рассмотрение). Поэтому полученное из ф-лы (3.14) значе­ ние следует сравнить с С0 и при С ^ С0 увеличить С и соответственно изме­ нить R и RK.

Схема формирователя с укорачивающим трансформатором на выходе аналогична схеме ключа с трансформаторным выходом (рис. 2.29), рассмотренной в параграфе 2.3.2. Роль укорачивающей индуктивности играет индуктивность намагничивания L. Если вы­ брать параметры Rm L, Со так, чтобы обеспечить критический апе­ риодический режим, то на выходе (см. параграф 2.3.2) получим им­

пульс с длительностью, примерно равной 2л У LCo 3L/R'm, и ам­ плитудой Um вых = UmKn, где п = w2/wi — коэффициент трансфор­ мации, UmK — амплитуда импульса на коллекторной обмотке.

Выбор параметров приведен в разд. 2.3.2.

3.2.3. УСИЛИТЕЛИ-ФОРМИРОВАТЕЛИ С УКОРАЧИВАЮЩЕЙ ЦЕПЬЮ НА ВХОДЕ

Схема формирователя с RC цепью и соответствующие времен­ ные диаграммы приведены на рис. 3.16. В схеме формируется им­ пульс, имеющий короткие фронты и, благодаря использованию ре­ жима насыщения транзистора, плоскую вершину; последнее от­ личает этот импульс от импульса, формируемого в схеме с уко­ рачивающей цепью на выходе.

Рассматриваемая схема благодаря возможности формирова­ ния импульсов с фиксированными амплитудой и длительностью широко применяется для получения тактовых импульсов (анало­ гичное применение имеет схема с входным укорачивающим транс­ форматором, рассматриваемая ниже).

Принцип работы формирователя. заключается в следующем. В исходном состоянии транзистор заперт. При подаче отпираю­ щего перепада UmBX входного напряжения иах транзистор отпи­ рается, ток базы і'б после начального скачка убывает вследствие заряда конденсатора С. Предполагается, что отпирающий ток

базы — сильный сигнал и

коллекторный ток возрастает

практи­

чески по линейному закону;

за

время

коллекторный ток дости­

гает

уровня

/ ки« EK/RK

и

напряжение ии достигает

уровня

Щ<п ~

0.

оказывается

в

режиме

насыщения-—формируется

Транзистор

плоская вершина. По мере спада тока базы в ией происходит

рассасывание избыточного заряда; в момент

ig =

Іцп, но из-за

инерционности транзистор еще насыщен, и

только

в момент tn

220


транзистор выходит из насыщения н в дальнейшем благодаря смещению запирается (входное напряжение теперь уравновеши­ вается напряжением на конденсаторе). Д ля‘быстрого восстанов­ ления схемы после окончания входного импульса в схему вклю­ чается диод Д, через который быстро разряжается конденсатор С.

Рис. 3.16

Найдем основные

количественные

соотношения.

Полагая, что

во время короткого фронта 4 ток базы остается

постоянным и

равным

Ібпі, можно

записать

(см.

параграф 2.2.2) ^ ^ ^ 3-7^ ,

где таэ =

 

U

«_ Е"

 

m

тa + CKRK, I б,» = -

^ 0

; Rai — входное сопротивле­

ние транзистора в активном режиме; Ск — емкость коллекторного перехода.

Ток базы і 'б ( 0 согласно эквивалентной схеме рис. 3 .1 6 6 и с учетом ф-лы (1.5) изменяется по экспоненциальному закону:

_<_

М 0 = /б + ( / б т - / б ) е "С ,

221

где

7° = _ (Ra + Ѵ х ) ’ т с « С (Яг + /?вх)-

Зная ток базы и переходную характеристику транзистора (см. параграф 2.2.2), можно при помощи интеграла Дюамеля (или другим способом) определить закон изменения заряда Q(t) в базе и затем найти длительность вершины импульса (т. е. практи-

Рис. 3.17

чески длительность ія выходного импульса) путем разрешения отно­ сительно tu уравнения

Q (*„) = о.

(3.16)

Уравнение (3.16) — трансцендентное и решается графически.

Для грубой оценки длительности tn можно не учитывать инер­ ционность транзистора и предположить, что избыточный заряд после включения транзистора весьма быстро достигает макси­

мального уровня

(т. е.

что

ta{^> Зти, где тн

постоянная

времени

накопления: тн ^

«

ß t „ ) ,

и, кроме того,

предположить,

что

процесс рассасывания идет от момента to

до момента

t\

«

когда ТОК Іо (ta) «

/бп =

/кв/ß .

 

 

 

 

При этих предположениях согласно ф-ле (1.7)

 

 

 

 

 

КбІ + 7бт

 

(3.17)

 

tи — Тс

 

К І + Аби

Формула (3.17) позволяет выбрать величину постоянной вре­ мени тс укорачивающей цепи при заданном значении так как Яг задано и RBX определяется по характеристикам выбранного транзистора, то находим С — тс/(/?гҢЯВх).

222


Пример схемы формирователя с укорачивающим трансформато­ ром на входе и соответствующие временные диаграммы приведены на рис. 3.17. Принцип работы этой схемы не' отличается от ранее рассмотренной. И здесь в исходном состоянии транзистор заперт. При подаче отпирающего перепада напряжения транзистор отпи­ рается и ток базы после начального скачка (см. параграф 2.3.2), равного

у

nUm вх Е б

16m —

n*Rr + RBX '

падает по экспоненциальному закону

с

постоянной

времени

 

 

 

 

L

 

 

 

 

(3.18)

 

 

* г

+Квх/п?

 

 

 

 

 

 

где L — индуктивность

намагничивания,

практически равная

ин­

дуктивности первичной

обмотки

L\\

RBX— входное

сопротивление

транзистора в активном режиме п =

w2 /wi.

 

 

 

Длительность фронта $

и

длительность вершины

импульса

(практически длительность

импульса

ta) определяются

так

же,

как и в предыдущем случае:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Aj>

Таэ7кн//бп

 

 

 

 

 

 

tu ~

ІП

К

1+'б,п

 

(3.19)

 

I ^б

+^бн

 

 

 

 

 

причем здесь |/б| = Еб/Якх.

Выбор параметров может быть произведен в следующем порядке. Вначале из ф-лы (3.19) определяется TJ,, затем из (3.18) вычисляется L. Коэффициент трансформации п, как и в параграфе 2.3.2, выбирается, например, из условия

согласования .нагрузки (п = Y^Rax/Rr) или из условия получения на ней необхо­ димого перепада напряжения.

3.3. УСИЛИТЕЛИ-ФОРМИРОВАТЕЛИ РАСШИРЕННЫХ ИМПУЛЬСОВ

Иногда требуется увеличить длительность относительно корот­ ких импульсов, т. е. расширить их. Такую задачу можно решить при помощи рассматриваемых в последующих главах генераторов импульсов: мультивибраторов, фантастронных генераторов, бло- кинг-генераторов. Однако в ряде случаев для расширения им­ пульсов используется RC- или RL-цеаъ (в последнем случае — обычно импульсный трансформатор) в сочетании с усилителем.

Как следует из рассмотрения этих цепей в гл. 1, если входной сигнал — прямоугольный импульс, то при достаточно больших значениях постоянной времени т — RC (или т = L/R) выходной сигнал (т. е. напряжение на емкости С в /?С-цепи или на сопро­ тивлении R в RL-цетт) имеет форму треугольного импульса,

223


фронт которого практически равен длительности входного им­ пульса, а длительность

причем X

пых «

Зт,

(3 . 2 0 )

/„ пх-

расширенных импульсов

приве­

Пример

схемы формирователя

ден на рис. 3.J8; роль «расширяющей» емкости играют емкости нагрузки С „ и коллекторного перехода С , ( ; емкость Сі — раздели­ тельная.

В исходном состоянии транзистор заперт и нпь,х = 0- При воз­ действии отпирающего импульса с длительностью ЛІПХ напряжение на выходе и „ ы х возрастает по мере заряда емкости С „ ; в момент ^и~Лівх транзистор вновь запирается и напряжение на выходе

вследствие разряда «расширяющей» емкости падает по экспо­ ненциальному закону с постоянной времени порядка

 

 

т с = ( с „ +

с к ) ( / г и і і / г к ) .

( 3 . 2 1 )

Если задана

требуемая длительность

то

из ф-лы (3.21)

определяют

тс =

£Ипых/3 и затем после

выбора

транзистора и

из ф-лы

(3.26) определяют Си

(Rn задано).

 

Для расширения импульсов .можно использовать также эф­ фект насыщения транзистора. Длительность выходного импульса больше длительности входного (без учета фронтов) на время рас­ сасывания tv избыточного заряда, накопленного в базе во время действия входного кратковременного импульса. Чем больше сте­ пень насыщения, тем больше расширение импульса. Для увели­ чения ір усилители-расширители работают обычно при нулевом смещении.

3.4.ФОРМИРОВАТЕЛИ ИМПУЛЬСОВ

СКОНТУРАМИ УДАРНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ

Рассмотренный в разд. 1.5 колебательный контур ударного воз­ буждения применяется во многих устройствах формирования или генерирования импульсов, В некоторых из них такой контур воз-

224