Файл: Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства учебник.pdf

к разделению цепей запуска и обратной связи триггера; заметим, что при запертых диодах легче добиться и насыщения открытого транзистора триггера.

Для запирания диодов достаточно выбрать напряжение Е\ не­ сколько больше максимального базового напряжения открытого транзистора; поэтому в триггерах на германиевых транзисторах напряжение Еt выбирают по­ рядка 0,3 4- 0,5 В, а в тригге­ рах на кремниевых транзисто­ рах— порядка 0,7 1 В. При этом диоды цепей запуска за­ перты напряжением порядка 0,1ч- 0,5 В. Повышение напря­ жений, запирающих диоды, приводит к снижению чувстви­

тельности триггера.

Запуск триггера можно производить, запирая входным импульсом насыщенный тран­ зистор или открывая запертый транзистор (для чего приш­ лось бы изменить направление включения диодов и поляр­ ность напряжения £і). Однако предпочтительней запуск триг­ гера запирающими импульсами (т. е. положительными в слу­ чае транзисторов типа р-п-р и отрицательными в случае тран­ зисторов типа п-р-п). Это об­ условлено рядом факторов; отметим следующие.

Во-первых, при запуске от­ пирающим импульсом в цепи запуска проходит большой ток в течение всего времени дей­ ствия входного импульса. При запуске запирающим импуль­

сом входное сопротивление транзистора, на базу которого посту­ пает этот импульс, увеличивается по мере запирания и ток падает. Благодаря этому энергия, потребляемая от входного генератора, во втором случае меньше.

Во-вторых, при запуске отпирающими импульсами требуется большая емкость ускоряющих конденсаторов. Действительно, если,

лей в базе Т1 и запирание Тх обусловлены в основном током управ­

258

ляющего генератора et; транзистор же Т2 включается током за­ ряда ускоряющего конденсатора С3. При этом за время включе­ ния Т2 напряжение на конденсаторе С3 изменяется почти на ве­

случае, при запуске отрицательным импульсом, запертый транзи­ стор Т2 включается током управляющего генератора, а рассасы­ вание и выключение Т\ производятся током разряда ускоряющего конденсатора, при этом емкость С должна быть достаточной для вывода из базы Т2 заряда (s + 1) Qrp, т. е. С (s + l)Q rp/£n.

Следовательно, в этом случае емкость С ускоряющих конден­ саторов должна быть значительно больше, чем в первом случае, а увеличение емкости С приводит к увеличению времени восста­ новления схемы и ухудшению быстродействия триггера.

Сравнивая менаду собой схемы запуска, приведенные на рис. 4.8, следует заметить, что во многих случаях схема рис. 4.86, использующая импульсный трансформатор, является более бы­ стродействующей при одинаковых внутренних сопротивлениях ге­ нераторов входных импульсов напряжения и одинаковых ампли­ тудах импульсов, так как в этой схеме можно получить зна­ чительно больший ток, запирающий транзистор; поэтому в последней схеме процессы рассасывания заряда и запирания тран­ зистора протекают быстрее.

В быстродействующих триггерах вместо резисторов Ri и R2 (рис. 4.8а) в укорачивающих цепях схем запуска используют

Схемы раздельного запуска на коллекторы

Схема раздельного запуска на коллекторы, изображенная на рис. 4.9а, по принципу действия аналогична схеме рис. 4.8а.

Пусть транзистор Г, заперт. Тогда диод Д\ заперт напряже­ нием

Для повышения чувствительности триггера это напряжение не­ обходимо уменьшить, для чего в схему запуска добавляют рези­

£ Л > |“діобр| ток, запирающий насыщенный транзистор Т2, про­ ходит через конденсаторы Сt и С3, диод Д\ и базу транзистора Т2.

триггера при запуске на коллекторы значительно ниже чувстви­ тельности при запуске на базы, так как в первом случае ток в базу насыщенного транзистора проходит, кроме диода Д і и кон­ денсатора С1, еще через конденсатор С3. Чтобы этот ток умень­

На рис. 4.96 изображена схема триггера с запуском через до­ полнительные транзисторы 7"і и Т2, которые в исходном состоя­ нии заперты при помощи источника EQ. Е с л и транзистор Т3 в ис­ ходном состоянии заперт, то при отпирании транзистора Ті вход­

260

ным отрицательным импульсом напряжение на коллекторе тран­ зистора Гз уменьшается по абсолютной величине, что приводит в

ска оправдано тем, что резко повышается чувствительность триг­ гера. Такие схемы запуска применяются, в частности, в интеграль­ ных триггерах с непосредственными связями.

4.5.2. СХЕМЫ ОБЩЕГО ЗАПУСКА

Схемы общего запуска на базы

Схема общего (счетного) запуска на базы показана на рис. 4.10а. Пусть в исходном состоянии транзистор Т\ насыщен, «бі = —0,3 В, «кі = —0,1 В, а транзистор Т2 заперт, «б2 = + 0 ,5 В ,

ик 2 = —8 В. Тогда диод Д\ в исходном состоянии открыт, так как

жительный запускающий импульс пройдет только через диод Ді на базу насыщенного Т\ и вызовет опрокидывание схемы.

Казалось бы, в этой схеме есть опасность двойного срабаты­ вания триггера от одного входного импульса, если сразу после опрокидывания триггера откроется диод Д 2, а входной импульс

импульса, действующего на катод диода Д 2, тоже определяется временем разряда конденсатора С2 (через резистор R2, насыщен­ ный к этому моменту времени транзистор Т2 и генератор ej), то станет ясно, что двойное срабатывание триггера от одного вход­ ного импульса не произойдет.

261