Файл: Гольденберг Л.М. Импульсные и цифровые устройства учебник.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 09.04.2024

Просмотров: 293

Скачиваний: 4

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ламповых триггеров может значительно превосходить быстродей­ ствие транзисторных триггеров благодаря меньшей инерционности электронных ламп.

о)

6 )

Аналогом триггера с эмиттерной связью является ламповый триггер с катодной связью (рис. 4.276). Особенность схемы этого триггера заключается в том, что при реальных параметрах схемы для поддержания лампы Л 2 в запертом состоянии (при открытой лампе Лі) необходимо ввести дополнительный источник смещения Eg (в транзисторной схеме при насыщенном Т\ транзистор Т2 за­ перт благодаря падению напряжения на резисторе R3).

5

М у л ь т и в и б р а т о р ы

5.1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ

Для получения импульсов прямоугольной формы с крутыми фронтами широко применяются устройства, известные под назва­ нием релаксационных генераторов (релаксаторов). Релаксатор содержит, по крайней мере, один реактивный элемент, например конденсатор, емкость которого совместно с активными сопротив­ лениями определяет длительность генерируемых импульсов.

Скачкообразные изменения напряжений и токов в релаксато­ рах можно получить путем применения приборов с отрицательным сопротивлением: туннельных диодов, тиристоров, газоразрядных ламп и др. Однако наиболее широко применяются релаксационные генераторы, принцип работы которых основан на использовании электронных усилителей с положительной обратной связью.

Релаксационные генераторы, в которых для создания петли положительной обратной связи используется импульсный транс­ форматор, называются блокинг-генераторами. Они рассматри­ ваются в гл. 6. Релаксационные генераторы на туннельных диодах и тиристорах рассматриваются в гл. 9. В главе 5 рассматри­ ваются релаксационные генераторы, в которых петля положитель­ ной обратной связи создается при помощи резисторных усилитель­ ных каскадов. Такие релаксационные генераторы известны под названием мультивибраторов.

Любой релаксационный генератор может работать в одном из следующих режимов: 1) ждущем, 2) автоколебаний, 3) синхрони­ зации II деления частоты.

В ждущем (заторможенном, однотактном) режиме релакса­ ционный генератор работает как спусковое устройство с одним устойчивым состоянием равновесия. Внешний запускающий им­ пульс вызывает скачкообразный переход ждущего релаксатора в новое состояние, которое не является устойчивым. В этом со­ стоянии, называемом квазиравновесным, или временно устойчи­ вым, в схеме релаксатора происходят относительно медленные

ю *

291


изменения, которые в конечном итоге приводят к обратному скач­ ку, после чего восстанавливается исходное устойчивое состояние. Длительность состояния квазиравновесня, определяющая длитель­ ность генерируемого релаксатором прямоугольного импульса, за­ висит от параметров схемы релаксатора.

Таким образом, ждущий релаксатор генерирует только один импульс определенной длительности при воздействии на него внешнего запускающего импульса.

Основными требованиями к ждущим релаксаторам являются стабильность длительности формируемого импульса и устойчи­ вость его исходного состояния. Ждущие релаксаторы применяются прежде всего для получения определенного временного интервала, начало и конец которого фиксируются соответственно передним и задним фронтами генерируемого прямоугольного импульса. Ре­ лаксаторы в ждущем режиме применяются также для расширения импульсов, для деления частоты повторения импульсов и для других целей.

В автоколебательном режиме релаксационный генератор имеет

два состояния квазиравновесия и не имеет ни одного устойчивого состояния. Релаксатор в этом режиме без какого-либо внешнего воздействия последовательно переходит скачком из одного со­ стояния квазиравновесия в другое. При этом релаксатор генери­ рует импульсы, амплитуда, длительность и частота повторения которых (т. е. частота автоколебаний) определяется в основном только параметрами его элементов.

Релаксаторы в автоколебательном режиме можно использо­ вать в качестве задающих генераторов различных импульсных устройств. Основным требованием к таким генераторам является высокая стабильность частоты автоколебаний. Между тем в ре­

зультате изменений

питающих напряжений, смены и старения

ламп и транзисторов, воздействия других факторов

(температуры,

влажности, наводок

и т. п.) стабильность частоты

автоколебаний

релаксаторов обычно невелика.

 

Втех случаях, когда требуется высокая стабильность частоты колебаний, используются релаксаторы, работающие в режиме син­ хронизации или деления частоты.

Врежиме синхронизации частота повторения импульсов, гене­

рируемых релаксатором, определяется частотой внешнего синхро­ низирующего напряжения (синусоидального или импульсного), подаваемого в схему генератора. В частности, в режиме деления частоты релаксатор генерирует импульсы, частота повторения ко­ торых кратна' частоте синхронизирующего напряжения. Режим синхронизации или деления частоты релаксаторов рассматри­ вается в гл. 7.

Рассмотрим основные, чаще всего применяющиеся схемы муль­ тивибраторов, работающих в ждущем и автоколебательном режи­ мах. Методика анализа и расчета этих схем остается справедлн-. вой и для всех других схем мультивибраторов.

2.92


5.2.ЖДУЩИЕ МУЛЬТИВИБРАТОРЫ

СКОЛЛЛЕКТОРНО-БАЗОВЫМИ СВЯЗЯМИ

5.2.1.ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ И УСЛОВИЯ РАБОТОСПОСОБНОСТИ

И с х о д н о е с о с т о я н и е . На рис. 5.1 приведена схема жду­ щего мультивибратора с коллекторно-базовыми связями; она от­ личается от схемы симметричного триггера прежде всего тем, что связь между транзисторами Т\ и Т2 осуществляется при помощи

емкостно-резистивной

цепи C2 RG2 , а не резисторного делителя;

связь Т2 с Т[ остается

та­

кой же, как в триггере.

 

Принцип

работы

схемы

иллюстрируется временными

диаграммами

на рис.

5.2.

В исходном,

устойчивом,

со­

стоянии транзистор Т2 от­ крыт и насыщен, а транзи­ стор Г] заперт. Реализация этого режима обеспечивает­ ся выбором параметров схе­ мы. На базу транзистора Т2 подано прямое смещение от источника Е\ для схемы на транзисторах типа п-р-п на­ пряжение смещения поло­

жительно, а типа р-п-р — отрицательно. Во многих случаях источ­ ником прямого смещения Т2 служит источник коллекторного пи­ тания, т. е. Е = Еі;.

Для насыщения Т2 необходимо, чтобы выполнялось неравен­

ство г62 ~ E/R62 Ліиг/рйміш ~

-^к/Рг міш^к2 т.

е.

Еб2 ^

Рг мин^?к2 г •

(5.1)

Если Е = Е1{, условие (5.1)

принимает вид

 

Еб2 ^ Рг міш^к2-

(5.2)

Условие запирания транзистора Т\ будет таким же, как в сим­

метричном триггере:

 

Нб\ ^ ЕбЦкQi Макс-

(5.3)

При записи условий (5.1) и (5.3) мы пренебрегли малыми на­ пряжениями на коллекторе и базе насыщенного транзистора, т. е. считали последний эквипотенциальной точкой. Если такое предпо­ ложение недопустимо (например, Ек и Е — низкие напряжения порядка 3 -г- 5 В, а используется кремниевый транзистор, у кото­ рого напряжения на базе «бп~0,8В и на коллекторе нкы ~

293


0Д5 В), то

 

 

Іб2 :

Е — I и,б 2н|

>

Іу. І|2

Ек

- I

*к 2н

 

 

 

 

 

 

 

Еб2

 

Рз мин

 

Ргмнн^?к2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

откуда получаем условие насыщения

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Е - 1

‘6 2н

 

 

 

 

 

 

(5.4)

 

 

 

£ б 2 ^

Р г МИ11^ к 2

р _

“ к 211

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Как правило,

| ^ІШ| <

 

и уточненное условие (5.4)

принимает

*6'

 

X

 

 

 

 

при Е = £,( вид

 

 

 

 

 

 

 

 

 

•Кб2 ^

Рг 1

 

к2 (^

I

\/Ек).

 

 

 

 

 

 

 

 

!

мин£

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(5.5)

ѣ

 

- 1

 

 

 

 

Напряжения

на

коллекто­

 

 

S-------------

Ѵбі3

 

 

рах

транзисторов

в

исходном

и»

 

г ------;------

 

 

 

состоянии:

 

 

 

 

 

 

 

_________ ,

 

 

 

 

Мкі з

 

Е

к

/ к оі £ к1,

 

ит

 

 

 

1

 

 

 

 

І

 

 

 

 

 

 

 

 

Uy2

^к2 iii

 

(5 .6)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

итз

 

 

 

 

 

причем

 

часто

принимают

Чбі

* ' tH

 

 

 

 

«K21I =

0.

 

 

 

Сг

заряжен

Що)

 

 

 

 

 

до

Конденсатор

и пор

 

 

 

 

 

t

напряжения

»С2(0) = » кіз —

 

__1ий (- ) _

 

 

^б2н

=

 

( £ ц Л іО І^ к і)

Иб2н.

% /

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

З а п у с к и с о с т о я н и е

%

 

 

 

 

і

к ваз и р а в н о в е с и я .

В

ис­

1

 

 

 

 

ходном

состоянии

схема

нахо­

 

 

 

 

 

 

 

дится до тех пор, пока внеш­

и.и

 

 

 

 

 

 

ний

запускающий

импульс

не

 

 

 

 

 

 

 

вызовет

ее

опрокидывания

в

 

 

 

 

 

 

 

состояние

 

квазиравновесня.

 

 

 

 

 

 

 

Методы и схемы запуска жду­

 

 

 

 

 

 

 

щего

мультивибратора

анало­

^сг(о)

 

 

 

 

 

 

гичны методам и схемам раз­

 

 

Рис.

5.2

 

 

 

дельного

запуска

триггера.

в

 

 

 

 

 

В

результате

запуска

 

 

 

 

 

 

 

схеме

возникает

лавинообраз­

ный переходный процесс, завершающийся запиранием транзистора Т2 и отпиранием и насыщением транзистора 7У Этот процесс но­ сит такой лее характер, что и в триггере; длительность фронтов перепадов напряжения на коллекторах и базах транзисторов опре­ деляется по тем же формулам, что и в триггере, и поэтому здесь не рассматривается; на временных диаграммах рис. 5.2 для про­ стоты конечная длительность фронтов не учитывается.

В результате опрокидывания схемы в состояние квазиравнове­

сия напрялшние

на

коллекторе Т\ увеличивается скачком от

уровня «кіз (5.6)

до

Ыкіп ~

0, а напрялсение «еі на базе Ті стано­

вится отрицательным: «бі <

0.

294


Если предположить, что емкость С2 столь велика, что за время опрокидывания напряжение ис2(f) не меняется и остается рав­ ным Дсг(О), то окажется, что напряжение «б2 также увеличится скачком от исходного уровня и62а до уровня

«62(+ 0 ) » — «С2 ( 0 ) = (Ек / к о і - ^ к і ) + «62»•

( 5 . 7 )

Напряжение ик2 на коллекторе запирающегося транзистора Т2

уменьшится до уровня

«к2з ~ ( -

Ек +

«бі„ + /,<02^ 2) R

• При

/?,;2 получаем «к2з «

Ек +

«б|„ +

IK0 2 Rk2.

 

В состоянии квазиравновесия конденсатор С2 стремится пере­ зарядиться по цепи, показанной на рис. 5.3, от исходного значения

«сг(0)

до уровня

 

 

 

 

 

 

0

« С 2 ( ° ° )

=

+

( £ “ Ь

^ 6 2 ^ к

02 +

« к і

»)•

( 5 . 8 )

 

 

 

По

мере

 

перезаряда

конденсатора

 

0 %

напряжение на базе Т2 растет

(па­

 

дает

по

абсолютной

величине),

так

I

 

как

«62(0 =

 

«кіп — uC2

(t) ; «62(0

стре­

 

мится к уровню

 

 

 

 

 

Чбг

 

«62 (

° ° )

=

( £ +

/ к 02^ б з

) -

( 5 . 9 )

 

_L

Этот

процесс

длится

до

момента

 

Рис- 5-3

t — t„,

когда

«62(^іі)

становится

рав­

 

 

ным Ппор и отпирается транзистор Т2. Часто за порог отпирания

транзистора принимается напряжение

Ппор =

0; именно этот

слу­

чай изображен на рис. 5.2.

 

 

квазиравнове­

Условие насыщения транзистора Тх в состоянии

сия запишем в виде

 

 

(5.10)

 

ßlSIHH^'öl ^ ^ К І >

 

 

где г‘бі и г,;і — токи

базы и коллектора

Т\.

 

 

 

Как видно из схемы рис. 5.1, коллекторный ток ікі имеет две

составляющие: ток

(Ек — uliia)/R,a ~

EK/RKl

через

резистор

RK1

и ток ір разряда конденсатора С2; значение последнего ірМакс бу­ дет максимальным в начале режима квазиравновесия:

^'р макс1=1 ^к02

«С2(9)]/2

 

 

 

 

 

 

= ( Е Е

к -\-IK0 2 RÖ2

— IK0 1 RK1)/R6 2.

(5.11)

При Е Ек и /ц022 IKOIRKI ^

2Ек, «д2д

 

Ек

 

 

 

■•р макс

2E JR 62.

 

 

 

(5.12)

Следовательно,

ікі маКс = EK/Ria + ірмакс и, учитывая,

что

гбі ÄJ

Ä ; E J (R l<2 -f- R) EQ/RQU перепишем условие

насыщения

Tx (5.10)

в форме

 

 

 

 

 

 

РI мин1{ Я« + R ~ Ж

} ^

+

гр'шкс‘

 

(5ЛЗ)

295