Файл: Чайлдс Э. Физические основы гидрологии почв.pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 250

Скачиваний: 5

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

ниже EF, сосущая сила превышает ту, которая имеется на верхней границе капиллярной каймы, а почва с высотой становится все более и более ненасыщенной. Поэтому влагопроводность с высотой пони­ жается, и градиент потенциала, необходимый для поддержания по­ стоянства q, должен возрастать.

На рис. 12.1 это отражается в увеличении крутизны профиля на участке AB. Пока профиль остается менее крутым, чем OD и EF, сосущая сила продолжает возрастать, а влагопроводность — умень­ шаться с высотой, поэтому крутизна профиля продолжает увеличи­ ваться до тех пор, пока в некоторой точке В он не станет параллель­ ным OD. За точкой В любое увеличение крутизны должно прибли­ жать профиль к линии OÙ, т. е. уменьшать сосущую силу и увеличивать влагопроводность. Однако это несовместимо с уве­ личением градиента потенциала при неизменном q, а следовательно, невозможно. Точно так же уменьшение крутизны за точкой В под­ разумевает увеличение сосущей силы и понижение влагопровод­ ности, а это опять-таки несовместимо с уменьшением градиента потенциала при неизменном q. Следовательно, единственной возмож­ ной формой профиля потенциала за точкой В является прямая ВС, параллельная OD, поэтому сосущая сила, а следовательно, влаж­ ность и влагопроводность за этой точкой остаются постоянными. Вдоль участка ВС градиент потенциала постоянен и равен гра­ диенту линии OD, а именно

{d<&!dz)BC = d<$>1jdz —1.

(12.5)

Из закона Дарси следует,

что влажность при этом должна быть

такой, чтобы обеспечивать

влагопроводность Квс,

при которой

 

Я = К в с

( 12. 6)

На отрезке ОА при постоянных q и ÆHac чем больше q, тем больше должен быть, согласно уравнению (12.3), градиент потенциала dO/dz и тем круче должна быть линия ОА, К отрезку ВС применимо урав­ нение (1 2 .6 ), откуда следует, что чем больше q, тем больше должно быть Квс и влажность, а потому тем меньше должна быть сосущая сила. Следовательно, чем сильнее осадки q, тем ближе ВС должна лежать к OD. С увеличением крутизны участка ОА увеличивается его длина и величина z в точке пересечения с EF. Физический смысл этого состоит в том, что увеличение q приводит к утолщению капил­ лярной каймы. В конце концов непрерывное увеличение q приведет к профилю потенциала, который по всей своей длине следует OD при нулевой сосущей силе и полном насыщении на всех глубинах. Величина потока q„aKC при этом есть максимальная из тех, которые могут существовать без накопления слоя воды на поверхности. Этот максимальный поток определяется соотношением

?макс ~ ^нас (^Ф/dz)oB = EHSCdQ^i/dz — Кнас.

(12.7)

Если глубина почвенного профиля недостаточна, чтобы вместить весь изображенный профиль потенциала ОАВС, то будет наблю­


даться только та часть последнего, которая может вместиться в поч­ венный профиль.

Если количественная зависимость между влажностью и влаго­ проводностью известна и задана в форме таблицы или в виде эмпи­ рической математической формулы, можно вычислить точную форму профиля влажности. Комбинируя уравнения (12.3) и (12.4), полу­ чаем

q =- К (1 + dH/dz)

 

или

(12.8)

dz/dH = l/(q/K — 1).

В правой части есть только одна переменная К, зависимость кото­ рой от влажности с известна. Если при этом известна также история процессов сушки и увлажнения и можно выбрать кривую развертки для связи с с Н, легко определить зависимость К от Н. Например, если дождь или полив увлажняют совершенно сухую почву, то для связи Н с с и К можно использовать граничную кривую смачивания гистерезисной петли. Тогда нетрудно вычислить правую часть урав­ нения (12.8) при данном Н, а задавая различные значения Н, полу­ чить таблицу этой функции.

Интегрируя уравнение (12.8) от нуля (уровень грунтовых вод, где z и Н равны нулю) до z, где наблюдается сосущая сила Н, полу­ чаем

н

 

z = \ d H / ( q / K - 1).

(12.9)

о

 

Если зависимость К от Н можно выразить эмпирическим урав­ нением, то интегрирование иногда выполняется аналитически, однако в общем случае применяются численные или графические методы. Например, табулированные значения 1]{q]K — 1) изображают на графике в зависимости от переменной Н. Тогда интеграл из уравне­ ния (12.9) представляется площадью под линией графика, ограни­ ченной заданными пределами Н. При этом площадь измеряется в единицах, указанных на осях координат. Таким путем находят z, которому соответствует данное Н. Повторяя расчеты и определив достаточное количество значений z в заданном интервале Н, строят профиль давления.

Необходимо заметить, что при такой влажности, при которой К уменьшается до g, правая часть урайнения (1 2 .8 ) стремится к бес­ конечности и инкремент dz также становится бесконечно большим. Другими словами, сосущая сила и градиент влажности на поверх­ ности становятся равными нулю, а влагопроводность в соответствий с уравнением (1 2 .6) становится равной скорости впитывания.

Используя кривую развертки, можно перейти от давлений к влаж­ ности и построить профиль влажности. Так, Янге [176] вычислил профили влажности при различных скоростях нисходящего тока, показанные на рис. 12.4, использовав для этого материал, влажно­ стная характеристика которого изображена на рис. 1 2 .2 , а


зависимость влагопроводности от влажности — на рис. 12.3. Рису­ нок 12.4 убедительно показывает, насколько хорошо вычисленный профиль соответствует наблюдавшемуся.

Рис.

12.2. Влажностные характери­

Рис. 12.3. Зависимости между влагопро­

стики

сланцевой пыли

(1) и стек­

водностью и влажностью для сланцевой

 

лянных шариков

(2).

пыли (1) и стеклянных шариков (2).

Рис. 12.4. Стационарные профили влажности при просачивании воды к уровню грунтовых вод.

Линии — теоретические, крестики — эксперименталь­ ные данные, а — сланцевая

пыль,

б — стеклянные

ша­

рики.

1) q — 0,

2 )

Q=

= * W

10- *'> Ч =

* н ас/25.

3) g =

К иас/5 (9 — скорость

просачивания, К нас — ко­ эффициент насыщения).

Влажность, % от объема

12.3. Стационарный профиль влажности при испарении с поверхности

Хотя стационарное состояние при наличии непрерывных осад­ ков — случай, весьма маловероятный на практике, все же пред­ положение о зависимости скорости нисходящего тока от свойств почвы — вполне реально, тогда как вычисленные в предыдущем разделе профили по меньшей мере вероятны. Предположение же о восходящем потоке влаги, вызываемом испарением с поверхности, скорость которого определяется только метеоусловиями и не зависит от почвенных условий, является весьма нереальным, поскольку сухой поверхностный слой сам налагает ограничения на величину восходя­ щего потока, а потому и на испарение. Поэтому при попытках при­ менить анализ, изложенный в параграфе 1 2 .2 , к восходящему потоку


заданной величины q, можно потерпеть неудачу, так как невозможно существование профиля влажности, удовлетворяющего требованиям

задачи.

Примем, что рис. 12.5 есть эквивалент рис. 12.1, но для случая восходящего потока с постоянной скоростью q. Поскольку скорость потока V теперь равна + ?, закон Дарси запишется в виде

 

 

 

 

 

 

 

 

q =

—К dO/dz.

 

 

(12.10)

Так как и q, и К

положи­

 

 

 

 

 

тельны,

dOJdz

обязательно

 

 

 

 

 

отрицательно,

о

чем

свиде­

 

 

 

 

 

тельствует

наклон

профиля

 

 

 

 

 

потенциала на рис. 12.5. Как

 

 

 

 

 

и ранее, этот профиль начи­

 

 

 

 

 

нается

прямолинейным уча­

 

 

 

 

 

стком ОА,

идущим от начала

 

 

 

 

 

координат

до

пересечения

 

 

 

 

 

с EF в

точке А. За этой точ­

 

 

 

 

 

кой

ненасыщенность, увели­

 

 

 

 

 

чивающаяся

с

высотой

z,

 

 

 

 

 

требует

по той же

причине,

 

 

 

 

 

что

и

ранее,

увеличения

 

 

 

 

 

крутизны

профиля.

Однако

 

 

 

 

 

в данном случае

увеличение

 

 

 

 

 

крутизны приводит не к сбли­

 

 

 

 

 

жению профиля с линией OD,

 

 

 

 

 

а к отклонению от этой ли­

 

 

 

 

 

нии, и сосущая сила продол­

 

 

 

 

 

жает

возрастать со все

боль­

Рис. 12.5. Распределение

потенциала

шей

скоростью,

а

не

стре­

мится к предельному

значе­

ОА'В' в профиле при установившемся

движении воды от

уровня грунтовых вод

нию.

В

результате

сосущая

к испаряющей поверхности.

сила

может

устремляться

ОАВ — гипотетическое распределение

потенциа­

к бесконечности

на

уровне,

ла при усиленном испарении.

1

— поверхность испарения.

 

лишь немного превышающем

лежащем

весьма

далеко

от

поверх­

уровень

грунтовых

вод

и

ности почвы, например в точке В . Построить профиль влажности от уровня грунтовых вод до поверхности, на которой задана скорость испарения, практически невозможно, поскольку величины q, кото­ рыми приходится задаваться при этом, совершенно невероятны. При меньшей величине восходящего потока, требующей меньших градиентов потенциала во всех точках, получается иной профиль, например ОА'В'. Такой профиль, будучи продленным до поверх­ ности, по крайней мере вероятен.

Вычисляя подобные профили потенциала с помощью уравнения (12.9), Весселинг [171] рассчитал максимальные высоты над уровнем грунтовых вод, до которых при данных скоростях испарения может простираться стационарный профиль потенциала, или, другими словами, максимальную глубину уровня грунтовых вод, которая