Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

<7омакс « J ~ («О + <Po)V «макс ІСМ. Выражение (5.2)]

к максимальному мгновенному значению напряжения на

варакторе ыМ акс-

Приближенное выражение для вольткулоновой харак­ теристики варактора (5.3) может быть использовано лишь в случае, когда диапазон изменения напряжения в запертой области р-п перехода значительно превышает контактную

эквивалентная схема наряду с нелинейной емкостью С0(и) содержит последовательное активное сопротивление полу­ проводникового материала и контактов Rs и параллельную активную проводимость G0 . При запертом р-п переходе проводимость G0 мала и практически ее можно не учитывать. При открытом р-п переходе проводимость G0 связана с ем­ костью варактора соотношением C0 /G0 — Tv, где Tv —вре­ мя рекомбинации неосновных носителей заряда в полупро­ воднике — один из параметров варактора.

Простейшая эквивалентная схема (рис. 5.2) не отобра­ жает таких существенных эффектов, как влияние конечного времени восстановления запертого состояния р-п перехода [15—18] и индуктивности выводов варактора. Эффект влия­ ния конечного времени восстановления будет рассмотрен при анализе потерь мощности в варакторе. Влияние индук­ тивности выводов будет проанализировано в § 5.3 при рас­ смотрении схем варакторных умножителей частоты.

кость патрона диода и паразитная емкость монтажа. В этом

схему на рис. 5.3, а для того, чтобы удовлетворить услови­ ям эквивалентности схем на рис. 5.3, а и б (см. приложение 5.1), из которых следует

о

о-

Обобщенный, варактор

Согласно (5.5) емкость С д (рис. 5.3, а) в зависимости от величин С д ' и Сн '(рис. 5.3, б) может принимать различные значения, в том числе и заметно превышающие С в (Сд /Св > > 1). Отсюда, однако, не следует делать вывода, что при практическом построении варакторных умножителей ча­ стоты, подключая параллельно варактору дополнительную емкость С д , можно ограничиться одной лишь схемой, пред­ ставленной на рис. 5.3, а. На практике в этой схеме при боль­

области применимости схем, приведенных на рис. 5.3, можно разграничить в зависимости от величины С д :

причём в схеме рис. 5.3, бемкость С д характеризует согласно

рис. 5.3 (см. приложение 5.1), для целей анализа ограни­ чимся рассмотрением схемы на рис. 5.3, а при произволь­

гармонику. В свою очередь контур £ В Х , С В Х настроен на ча­ стоту, близкую к частоте первой гармоники, и препятствует прохождению в источник возбуждения колебаний высших гармоник. Таким образом анализ варакторного умножителя частоты сводится к рассмотрению воздействия на обобщен­ ный варактор, состоящий из собственно варактора и парал­ лельно включенной дополнительной емкости Сд, бигармонического заряда

q = Q0 - f QI cos со/ + QN C O S (NСО/ — ij>),

где со — частота возбуждения; \p — фаза, оптимальное зна­

= —cos в и относительную.амплитуду yV-й гармоники заряда

в виде положительных импульсов сложной формы, что вид­ но из примеров временнйх зависимостей, приведенных на

фазе на угол ± я / 2 относительно соответствующих гармоник