Файл: Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет.pdf

Динамическая характеристика зависит от подвижности носителей и.,. Эта зависимость проявляется наиболее зна­ чительно при небольших напряженностях поля в домене и

Траектория рабочей/почни, при-формировании Вомена

t

Рис. 8.8. Динамическая характеристика и зависимость А/ от t,

скоростях домена, близких к va. При больших напряженно­ стях электрического поля в домене и малых скоростях вне домена различие динамических характеристик при измене­ нии цг будет сказываться в меньшей степени.

В первый момент до образования в кристалле домена и при подаче на кристалл электрического поля с напряжен­ ностью, превышающей пороговую или равной пороговой, ток через кристалл будет соответствовать максимуму харак­ теристики скорость— поле (см. рис. 8.8). Ток через кристалл при сформировавшемся домене будет определяться динами­ ческой характеристикой » д ( £ д ) . Поскольку динамические характеристики зависят от подвижности носителей, ам­ плитуда переменной составляющей тока через кристалл А/ (см. рис. 8.7) также будет зависеть от подвижности. Чем

домена и концентрации электронов в области домена [17—19].

Если принять, что D = const и ид = v0, уравнение

Если v(E) задается анали­ тическим выражением, то вычисление интеграла вы­ ражения (8.29) не пред­ ставляет труда. Из урав­ нения (8.29) определяется п(Е) в слоях, обогащен­ ном и обедненном элект­ ронами. Подставляя зна­ чения п(Е) в уравнение Пуассона и разделяя пе­ ременные, получаем (8.24), откуда можно определить

п(у) или п(х).

ко к Еп), домен симметричен. При возрастании Ед и уменьшении Е0 электрическое поле в домене принимает асимметричную форму сглаженного треугольника. Симмет­ ричная форма напряженности электрического поля домена

в своей центральной части. Асимметрия, которая возникает при больших значениях £ д , связана с тем, что в обедненном

жения на области домена СЭП. Падение напряжения на области сильного электрического поля домена, называемое иногда потенциалом домена, равно

'д

Рис. 8.10. Зависимость напряженности электрического поля вне домена от потенциала домена.

жевслучаеО = const Е(х) имеет сложный вид (см. рис.8.9). Поэтому вольтамперные характеристики определяются чис­

Вольтамперная характеристика домена сильного поля — это динамическая характеристика, она имеет смысл для сфор­ мировавшегося домена сильного поля и во время движения его через кристалл от катода к аноду. В первый момент вре­ мени, пока домен не успел образоваться, ток через прибор определяется напряженностью электрического поля Еи. Для того чтобы была достигнута такая напряженность элект­

характеристика домена не описывает его поведения в про­ цессе формирования. Прямая ABL — приборная или нагру­ зочная прямая (ее наклон равен ML) справедлива для двух состояний кристалла — без домена (точка А) и со сформиро­ вавшимся доменом СЭП (точка В). Общее напряжение, при­ ложенное к кристаллу, распределяется между областями вне домена и доменом, т. е. выполняется равенство

никновения домена при фиксированной длине диода. При этом значении U потенциал домена равен Ua (точка В на рис. 8.10), а напряженность электрического поля вне до­ мена составляет Е0-

Если U > Ua, то нагрузочная прямая пересекает харак­ теристику домена в одной точке В'. Это значит, что в отсут­

ния потенциал домена растет, а напряженность электриче­