Файл: Прикладная электролюминесценция..pdf

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 99

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

Заряды, локализовавшиеся па уровнях примесей во время воз­ буждения, постепенно освобождаются под влиянием тепловых коле­ баний (переходы 3 и 3') *, некоторые из них встречаются с зарядами противоположного знака и воссоединяются с ними — рекомбинируют (переходы 4 и 4'), а остальные опять захватываются ловушками.

Рекомбинация

обычно

происходит

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в

местах

нарушения

 

правильной

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

кристаллической

решетки — ато­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мах примеси, пустых узлах решет­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ки, междуузедьных атомах и т. п.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Если

эти

центры

рекомбинации

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

способны превращать в свет выде­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ляющуюся при рекомбинации энер­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

гию, они называются центрами лю­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

минесценции, или центрами свече­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ния. Центры рекомбинации, не

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

обладающие

этой

способностью,

Рис.

1.1.

Схема

электронных

называются центрами тушения, так

переходов,

происходящих

при

как

 

энергия,

выделяющаяся

при

 

фотолюминесценции

кристалло-

рекомбинации

на

этих

центрах,

 

 

 

фосфоров:

 

 

превращается в тепло и тем самым

 

 

 

 

 

Ее — зона

проводимости;

£„ — ва­

безвозвратно

теряется

для люми­

лентная зона;

/ — ионизация центра

несценции.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

свободных

люминесценции

при

 

поглощении

 

Если

концентрация

кванта

 

возбуждающего

света;

/' —

зарядов того и другого

знака

до­

ионизация

атома

кристаллической

статочно

велика,

то

заметную

решетки (создание электронно-ды­

рочной

 

пары)

при

 

поглощении

роль может играть также реком­

кванта

 

возбуждающего

света;

2 —

бинация зарядов,

когда

они

оба

захват электрона ловушкой; 2' — за­

находятся

в свободном

состоянии

хват дырки ловушкой; 3 — освобож­

дение электрона из ловушки;

3'

(переход 5). В этом

случае обыч­

освобождение

дырки

из

ловушки;

но

тоже

происходит

 

испускание

4 — рекомбинация электрона с иони­

квантов света.

 

 

 

 

 

 

зованными

центрами

 

люминесцен­

 

Если

выключить

возбуждаю­

ции (она обычно приводит к испу­

 

сканию кванта света люминесцен­

щий свет,

то люминесценция будет

ции); 4’ — рекомбинация

свободной

продолжаться

в течение некоторого

дырки

с электроном,

 

локализован­

ным на

ловушке (она может не при­

времени (иногда очень длительно­

водить

 

к

испусканию

света);

5

го), постепенно ослабевая по ме­

рекомбинация

свободных

электрона

ре

истощения

запаса

разделенных

 

 

 

 

и дырки.

 

 

 

зарядов.

Для

рекомбинационного

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

механизма люминесценции харак­

яркости

за

время послесвечения:

терно

неэкспоненциальное

спадание

в начале послесвечения яркость спадает быстро, а затем все мед­ леннее и медленнее. Такую кривую невозможно охарактеризовать только величиной постоянной времени т. Поэтому надо очень осто­ рожно относиться к утверждениям, что люминесценция данного кристаллофосфора имеет данное т. Обычно это просто значит, что на некотором участке кривую затухания можно аппроксимировать экс­ понентой с этим т. Чтобы это утверждение приобрело смысл, необ­ ходимо выяснить, о каком интервале времени (или яркости) идет речь. Нередко хорошо выраженный экспоненциальный участок бы­

вает только в начале затухания, где яркость

спадает всего в 2—

3 раза, а дальше спад яркости замедляется.

 

* Межпримесной рекомбинацией мы для простоты пока пренеб­

регаем.

-

9



При. ОПИсаиМоМ йЫшё Механизме люмйнесцёйцйй прйчйна такого Замедления затухания заключается в следующем. Скорость реком­ бинации (т. е. число актов рекомбинации, происходящее в единицу времени) пропорциональна произведению концентраций рекомби­ нирующих «партнеров», например, локализованных дырок и сво­ бодных электронов (или свободных дырок и локализованных элек­ тронов). В результате рекомбинации происходит уменьшение кон­ центрации разделенных зарядов, по мере которого им становится все труднее «найти» друг друга, и поэтому они все большее число раз задерживаются на ловушках, прежде чем им удается реком­ бинировать.

В некоторых случаях, однако, экспоненциальный ход затухания наблюдается практически па всем протяжении послесвечения, т. е. при .изменении яркости на несколько порядков *. При рекомбина­ ционном механизме свечения это может происходить, если концент­ рация локализованных зарядов во время всего процесса почти не изменяется. Например, в полупроводнике, имеющем центры реком­ бинации (например, акцепторы) в количестве, в несколько раз боль­ шем, чем количество ловушек (доноров), большая часть центров рекомбинации будет занята дырками даже без всякого, возбуж­ дения. Поэтому во время возбуждения концентрация локализован­ ных дырок не может сильно измениться. Это. значит, что вероятность рекомбинации свободных электронов с локализованными дырками почти не будет изменяться в ходе послесвечения, а следовательно, не будет и замедления затухания, которое происходило в случае гиперболического затухания.

Иногда возможен также несколько иной механизм люминес­ ценции, но приводящий к качественно таким же результатам, как в первом из рассмотренных нами случаев. Дело в том, что даже когда электроны и дырки локализованы на примесях, они могут рекомбинировать друг с другом, минуя зону проводимости. Такой процесс называется межпримесной рекомбинацией. -При этом элек­ трон совершает так называемый туннельный переход от донора к акцептору (уровень акцептора обычно расположен ниже уровня донора). Этот переход может сопровождаться испусканием света. Вероятность перехода быстро убывает с ростом расстояния между донором и акцептором. Поэтому после прекращения возбуждения рекомбинация происходит сначала в «ближних» парах (т. е. в та­ ких, в которых донор и акцептор расположены близко друг к дру­ гу), а потом во все более дальних. Затухание свечения происходит при этом также по неэкспоненциальному закону, близкому к опи­ санному выше.

На далеких стадиях послесвечения, однако, обязательно насту­

пит

момент, когда непрорекомбинировавшими

останутся электроны

* В литературе нередко называют рекомбинацию «бимолекуляр­

ной»

в случае гиперболического затухания и

«мономолекулярной»

в случае экспоненциального. Однако в рекомбинации всегда участ­ вуют два партнера. Поэтому утверждение, что в каком-то случае она мономолекулярна, только запутывает дело. Кроме того, би­ молекулярной и мономолекулярной рекомбинацией отнюдь не исчер­ пываются все возможные случаи кинетики рекомбинации. Это —.все­ го лишь идеализированные крайние случаи. Все это показывает, что данные термины крайне неудачны. Поэтому мы ими пользоваться не будем, хотя они довольно широко распространены в литезатуре.

10


и дырки, локализованные на донорах и акцепторах, расположенных столь далеко друг от друга, что вероятность туннельного перехода заряда между ними станет меньше вероятности термического осво­ бождения одного из зарядов. Этот момент наступит тем1раньше, чем. выше температура крисгаллофосфора и чем мельче соответствующий уровень, т. е. чем больше вероятность освобождения локализованных зарядов. Начиная с этого момента, вероятность межпримесной ре­ комбинации перестанет определять длительность послесвечения и затухание пойдет по обычной рекомбинационной схеме, описанной выше.

но

В некоторых кристаллофосфорах возможен также принципиаль­

другой — нерекомбинационный •— механизм

люминесценции.

В

этом случае поглощение возбуждающего

света происходит

в центрах люминесценции и оно не приводит к освобождению за­ рядов. Энергия поглощенного кванта не выходит за пределы центра люминесценции и в нем же почти целиком превращается в энергию испускаемого кванта. В несколько измененном виде этот механизм люминесценции может быть в. некоторых случаях осуществлен также и при электровозбуждении.

Электролюминесценция

Электролюминесценция твердых тел была открыта в 1923 году О. В. Лосевым при изучении кристалличе­ ских детекторов из карбида кремния и правильно им объяснена, но интенсивные исследования этого явления начались лишь в пятидесятых годах.

Электролюминесценцией называется люминесценция, при которой светящееся тело черпает энергию непосред­ ственно из. электрического поля. Ее не следует смеши­ вать с катодолюминесценцией, широко применяемой в электронно-лучевых трубках и электронно-оптических преобразователях (ЭОП), где кристаллофосфор получает энергию от ускоренных электрическим полем электро­ нов, а не непосредственно от самого поля.

Свечение при электровозбуждении возникает обыч­ но тем же — рекомбинационным пли нерекомбинацион­ ным— путем, что и при фотовозбуждении. Различие .со­ стоит .главным образом в том, каким образом тело по­

глощает

энергию, а не’ в том,

как оно превращает ее

в свет.

"

,

.Так, при рекомбинационном

механизме свечения раз­

деление зарядов во время возбуждения происходит не под действием падающего света (фотолюминесценция) или быстрых электронов (.катодолюминесценция), а под влиянием приложенного к кристаллу электрического no­ li;


ля *. Как

будет

показано в дальнейшем, это приводит

к целому

ряду

особенностей электролюминесценции,

в частности к нелинейности многих свойств электролюминесцирующих кристаллов. Так, яркость электролю­ минесценции нередко зависит от напряжения экспонен­ циально, тогда как, например, яркость катодолюминесценции приблизительно пропорциональна напряжению**.

Нелинейны также электрические свойства электролюминесцирующих кристаллов. Это приходится учитывать при построении электрических цепей, в которых участ­ вуют злектролюминесцентные элементы. Электрические свойства кристаллов определяются концентрацией всех свободных носителей заряда, независимо от того, участ­ вуют они в электролюминесценции или нет. Поэтому при рассмотрении механизма электролюминесценции прихо­ дится учитывать не только процессы, приводящие к воз­ буждению или ионизации центров люминесценции, но и другие процессы, связанные с поглощением энергии и созданием в кристалле свободных носителей заряда.

Различают два вида электролюминесценции — инжекционную, возникающую, в частности, на р—п переходе, включенном в прямом направлении, и предпробойную, возникающую в сильных полях, близких к тем, при ко­ торых образуется электрический пробой***. Предпробойная электролюминесценция наблюдается, в частности, в порошкообразных цинксульфидных электролюминофо­ рах, погруженных в диэлектрик и помещенных между обкладками конденсатора в сильное переменное элек­ трическое поле. В настоящее время этот вид электро­ люминесценции применяется наиболее широко в элею тролюминесцентных устройствах. Поэтому мы и начнещ рассмотрение с него.

* Поле влияет, конечно, и на все последующие процессы, однако сущность их от этого не меняется, ■

■ ** Конечно, эта пропорциональность соблюдается не всегда, но зависимость более резкая, чем квадратичная, встречается очень ред-

до. Д ля электролюминесценции

же

характерна зависимость от на­

пряжения,

аппроксимируемая

5-й,, 8-й, а иногда и еще большей

Степенью:

,

' .

.

'

*** Следует сразу оговориться,

что оба эти названия в значитель­

ной степени условны, так как все многообразные процессы, происхо­ дящие во время электролюминесценции кристаллов, ^нельзя свести только к инжекций и пробою. Последние суть только наиболее ха­ рактерные частные случаи,

12