ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 99
Скачиваний: 2
Заряды, локализовавшиеся па уровнях примесей во время воз буждения, постепенно освобождаются под влиянием тепловых коле баний (переходы 3 и 3') *, некоторые из них встречаются с зарядами противоположного знака и воссоединяются с ними — рекомбинируют (переходы 4 и 4'), а остальные опять захватываются ловушками.
Рекомбинация |
обычно |
происходит |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
в |
местах |
нарушения |
|
правильной |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
кристаллической |
решетки — ато |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
мах примеси, пустых узлах решет |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
ки, междуузедьных атомах и т. п. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
Если |
эти |
центры |
рекомбинации |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
способны превращать в свет выде |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
ляющуюся при рекомбинации энер |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
гию, они называются центрами лю |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
минесценции, или центрами свече |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
ния. Центры рекомбинации, не |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
обладающие |
этой |
способностью, |
Рис. |
1.1. |
Схема |
электронных |
||||||||||||||
называются центрами тушения, так |
||||||||||||||||||||
переходов, |
происходящих |
при |
||||||||||||||||||
как |
|
энергия, |
выделяющаяся |
при |
||||||||||||||||
|
фотолюминесценции |
кристалло- |
||||||||||||||||||
рекомбинации |
на |
этих |
центрах, |
|||||||||||||||||
|
|
|
фосфоров: |
|
|
|||||||||||||||
превращается в тепло и тем самым |
|
|
|
|
|
|||||||||||||||
Ее — зона |
проводимости; |
£„ — ва |
||||||||||||||||||
безвозвратно |
теряется |
для люми |
||||||||||||||||||
лентная зона; |
/ — ионизация центра |
|||||||||||||||||||
несценции. |
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
свободных |
люминесценции |
при |
|
поглощении |
|||||||||||||
|
Если |
концентрация |
кванта |
|
возбуждающего |
света; |
/' — |
|||||||||||||
зарядов того и другого |
знака |
до |
ионизация |
атома |
кристаллической |
|||||||||||||||
статочно |
велика, |
то |
заметную |
решетки (создание электронно-ды |
||||||||||||||||
рочной |
|
пары) |
при |
|
поглощении |
|||||||||||||||
роль может играть также реком |
кванта |
|
возбуждающего |
света; |
2 — |
|||||||||||||||
бинация зарядов, |
когда |
они |
оба |
захват электрона ловушкой; 2' — за |
||||||||||||||||
находятся |
в свободном |
состоянии |
хват дырки ловушкой; 3 — освобож |
|||||||||||||||||
дение электрона из ловушки; |
3' — |
|||||||||||||||||||
(переход 5). В этом |
случае обыч |
освобождение |
дырки |
из |
ловушки; |
|||||||||||||||
но |
тоже |
происходит |
|
испускание |
4 — рекомбинация электрона с иони |
|||||||||||||||
квантов света. |
|
|
|
|
|
|
зованными |
центрами |
|
люминесцен |
||||||||||
|
Если |
выключить |
возбуждаю |
ции (она обычно приводит к испу |
||||||||||||||||
|
сканию кванта света люминесцен |
|||||||||||||||||||
щий свет, |
то люминесценция будет |
ции); 4’ — рекомбинация |
свободной |
|||||||||||||||||
продолжаться |
в течение некоторого |
дырки |
с электроном, |
|
локализован |
|||||||||||||||
ным на |
ловушке (она может не при |
|||||||||||||||||||
времени (иногда очень длительно |
водить |
|
к |
испусканию |
света); |
5 — |
||||||||||||||
го), постепенно ослабевая по ме |
рекомбинация |
свободных |
электрона |
|||||||||||||||||
ре |
истощения |
запаса |
разделенных |
|
|
|
|
и дырки. |
|
|
|
|||||||||
зарядов. |
Для |
рекомбинационного |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
механизма люминесценции харак |
яркости |
за |
время послесвечения: |
|||||||||||||||||
терно |
неэкспоненциальное |
спадание |
в начале послесвечения яркость спадает быстро, а затем все мед леннее и медленнее. Такую кривую невозможно охарактеризовать только величиной постоянной времени т. Поэтому надо очень осто рожно относиться к утверждениям, что люминесценция данного кристаллофосфора имеет данное т. Обычно это просто значит, что на некотором участке кривую затухания можно аппроксимировать экс понентой с этим т. Чтобы это утверждение приобрело смысл, необ ходимо выяснить, о каком интервале времени (или яркости) идет речь. Нередко хорошо выраженный экспоненциальный участок бы
вает только в начале затухания, где яркость |
спадает всего в 2— |
3 раза, а дальше спад яркости замедляется. |
|
* Межпримесной рекомбинацией мы для простоты пока пренеб |
|
регаем. |
- |
9
При. ОПИсаиМоМ йЫшё Механизме люмйнесцёйцйй прйчйна такого Замедления затухания заключается в следующем. Скорость реком бинации (т. е. число актов рекомбинации, происходящее в единицу времени) пропорциональна произведению концентраций рекомби нирующих «партнеров», например, локализованных дырок и сво бодных электронов (или свободных дырок и локализованных элек тронов). В результате рекомбинации происходит уменьшение кон центрации разделенных зарядов, по мере которого им становится все труднее «найти» друг друга, и поэтому они все большее число раз задерживаются на ловушках, прежде чем им удается реком бинировать.
В некоторых случаях, однако, экспоненциальный ход затухания наблюдается практически па всем протяжении послесвечения, т. е. при .изменении яркости на несколько порядков *. При рекомбина ционном механизме свечения это может происходить, если концент рация локализованных зарядов во время всего процесса почти не изменяется. Например, в полупроводнике, имеющем центры реком бинации (например, акцепторы) в количестве, в несколько раз боль шем, чем количество ловушек (доноров), большая часть центров рекомбинации будет занята дырками даже без всякого, возбуж дения. Поэтому во время возбуждения концентрация локализован ных дырок не может сильно измениться. Это. значит, что вероятность рекомбинации свободных электронов с локализованными дырками почти не будет изменяться в ходе послесвечения, а следовательно, не будет и замедления затухания, которое происходило в случае гиперболического затухания.
Иногда возможен также несколько иной механизм люминес ценции, но приводящий к качественно таким же результатам, как в первом из рассмотренных нами случаев. Дело в том, что даже когда электроны и дырки локализованы на примесях, они могут рекомбинировать друг с другом, минуя зону проводимости. Такой процесс называется межпримесной рекомбинацией. -При этом элек трон совершает так называемый туннельный переход от донора к акцептору (уровень акцептора обычно расположен ниже уровня донора). Этот переход может сопровождаться испусканием света. Вероятность перехода быстро убывает с ростом расстояния между донором и акцептором. Поэтому после прекращения возбуждения рекомбинация происходит сначала в «ближних» парах (т. е. в та ких, в которых донор и акцептор расположены близко друг к дру гу), а потом во все более дальних. Затухание свечения происходит при этом также по неэкспоненциальному закону, близкому к опи санному выше.
На далеких стадиях послесвечения, однако, обязательно насту
пит |
момент, когда непрорекомбинировавшими |
останутся электроны |
* В литературе нередко называют рекомбинацию «бимолекуляр |
||
ной» |
в случае гиперболического затухания и |
«мономолекулярной» |
в случае экспоненциального. Однако в рекомбинации всегда участ вуют два партнера. Поэтому утверждение, что в каком-то случае она мономолекулярна, только запутывает дело. Кроме того, би молекулярной и мономолекулярной рекомбинацией отнюдь не исчер пываются все возможные случаи кинетики рекомбинации. Это —.все го лишь идеализированные крайние случаи. Все это показывает, что данные термины крайне неудачны. Поэтому мы ими пользоваться не будем, хотя они довольно широко распространены в литезатуре.
10
и дырки, локализованные на донорах и акцепторах, расположенных столь далеко друг от друга, что вероятность туннельного перехода заряда между ними станет меньше вероятности термического осво бождения одного из зарядов. Этот момент наступит тем1раньше, чем. выше температура крисгаллофосфора и чем мельче соответствующий уровень, т. е. чем больше вероятность освобождения локализованных зарядов. Начиная с этого момента, вероятность межпримесной ре комбинации перестанет определять длительность послесвечения и затухание пойдет по обычной рекомбинационной схеме, описанной выше.
но |
В некоторых кристаллофосфорах возможен также принципиаль |
|
другой — нерекомбинационный •— механизм |
люминесценции. |
|
В |
этом случае поглощение возбуждающего |
света происходит |
в центрах люминесценции и оно не приводит к освобождению за рядов. Энергия поглощенного кванта не выходит за пределы центра люминесценции и в нем же почти целиком превращается в энергию испускаемого кванта. В несколько измененном виде этот механизм люминесценции может быть в. некоторых случаях осуществлен также и при электровозбуждении.
Электролюминесценция
Электролюминесценция твердых тел была открыта в 1923 году О. В. Лосевым при изучении кристалличе ских детекторов из карбида кремния и правильно им объяснена, но интенсивные исследования этого явления начались лишь в пятидесятых годах.
Электролюминесценцией называется люминесценция, при которой светящееся тело черпает энергию непосред ственно из. электрического поля. Ее не следует смеши вать с катодолюминесценцией, широко применяемой в электронно-лучевых трубках и электронно-оптических преобразователях (ЭОП), где кристаллофосфор получает энергию от ускоренных электрическим полем электро нов, а не непосредственно от самого поля.
Свечение при электровозбуждении возникает обыч но тем же — рекомбинационным пли нерекомбинацион ным— путем, что и при фотовозбуждении. Различие .со стоит .главным образом в том, каким образом тело по
глощает |
энергию, а не’ в том, |
как оно превращает ее |
в свет. |
" |
, |
.Так, при рекомбинационном |
механизме свечения раз |
деление зарядов во время возбуждения происходит не под действием падающего света (фотолюминесценция) или быстрых электронов (.катодолюминесценция), а под влиянием приложенного к кристаллу электрического no li;
ля *. Как |
будет |
показано в дальнейшем, это приводит |
к целому |
ряду |
особенностей электролюминесценции, |
в частности к нелинейности многих свойств электролюминесцирующих кристаллов. Так, яркость электролю минесценции нередко зависит от напряжения экспонен циально, тогда как, например, яркость катодолюминесценции приблизительно пропорциональна напряжению**.
Нелинейны также электрические свойства электролюминесцирующих кристаллов. Это приходится учитывать при построении электрических цепей, в которых участ вуют злектролюминесцентные элементы. Электрические свойства кристаллов определяются концентрацией всех свободных носителей заряда, независимо от того, участ вуют они в электролюминесценции или нет. Поэтому при рассмотрении механизма электролюминесценции прихо дится учитывать не только процессы, приводящие к воз буждению или ионизации центров люминесценции, но и другие процессы, связанные с поглощением энергии и созданием в кристалле свободных носителей заряда.
Различают два вида электролюминесценции — инжекционную, возникающую, в частности, на р—п переходе, включенном в прямом направлении, и предпробойную, возникающую в сильных полях, близких к тем, при ко торых образуется электрический пробой***. Предпробойная электролюминесценция наблюдается, в частности, в порошкообразных цинксульфидных электролюминофо рах, погруженных в диэлектрик и помещенных между обкладками конденсатора в сильное переменное элек трическое поле. В настоящее время этот вид электро люминесценции применяется наиболее широко в элею тролюминесцентных устройствах. Поэтому мы и начнещ рассмотрение с него.
* Поле влияет, конечно, и на все последующие процессы, однако сущность их от этого не меняется, ■
■ ** Конечно, эта пропорциональность соблюдается не всегда, но зависимость более резкая, чем квадратичная, встречается очень ред-
до. Д ля электролюминесценции |
же |
характерна зависимость от на |
||
пряжения, |
аппроксимируемая |
5-й,, 8-й, а иногда и еще большей |
||
Степенью: |
, |
' . |
. |
' |
*** Следует сразу оговориться, |
что оба эти названия в значитель |
ной степени условны, так как все многообразные процессы, происхо дящие во время электролюминесценции кристаллов, ^нельзя свести только к инжекций и пробою. Последние суть только наиболее ха рактерные частные случаи,
12