Файл: Прикладная электролюминесценция..pdf

Скачать файл
Заказать решение

ВУЗ: Не указан

Категория: Не указан

Дисциплина: Не указана

Добавлен: 10.04.2024

Просмотров: 100

Скачиваний: 2

ВНИМАНИЕ! Если данный файл нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам.

7. S a c k

E. A.

ELF — a new

electroluminescent display. — «IRE

National

Convention

Record», 1958,

part 3, p. 31—39.

 

8. Л я м и ч е в

И. Я., О р л о в

И. Н. Управление яркостью све­

чения в

цепи

«электролюминофор — сегнетодиэлектрик»

при исполь­

зовании

монокристаллического

ТГС. — «Техника кино

и телевиде­

ния», I960, № 11, с. 26—36.

 

 

 

9. Г л а и ц A. Slaboproudy

obsor, 1964. Термостабилизадия сег-

нетодиэлектрических элементов. № 2, с. 25—32.

 

10. Вопросы разработки электролюминесцентньгх индикаторных устройств и преобразователей изображения. — «Известия АН СССР. Сер. физ.», 1966, т. 30, № 4, с. 620—627. Авт.: В. А. К ы л а с о в , И. Я. Л я м и ч е в , И. Н. О р л о в , Г. Г. П е р ш и н , С. В. П е т е р и- м о в, Н. И. Т а б о р к о, М. В. Фок.

11. Л я м и ч е в И. Я., П е т е р и м о в С. В. Матричный элекгролюминеецентный индикатор. Авт. свидетельство № 189623 — «БИ», 1966, № 24.

12. С а в и с ь к о П. А., Ж е л н и ц к и й А. И. Синтез устройств управления визуальными индикаторами. — В кн.: Принципы и радио­ электронные средства управления визуальными знаковыми индикато­ рами. Киев, «Знание», 1967.

13. П о л я к о в А. К., Ф р о л о в А. Б., Ш и г и н А. Г. Исследо­ вание возможности создания выходного устройства вычислительной машины дискретного действия с использованием электролюминофо­ ров. — «Труды Московского энергетического института». Изд. МЭИ, 1964, вып. 53, с. 43—53.

14. Л я м и ч е в И. Я. Электролюминесцентный экран. Авт. сви­ детельство № 140821. — «БИ», 1961, № 17.

Кг л а в е 8

1.М е ш к о в В. В. Основы светотехники. Учебное пособие для ВТУЗов. Ч. 2, М. — Л., Госэнергоиздат, 1961.

2. Г е т ц с Г., Т е й л о р А. Новейшие применения вторичной электронной эмиссии на «прострел» для усиления яркости изображе­

ния. — В кн.:' Каскадные электроннооптические

преобразователи и

их применение. Под ред. М. М. Бутслова. М., «Мир», 1965, с. 430.

3.

Кир к

П а т р и к

П.,

П а с т т и Т. Рентгеновская микроско­

пия. — В кн.:

Рентгеновские лучи. Под ред. М. А.

Блохина. М.,

Изд-во иностранной литературы, 1960.

 

 

4.

К a z а п

В., N i с о 11

F. An electroluminescent

light — ampli­

fying

picture panel. — «Proc. IRE», 1955, v. 43, №

12, p.

1888.

5.

Г е р а с и м о в а

T. M., Л я м и ч е в И.

Я., О р л о в И. Н.

Электролюминесцентные преобразователи изображения и влияние характеристик фотопроводникового слоя на их параметры. — В кн.: Семинар «Физико-технологические вопросы кибернетики». Вып. 1. Киев. Изд. ИК АН УССР, 1968, с. 56.

6. К о h a s h i

Т., М i у a j 1 К.

EL—PC image intensifier uses

control — grid. — «Electronics», 1963,

v. 36, № 38, p. 30—32.

7. Л ю б и м о в

Э. H., С о р к я н

Ф. В. Электролюминесцентные

знаки в системах световой индикации. — «Светотехника», 1965, № 10, с. 14—15.

8. N i c o l l :F. Н., S u s s m a n A. Two-color input two-color oufput image panel. — «Proc. IRE», 1960, v. 48, p. 1842.

407

К г л а й е 9

1.

G r e e n b e r g

J. Electroluminescent display and logic

devi­

ces.— «Electronics»,

1961, March 24, p. 31.

 

 

2.

D i e m e r

G.

Opto-electronic. — «Philips Techn.

Rev.»,

1961,

v. 23,

p. 189.

 

 

 

 

3.

K a z a n B. A. feedback light-amplifier panel for

picture

stora­

ge. — «Proc. IRE»,

1959, v. 47, № 12.

 

 

4.

L o e b n e r

E. E. Solid-State optoelectronics. — «RCA Review»,

1959, v. 20, '№ 4, p. 715—743.

 

 

5. К вопросу об отображении информации на электролюмикесцентных экранах. — В кп.: Семинар «Физико-технологические вопросы кибернетики». Вып.1, Киев. Изд. ИК АН УССР, 1965, с. 4—29. Авт.: В. П. Д е р к а ч, Т. П. Ж и в к о в а , В. М. К о р с у н с к и й, Е. С. К о ­

те н к о .

6.Н о о k Н. О. Optical feedback type storage light intensifiers.— «RCA Review», 1959, v. 20, № 4, p. 744—752.

 

7. D i e m e r

G.,

K l a s e n s

H. A.,

van

S a n f e n

J.

G. Solid-

state image

intensifiers. — «Phillips Res. Rep.»,

1955, v. 10,

p. 491.

 

8. P ы в к и н

С. М. Фотоэлектрические явления

в

полупровод­

никах. М., Физматгиз, 1963.

 

 

 

 

 

«Техника»,

 

9. С в е ч п и к о в

С. В. Фотодвухполюсники. Киев,

 

1965.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

10. Ф о к

М.

В. Теория электролюминесцентных

преобразовате­

лей изображения. М., «Сов., радио», 1.961.

Н. И., Ф о к

М. В. Анализ пе­

 

11.

 

О р л о в

И. Н., Т а б о р к о

реходных характеристик бистабильного электролюминесцентного пре­

образователя

изображений. — В

кн.: Семинар

«Физико-технологиче­

ские вопросы кибернетики». Вып. 1. Киев. Изд. ИК АН УССР, 1968,

с.

3.

О р л о в

И. Н., Т а б о р к о

Н. И., Ф о к

М. В. Расчет пара­

 

42.

метров. двухэлектродного электролюминесцентного преобразователя изображений для случая нелинейной вольт-амперной характеристики фотопроводника.— В кн.: Семинар «Физико-технологические вопросы кибернетики». Вып. 1. Киев. Изд. ИК АН УССР, 1968, с. 44.

13. Л я м и ч е в И. Я., О р л о в И. Н., Т а б о р к о Н. И. О ко­ эффициенте передачи контраста в электролюминесцентном усилителе изображения. — В кн.: Семинар «Физико-техологические вопросы ки­ бернетики». Вып. 4. Киев. Изд. ИК АН УССР, 1968, с. 56—64.

14. Л я м и ч е в И. Я., Т а б о р к о Н. И. Влияние коэффициента передачи контраста на временные характеристики усилителя изобра­ жения.— В кн.: Семинар Физико-технологические вопросы киберне­ тики». Вып. 2, Киев. Изд. ИК АН УССР, 1969, с. 11—17.

15. Л я м и ч е в . И. Я., Т а б о р к о Н. И. Оценка параметров

•оптрона на основе характеристик электролюминесцентного усилителя без обратной оптической связи. — В кн.: Семинар «Физико-техниче­ ские вопросы кибернетики». Вып. 2, Киев, Изд. ИК АН УССР, 1969, с. 25—07.

16. Основы теории .цепей. М. — Л., «Энергия», 1965. Авт.: И. В. З е в с к е , П. А. Й о н к и н, А. В. Н е т у ши л, С. В. С т р а ­

хов.

basic element

17. R o s e n t h a l J. Theory and experiments on a

of a storage light amlifier. — «Proc. IRE», 1955, v. 43, №

12, p. 1882—

1886.

 

408

щее

18.

 

О р л о в

 

И. Н.,

Т а б о р к о

Н. И.,

Ф о к М. В. Запоминаю­

устройство

па

основе

фотоэлектрических

преобразователей.—

«Электронная техника. Сер. 4. Электроннолучевые и фотоэлектриче­

ские приборы»,

1968, вып.

5,

с. 205—215.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К г л а в е

10

 

 

 

 

 

1. Производство полупроводниковых приборов. Пер. с англ. Под

ред. Г. Д. Глебова. М., Оборонгиз, 1962.

 

 

 

 

tion

2.

W е i п s t е i n

М. A. Termodynamic limitation on the conver-

of

heat into

light. — «J.

Opt.

Soc.

Am.»,

 

1960, v.

50, № 6,

p. 597—602.

W. N. Characteristics

of a

GaAs

spontaneous infrared

 

3.

С a r r

source

with 40

percent

efficienty.— «J. EEE Trans.», 1965,

v. ED-12,

№ 10, p. 531—532.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4. Electronic News, 1967, v. 4, p. 595.

 

 

 

 

 

5.

G r i m m e i s s

 

H. G.,

S c h о 1z H. Efficiency of recombination

radiation

in

G aP .— «Physics

Lett.»,

1964,

v. 8, № 4, p. 233—235.

 

6. G r i m m e i s s

 

H. G.,

R o b e n a n

A., K o l l m a n s

H. Some

properties of p-n

 

junction

in

GaP. — «J.

Appl.

Phys.», Suppl, 1961,

v. 32, № 10, p. 2123—2124.

 

 

 

 

 

 

N e 1 s о n D. F. Electrical

 

7. G e r s h e

ns f ) n

M., L о g a n R. A.,

and electroluminescent properties of gallium phosphide diffused p-n

junctions.— «Phys. Rev.»,

1966, v. 149, №

2, p. 580—597.

излучения

 

8. Высокоэффективные

диодные

источники

красного

из GaP—«<ФТП»,

1968, т. 2, в. 7, с. 1055—1057. Авт.: В. М. Г р а ч е в ,

В. В. Е в с т р о п о в, Н. М. Е л и с е е в а и др.

 

 

 

 

9. L o g a n

R. A.,

W h i t е Н. G.,

Т г u m b о г е F. A. P-N junc­

tions

in

GaP

with

external electroluminescence efficiency 2% at

25 °C. — «Appl. Phys.

Lett.»,

1967, v.

10, № 7, p.

206—208.

 

10. P i l k u h n

M. H.,

F о s t e r

L. M. Green

luminescence from

solution-grown junction in GaP containing shallow donors and accep­

tors.— «IBM Journal»,

1966, v. 1©, № 2, p. 122—124.

в области

 

11. Bo n i f n

E. Л., В и a p д

Д. P. Новые достижения

полупроводниковых

излучателей

 

и

приемников. — «Электроника»,

1965, т. 38, № 25, с. 3.

 

a

high

temperature semiconductor. Oxford,

 

12. Silicon

carbide—

Pergamon Press,

1960.

 

 

 

 

 

 

 

1963. Авт.: С. А. Д о б р о -

 

13. Карбид кремния. Киев. «Техника»,

л е ж, С. М. З у б к о в а , В. А. К р а в е ц , В. 3. С м у ш к е в и ч ,

К. Б. Т о л п ы г о, И. Н. Ф р а н ц е в и ч .

 

 

 

 

 

14. Карбид кремния. Под ред. И. Н. Францевича. Киев. «Науко-

ва Аумка», 1966.

 

 

 

Г. Ф. Низковольтные электролюминесцентные

 

15. Х о л у я

н о в

 

индикаторы для транзисторных схем. Л., Изд. ЛДНП, 1965.

 

16. В и о л и н

 

Э.

 

Я-,

Хо л у я н о в

Г. Ф.

 

Рекомбинационное

излучение и

электрические

свойства

диффузионных р-n

переходов

в SiC. — «ФТТ»,

1964, т. 6, в. 2, с. 593—601.

 

 

 

 

17. Б л а н к

 

Ю.

С., В о д а к о в

Ю. А., М о с т о в с к и й А. А.

Некоторые результаты исследования электролюминесценции в р-n пе­

реходах

карбида

 

кремния. — «ФТТ»,

1963, т. 5,

в. 8, с. 2228—2229.

18.Gallium arsenide-phosphide used in 450 — f. 1. diode.— «Elec­ tronic Design», 1967, v. 15, № 22, p. 144.

19.O’C o n n o r J. A. F. Lab developing devices for light energy

coupling. — «Electronic News», 1964, v. 9, № 419. p. 5.

409

20. H i 1s u m C. Callium arsenide semiconductor lamps. — «Brit. Communs. and Electronics», 1963, v. 10, № 6, >p. 450—452.

21. Связь с помощью модуляции ИК-излучения диода из арсени­

да галлия. — «Электроника», 1963, т. 36,

№ 14,

с.

24.

Авт.:

К. Д. К э й е с , Т. М. К в и с т , Р. X. Р е д и к е р , М. Д.

Х у д с о н ,

К- Р. Г р а н д, Д. В. М а й е р .

gallium

arsenide

light-

22. H o l s c h e r Н. D. The application

emitting diodes to electronic distance measuring equipment. In: Elec­

tromagnetic

Distance Measurement,

1967,

Toronto,

Hilger

and

Watts,

p. 436—447.

diode makes

sound home

movies practical. — «Laser

Fo­

23.

SiC

cus», 1967, v. 3, № 3, p. 16.

J.

I.

Injection-luminescence

pum­

24.

О c h s S. A., P a n k o v e

ping of

a

CaF2—Dy2+

laser. — «Proc.

IEEE»,

1964, v.

52,

№

6,

p. 713—714.

Смотрите также файлы