ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 103
Скачиваний: 2
Предпробойная электролюминесценция изолированно го порошкообразного сульфида цинка в переменном электрическом поле была впервые обнаружена в 1936 'году Дестрио. Поэтому ее называют эффектом Дестрио *. Однако следует иметь в виду, что возможна также предиробойная электролюминесценциякристаллов, имеющих контакт с электродами, например, если к р—п переходу приложено достаточно большое напряжение в запорном направлении. Поэтому понятие предпробойной электро люминесценции шире понятия эффекта Дестрио.
1.2. МЕХАНИЗМ ПРЕДПРОБОЙНОЙ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
i; Распределение поля в кристалле
При выяснении механизма любой электролюминесценции, в том числе и предпробойной, необходимо ответить на следующие три
основных вопроса: |
. |
■1. Откуда берутся те электроны |
(или дырки), поглощение ко |
торыми энергии электрического поля приводит в конце концов к ис
пусканию света? |
|
поглощение энергии? |
||
2. |
Каким образом и где происходит это |
|||
3. |
Как эта |
энергия передается |
центрам |
люминесценции? |
Как видно |
из самого названия, |
механизм предпробойной элек |
тролюминесценции включает начальные стадии развития пробоя. Однако в отличие of пробоя для возникновения электролюминесцен ции достаточно, чтобы сильное электрическое поле существовало в небольшом объеме кристалла, например возле р—п перехода или просто на краю изолированного кристалла. Поскольку кристаллофосфоры имеют широкую запрещенную зону, их сопротивление обыч но бывает велико. Поэтому Детальной объем кристалла служит балластным сопротивлением, не дающим разриться пробою, Способ ному разрушить электролюмйнесцирующий кристалл. В то же вре мя слишком большая величина этого сопротивления приводит к падению на нем, сЛйшком большой части приложенного напряже ния. Поэтому на практике ;etc стремите# сделать как можно мень шим, так сказать, «балансируя на грани пробоя».
Концентрация электрического поля в небольшой части крИс; талла происходит в результате возникновения пространствённбгб заряда, который сосредоточен на ионизованных дбнбрйх; ёслй он положителен, или акцепторах-, если отрицателен. На рис. 1.2. изображено распределение зарйдё; поля и потенциала в кристаллё. Как видно, в области просТрайсТйёйнбгб заряда поле наибодуирё и постепенно спадает по мере йрбникновёнйй внутрь криста.>ьтау||§ж1
----------------- |
v |
|
* В дальнейшем |
, . |
? . 4 V - ' - v : ■ |
выяснилось, что при возбуждений |
5Яёктр6йю- |
минесценции по способу ДеёТрйб, кристаллики электролЮминофбрЙ нельзя рассматривать,'как йоЛностью изолированные, потому чтб
большую роль |
играет прохождение ■тока иа одного кристалла |
а другой. |
' Д ! |
13
Рис. |
1.2. |
Концентрация |
элек |
|||||
трического поля в кристалле: |
||||||||
/ — катод; |
|
2 — область |
простран |
|||||
ственного |
заряда; |
3 — остальная |
||||||
часть |
кристалла; |
4 — анод, |
.г — рас |
|||||
стояние |
от |
|
катода; |
q — плотность |
||||
пространственного |
заряда; |
^ — на |
||||||
пряженность |
электрического |
поля; |
||||||
ф — потенциальная |
энергия |
элек |
||||||
тронов |
в |
поле; |
U — приложенное |
|||||
напряжение; |
е — заряд электрона. |
|||||||
заряд |
|
распределен |
с постоять |
ной плотностью, то этот спад
идет |
по линейному закону). |
Вне |
области пространственного |
заряда поле во много раз мень ше, но все же не равно нулю. Оно определяется током, теку щим внутри кристалла, и оми ческим сопротивлением послед него.
Если в область сильного по ля попадет электрон (например, проникнув из электрода или освободившись туннельным путем с како
го-либо глубокого уровня), он может приобрести в этом поле такую энергию, что будет способен ионизировать центры люминесценции или даже кристаллическую решетку (рис. 1.3). В сильном поле, возможна также туннельная ионизация центров люминесценции и решетки (эффект Зияера).
В результате любого из этих процессов возникают разделенные электроны и дырки, которые могут рекомбинировать и при этом излучать свет. Как видно, эти процессы вполне аналогичны тем, которые происходят в начале электрического пробоя. Различие со стоит лишь в том, что при предпробойной электролюминесценции они не успевают развиться в полной мере из-за того, что свободные заряды выходят из области сильного поля. Дальнейшее описание преднробойной электролюминесценции требует уже конкретизации условий возбуждения, так как ответы на поставленные выше три вопроса могут быть весьма различны. •
Возбуждение постоянным напряжением
'Возбуждение предпробойной электролюминесценций .постоянным напряжением осуществляется тогда, когда возможно сквозное про хождение тока через кристалл и когда некоторые барьеры в кри сталле оказываются включенными в запорной направлении. Таким барьером может служить р—п переход в толще кристалла или пОве^ностный барьер, Возникающий. в месте контакта с соседним кристаллом или электродом. Например при электролюминесценции Монокристаллов ZnO, имеющих контакт с металлическими электро дами,* барьер возникает в результате адсорбции газов на поверхности кристаллов,- Ето можно уничтожить, прогревая кристалл в вакууме, чтобы удалить адсорбированные молекулы. Вместе с барьером исче зает способность К электролюминесценций; После выдержки на воз духе свойства кристалла восстанавливаются.
Как показал Й. К. Верещагин с сотрудниками [1,, 2], в области барьера в этом случае происходит ударная ионизация, вызванная электронами, проникающими из электрода. По мере роста прило
женного |
напряжения возрастает вероятность |
ионизации, а |
вместе |
|
с тем и коэффициент размножения |
свободных электронов, т. е. от |
|||
ношение среднего числа электронов, |
выходящих из области сильного |
|||
поля, к |
числу электронов, проникающих в |
нее сквозь |
барьер |
Рис. 1.3. Электронные переходы, происходящие в сильном электри ческом поле:
а — туннельные (и связанные с ними) переходы; 6 — переходы под действием
ударов высокоэнергетических электронов.
1 — ионизация ловушек; 2 — ионизация центров люминесценции; 3 — ионизация кристаллической решетки; 4 — проникновение электронов из электрода сквозь (4' — поверх) потенциальный барьер; еф — высота потенциального барьера.
Наклонными стрелками указано изменение энергии электронов и дырок под действием электрического поля. Наклон определяется потерями энергии из-за взаимодействия с кристаллической решеткой (рассеяния на фононах, примесях
и т. п.); Ес — дно зоны проводимости; |
Ev — потолок |
валентной зоны; Е с — |
|
|
ширина запрещенной зоны. |
|
|
(рис. 1.4). Эта величина выбрана |
гак, что если ударной ионизации |
||
не происходит, то коэффициент |
размножения равен единице, так |
||
как число |
входящих электронов |
равно числу |
выходящих. Вместе |
с ростом |
коэффициента размножения возрастает яркость свечения, |
а также ток через кристалл. Однако не все приложенное внешнее напряжение сосредоточено в области барьера, таккак заметная доля его идет на преодоление омического сопротивления остальной части кристалла. С ростом тока эта доля увеличивается, а напря жение на барьере достигает насыщения. Яркость после этого про должает расти приблизительно пропорционально току, а ток растет с увеличением общего приложенного напряжения, значительно более
резко, чем линейно. |
. |
. |
К. п. д., или, как его обычно называют, энергетический выход |
||
электролюминесценции, |
при таком |
способе возбуждения обычно |
15
бывает очень мал, так как излучательные рекомбинации должны происходить в области сильного поля, а при большой энергии носи телей заряда рекомбинации гораздо менее вероятна чем то, что носитель заряда пролетит сквозь область сильного поля и уйдет в электрод. Только если в кристалле имеемся несколько барьеров,
расположенных таким образом, что при приложенном внешнем |
на |
|||||||||||
0, |
|
|
|
|
|
|
пряжении они оказываются вклю* |
|||||
|
0 |
|
|
|
|
ченными последовательно и притом |
||||||
©, |
|
|
|
|
|
в запорном |
направлении, |
к. п. д. |
||||
|
|
|
|
|
|
может быть не мал, так как элек |
||||||
|
|
- — |
|
|
|
= |
} ' |
троны, возникшие в одном барье |
||||
|
|
|
|
|
|
‘ |
~u |
ре, могут встретиться с дырками, |
||||
|
|
|
|
|
|
возникшими в другом, и рекомби |
||||||
|
|
■‘IS! |
© |
|
• " |
j |
нировать с ними в области между |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
|
барьерами, где электрическое поле |
||||
ос |
|
Л |
|
|
* |
- |
невелико. |
|
|
|
||
|
|
|
Особый случай свечения в по |
|||||||||
Рис. |
1.4. |
Размножение |
элек |
стоянном поле представляет собой |
||||||||
свечение |
электролюминофоров |
|||||||||||
|
|
|
тронов: |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
ZnS—Мп, потому что у них возмо |
|||||||
а — источник |
|
электронов: |
(5 — |
|||||||||
|
жен Механизм люминесценции не |
|||||||||||
область сильного |
поля; |
у ~ осталь |
||||||||||
ная |
часть |
кристалла; |
а — электрон |
рекомбинационного типа. При элек |
||||||||
не |
ионизовал; |
б — электрон |
иони |
тровозбуждении этот механизм |
со |
|||||||
зовал |
один |
раз; |
|
в — электрон |
иони |
стоит в том, что Мп в ZnS |
возбуж |
|||||
|
|
зовал |
два раза. |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
дается электронным ударом. |
По |
этому в отличие от рекомбинацион ной электролюминесценции малая вероятность рекомбинации р об ласти сильного поля не сказывается на коэффициенте полезного действия. Если концентрация Мп достаточно велика, то к. п. д. свечения в постоянном поле может быть больше, чем к. п. д. ре комбинационной люминесценции.
Возбуждение переменным напряжением
)
Возбуждение переменным напряжением имеет ту особенность, что для него не требуется сквозного тока, а следовательно, и не посредственного контакта с электродами. Бесконтактное возбуждение предпробойной электролюминесценции применяется в настоящее время наиболее широко. Обычно для наблюдения эффекта Дестрио порошкообразный электролюмикофор погружают в какой-нибудь органический диэлектрик и эту смесь помещают в переменное элек трическое поле между обкладками конденсатора, одна из которых прозрачна. Такой конденсатор называется электролюминесцеятным
(ЭЛК).
|
В первом |
приближении можно считать, что в ЭЛК сквозной ток |
|||||
отсутствует*, |
т. е. что заряды, |
разошедшиеся |
на |
концы |
кристалла |
||
за |
время одного |
полупериода, |
возвращаются |
в |
толщу |
кристалла |
|
за |
время следующего. Это приводит к тому, что они могут реком |
||||||
бинировать друг |
с другом не обязательно в области сильного поля. |
*' На самом деле слабый сквозной ток все же имеется. Интерес но, что он нередко бывает направлен преимущественно в одну сто
рону,, так что ЭЛК оказывается обладающим выпрямляющими свой
ствами.
16
Не успевшие прорекомбипиройать, а также вновь Возникшие Свобод* ные носители заряда снова разводятся электрическим полем на концы кристалла с тем, чтобы в следующий полупериод опять устремиться навстречу друг другу. Таким образом, дважды за пе риод напряжения свободные носители заряда встречаются друг с другом. В результате получаются две вспышки свечения за период Приложенного напряжения.
Поскольку при таком способе |
возбуждения носители заряда, |
не успевшие лрорекомбинировать |
во время одного полупериода |
напряжения, имеют возможность встретиться вновь, к. п. д. эффекта Дестрио значительно выше, чем к. п. д. предпробойной электро люминесценции, возбуждаемой постоянным напряжением. Однако и к. п. д. эффекта Дестрио. невелик: в свет превращается всего не сколько процентов подводимой энергии.
Основные характеристики
Прежде всего заметим, что если фотолюминесцентные свойства характеризуют только вещество, то электролюминесцентные свойства характеризуют в такой же мере вещество, как и устройство' Происходит это пото му, что электролюминесценция всегда связана с про хождением тока. Поэтому она зависит от того, возможно ли в данной системе сквозное прохождение тока и ка ковы условия на контактах.
При исследовании электролюминесценции обычно рассматривают следующие характеристики:
1. Зависимость яркости от величины возбуждающего напряжения. В тех случаях, когда возбуждение ведется постоянным напряжением, обычно рассматривается так же зависимость яркости от тока. При возбуждении пере менным напряжением рассматривается зависимость яркости от частоты.
2.Спектр свечения. Он также зависит от условий возбуждения и, прежде всего, от частоты.
3.Энергетический выход, т. е. отношение мощности, испускаемой в виде света, к электрической мощности, поглощаемой ЭЛ К или кристаллом. Иногда вместо энер гетического пользуются квантовым выходом, т. е. отно шением числа испускаемых в единицу времени квантов
кчислу электронов, проходящих за это время через электролюминесцирующее устройство. Для характери стики источника видимого света, предназначенного для восприятия глазом, а не прибором, пользуются величи ной, называемой светоотдачей, т. е. отношением светового потока в люмен [етлх)щаедо_и_мощности в ват-
2 -419 |
1 |
17 |