ВУЗ: Не указан
Категория: Не указан
Дисциплина: Не указана
Добавлен: 10.04.2024
Просмотров: 167
Скачиваний: 2
t'ocfь Даров. Повышенное атмосферное давление не влия ет на1 эксплуатационные характеристики ЭЛК.
Влияние механических нагрузок. Требования к меха ническим свойствам ЭЛК (вибропрочность, виброустой чивость, ударная прочность) определяют принципы кон структивного выполнения электролюминесцентных при боров, но не накладывают ограничений на выходные яркостные характеристики. Принятые в настоящее вре мя типовые конструкции обеспечивают выполнение этих требований в широком диапазоне нагрузок.
Влияние ионизирующих излучений. В конструкции электролюминесцентных приборов применяются элемен ты, в состав которых входят следующие четыре класса материалов: металлы (металлический электрод, арма тура), неорганические материалы (стеклянное основа ние), органические диэлектрики (связующее, гермети ки), полупроводники (Sn02, электролюминофор). Среди этих материалов металлы наименее чувствительны к ра диации, так как им свойственна высокая концентрация свободных носителей и их свойства мало зависят от на личия дефектов решетки. Наиболее чувствительны к воз действию ионизирующих излучений полупроводники и органические материалы. Дозы космических ионизирую
щих излучений, |
при которых происходит заметное изме- |
||||
|
|
|
Т а б л и ц а |
4.11 |
|
|
Предельные дозы радиации |
|
|
||
Материал |
Свойства |
|
Доза, рад |
Примечание |
|
Керамика |
Оптическая |
прозрач |
10е—10*° |
|
|
|
ность |
|
|
|
|
Стекло |
Механические, |
элек^ |
10" |
|
|
|
трические |
|
|
|
|
Металлы |
Механические, |
элек |
10,г |
1 рад = |
|
|
трические |
|
|
||
|
|
|
|
=0,01 |
Дж/кг |
Пластмассы |
Оптическая |
прозрач |
10«—1011 |
|
|
|
ность |
элек |
10’—Ю10 |
|
|
|
Механические, |
|
|
||
|
трические |
|
|
|
|
Полупроводники |
Неосновная |
электро |
Ю5—10е |
|
|
|
проводность |
|
|
|
|
13* |
|
|
|
|
195 |
нёние свойств материалов, представлены в табл. 4.11 [23].
В результе воздействия ионизирующих излучений на полупроводниковые материалы изменяются: проводи мость, время жизни неосновных носителей, подвижность носителей. При воздействии излучений на органические изоляционные и диэлектрические материалы изменяют ся: электрическая проводимость, диэлектрическая про ницаемость и тангенс угла потерь. Неорганические мате риалы (керамика, стекло и др.) менее чувствительны к воздействию радиации. Реакция электролюминеецентных приборов на воздействие ионизирующих излучений может быть более сложной, чем реакция материалов, в связи с тем, что в состав прибора входит несколько ви дов различных материалов, в которых могут происхо дить под действием ионизирующих излучений различные процессы, при этом возможно влияние одного процесса на другой.
Проведены исследования: влияния у-облучепня на
яркостные характеристики стандартных |
порошковых |
электролюминофоров: ЭЛ-5 ЮМ, ЭЛ-515, |
ЭЛ-455С, |
ЭЛ-580М, ЭЛ-650, ЭЛ-670, ЭЛС-510, ЗЛС-580, ЭЛС-650;
влияния у-облучення на коэффициент пропускания сте кол с прозрачным проводящим слоем Sn02 и органи ческого стекла с прозрачным проводящим слоем Cu2S; изменения яркостных характеристик ЭЛК па стеклян
ном основании |
с люминофорами ЭЛ-515М, |
ЭЛ-455 |
в пластическом |
диэлектрике ВС-530 под |
влиянием |
у-облучения и ЭЛК на основе органического триплекса с люминофором ЭЛ-515М в пластическом диэлектрике ВС-530. В ходе испытаний ЭЛК подвергались воздейст вию у-излучения мощностью 100 рад/ч и 500 рад/ч до суммарной дозы 300 рад, мощностью 100 рад/с до дозы
0,15 Мрад,_0,25 Мрад и 0,5 Мрад.
В процессе эксперимента на время измерений к ЭЛК прикладывалось возбуждающее напряжение. Яркость свечения ЭЛК измерялась фотоумножителем, помещен ным в свинцовую оболочку, коэффициенты пропускания подложек — микрофотометром, яркость порошковых электролюминофоров—до и после облучения в жид ком диэлектрике. В результате проведенных экспери ментов установлено следующее:
— яркость свечения порошковых электролюминофоров, после облучения суммарной дозой 0,5 Мрад прак-
196
тически не изменяется по сравнению с величинами, полученными до облучения;
— стекло с проводящим покрытием Sn02 при облу чении у-излучением мощностью 100 и 500 рад/ч до дозы 300 рад нс изменяет коэффициента пропускания. Умень шение коэффициента пропускания слоя Sn02 наблюда ется при дозе 0,25 Мрад. Само стекло темнеет при дозе 0,5 Мрад (мощность дозы 100 рад/с);
—органические подложки с прозрачным проводя щим слоем Cu2S при тех же дозах облучения коэффи циента пропускания не изменяют;
—свечение ЭЛК под действием только ионизирую щего у-излучения без электровозбуждения при мощно сти дозы 100 и 500 рад/ч отсутствует;
—яркость ЭЛК при электрическом возбуждении и при мощности дозы 100 и 500 рад/ч практически не за висит от у-облучения;
—облучение ЭЛК на стеклянном основании до сум марной дозы 0,15 Мрад не приводит к заметному изме нению величины выходной яркости;
—яркость свечения ЭЛК, изготовленных на орга нических подложках, не изменяется при облучении у-излучением до суммарной дозы 0,5 Мрад;
—облучение ЭЛК у-лучамп при мощности излуче ния 100 рад/с до суммарной дозы 0,25 и 0,5 Мрад при
водит к снижению уровня выходной яркости (табл. 4.12) из-за уменьшения пропускания стекла и слоя Sn02.
Т а б л и ц а |
4 . 1 2 |
Влияние излучения на яркостные характеристики ЭЛК
Тип люми |
Цвет свечения |
до о5лу- |
нофора |
||
|
|
ч°нич |
Э Л - 5 1 5 М |
З е л е н ы й |
1 7 , 0 |
Э Л - 1 5 5 |
С и н и й |
1 4 ,1 |
ЯрКССТЬ, отн. ед.
после облучения до суммарной дозы
0,15 Мрад |
0,25 Мрад |
0,5 Мрад |
1 7 , 0 |
1 6 , 0 |
1 2 , 0 |
1 4 , 0 |
1 3 , 0 |
8 , 5 |
Однако эти изменения выходной яркости практически не оказывают существенного влияния на эксплуатацион ные характеристики электролюминесценции приборов.
197
Увеличение надежности электролюминесцентнык приборов по мгновенным отказам
Анализ мгновенных отказов электролюминесцентных приборов показывает, что вероятность мгновенного от каза по пробою ЭЛК превышает вероятность ближай шего к нему мгновенного отказа, связанного с потерей электрического контакта в индикаторе. Имея в виду высокие поля в рабочих режимах ЭЛК, следует считать появление пробоев весьма вероятным (одна из гипотез старения сводилась к накоплению локализованных мик ропробоев). Электрический пробой является заверше нием идущих в слое электролюминофора процессов ста рения и износа. В общем случае эти процессы могут быть сходными с процессами, приводящими к постепен ным отказам, но судя по времени их проявления отли чаются от них гораздо большей интенсивностью. Уско рение процессов может быть объяснено наличием в слое электролюминофора локальных неоднородных образова ний, допускающих зарождение и развитие электриче ских лавин под действием приложенного напряжения, Что в конечном счете приводит к образованию канала пробоя. В ходе исследования отказавших индикаторов и искусственно пробитых приборов были обнаружены проводящие каналы, вольт-амперная характеристика которых была линейна, сопротивление в холодном со стоянии составляло около 104 Ом.
Для увеличения надежности индикаторов по мгно венным отказам, связанным с пробоем, представляет интерес изучение образования проводящих мостиков. К сожалению, в настоящее время отсутствует эффек тивный метод обнаружения в промышленных образцах до момента пробоя потенциально слабых мест, связан ных с локальными неоднородностями слоя электролюми нофора. Эти неоднородности могут быть образованы цепочкой кристалликов люминофора, закорачивающей электроды, инородным включением, диффузией серебра из электрода в слой и т. д.
Изучение особенностей электрического режима воз буждения индикаторов показывает, что разрушение при пробое может проявляться в широком диапазоне явле ний от образования невидимого глазом проводящего мостика до полного механического разрушения всей конструкции индикатора. Степень разрушения определя-
198
с пробоем, можно достичь введением дополнительного слоя между слоем люминофора и металлическим элек тродом и увеличением толщины слоя люминофора за счет применения связующего диэлектрика с повышен ной диэлектрической проницаемостью при сохранении яркости свечения и режимов возбуждения. Применяя
известную |
методику расчета | 1 ] распределения |
напря |
женности |
поля между компонентами слоя к |
расчету |
Рис. 4.18. Зависимость пробив- |
Рис. 4.19. Зависимость предель |
ного напряжения от частоты |
иых величии яркости от часто- |
приложенного напряжения. |
ты возбуждающего напряже |
|
ния. |
слоев с разным связующим диэлектриком (si, e2) и раз ной объемной концентрацией люминофора (V\, V2), можно получить соотношение толщин 6 j/62 слоев и сред них напряженностей поля <8 Д действующих на диэлек
трик при условии, что
$ |
ЭЛ1 |
< 0 ЭЛ 2 1 |
|
|
£ 1 |
Г еэл (I |
— Рг) -Р е 1 (2 — Ра) |
(4.21) |
|
£2 |
[ еэл(1 — ^ i ) + e2(2 — Pi) |
|||
|
||||
& Я 1 . [ е 2 |
(2е, -j- еЭл)1 |
|
||
@ Д2 |
] е 1 |
(2£2 "Г еэл)1 |
|
|
Принимая 6 , = 3,5, |
s2== 15 и V ,= 0,3, У2 = 0,5, еэл== 10 |
соответственно для слоев, изготовленных на связующих
ЭП-096 и ВС-530, получаем увеличение толщины |
слов в |
|
два раза (28sn 0 9 3 = 8 ВС 530) |
при двукоатном уменьшении |
|
напряженности поля на |
диэлектрике (fCn .0 9 6 ^ |
2 ё'вс 530), |
что обеспечивает резкое увеличение надежности. Прове денные эксперименты подтверждают правильность при веденных рассуждений. На рис, 4,18, 4.19 показана
200